рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Параметры коммутаторов

Параметры коммутаторов - раздел Электроника, ИВЭП ДЛЯ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ. Основные требования к ИВЭП для питания электронной аппаратуры Основными Параметрами Являются Амплитуды Напряжения И Тока Ключа, А Также Сре...

Основными параметрами являются амплитуды напряжения и тока ключа, а также средний ток через него. Для инверторного коммутатора они приведены в таблице 1.3.1, а для выпрямительного их можно получить заменами uп на uн и на . Приведем соображения для их определения

 

Таблица 1.3.1 Напряжения и токи инвертора.

Вид схемы Амплитуда напряжения на ключе   Um Средний ток ключа   I0 Амплитудный ток ключа   Im Амплитуда напряжения на первичной обмотке Um1 Действующий ток первичной обмотки
Мостовая uп uп
Нулевая 2uп 2uп
Полумостовая uп 2 2
Однотактная при 2uп 2 uп

Амплитуду напряжения на ключе необходимо связать с известным напряжением питания или нагрузки. В полумостовой схеме (рис.1.3-3) и, аналогично, в мостовой при включении VT2 к VT1 подводится напряжение питания. В нулевой схеме (рис.1.3-1) оно подводится при этом к нижней первичной полуобмотке трансформатора и, трансформируясь в верхнюю полуобмотку, удваивается и через включенный VT2 подводится к VT1. В однотактных схемах на разомкнутом ключе S (рис.1.3-9) действует сумма напряжения питания и напряжения на первичной обмотке в интервале размагничивания сердечника, которое при может быть принято равным напряжению питания (tp = ts в 1.3.6).

Средний ток ключа определяется делением среднего тока источника питания (в выпрямителе - нагрузки) на число параллельных ветвей в коммутаторе. При этом конденсаторы можно считать разомкнутыми, поскольку средние токи в них равны нулю. В мостовой и нулевой схеме число параллельных ветвей равно двум, а в полумостовой и однотактной - одной.

uк

На рис.1.3-14 показана форма напряжения и тока ключа с учетом принятого в разд. 1.3.7.1 допущения о постоянстве этих величин в течение полупериода. Амплитудное значение тока, очевидно, вдвое выше среднего.

t
Um
T/2
iк
а)
 
 


Силовые диоды выбирают по амплитуде напряжения и среднему току, для транзисторов, кроме амплитуды напряжения, определяющим является обычно амплитудный ток.

t
Рис. 1.3-14
Im
б)

При оценках и сопоставлении вариантов полезно определить, кроме напряжений и токов, также установленную мощность ключевых элементов. Она равна произведению амплитуды напряжения на амплитуду тока (для транзисторов) или на средний ток для диодов:

, (1.3.9)

где n - число ключей в коммутаторе.

 

1.3.7.3 Частота промежуточного звена

Она является внутренним параметром ТПН и поэтому выбирается при расчете. Чем выше частота, тем меньше масса и выше к.п.д. трансформаторов и фильтров, но больше коммутационные потери и связанный с ними нагрев полупроводниковых ключей.

Точный расчет коммутационных потерь сложен в связи с влиянием ряда трудно- учитываемых факторов. В первом приближении можно пренебречь потерями при включении, а потери при выключении оценить по верхнему пределу, принимая следующие допущения, которые поясняются на примере полумостового коммутатора (рис.1.3-15).

1. Напряжение на выходящем из насыщения транзисторе (пусть это будет VT1) нарастает скачкообразно, то есть собственной емкостью транзистора пренебрегаем. Напряжение нарастает до значения uк=Um, при котором отпирается транзистор VT2 противоположного плеча, выполняющий в начале интервала проводимости функцию обратного диода (на рис.1.3-15,а показан пунктиром). Обратный диод пропускает выходной ток iв, изменение полярности которого запаздывает в связи с наличием индуктивности рассеяния Ls силового трансформатора.

2. Спад тока в выключающемся транзисторе происходит по линейному закону в течение интервала времени tф (рис.1.3-15,б).

3. Индуктивность рассеяния Ls велика настолько, чтобы поддержать эквивалентный обратный диод VD в открытом состоянии до окончания интервала tф, что позволяет принять на выключающемся транзисторе uк=Um.

Учитывая, что средний ток транзистора на интервале tф равен , получаем с учетом первого равенства (1.3.9) коммутационные потери

или 1.3.10)

где - относительные коммутационные потери.

Фронт спада коллекторного тока обычно составляет ()10-6 c. Принимая для примера tф=10-6 c и допустимые коммутационные потери =0.02, получим f=104 Гц.

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ИВЭП ДЛЯ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ. Основные требования к ИВЭП для питания электронной аппаратуры

В первой части данного учебного пособия рассматриваются источники питания электронной аппаратуры в которых для улучшения технико экономических... В... где W число витков первичной обмотки ее потокосцепление а u напряжение на ней...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Параметры коммутаторов

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Узел пуска - форсировки
Узел обеспечивает форсированное выключение силового транзистора, что позволяет повысить частоту за счет сокращения времени рассасывания носителей зарядов, а также сократить коммутационные потери пр

Односторонее насыщение сердечника силового трансформатора
Это негативное явление может возникать во всех двухтактных схемах ТПН, за исключением схемы Ройера, и ведет к иглообразным всплескам тока вида рис.1.3-1,в, но только в один из полупериодов р

Однотактные ТПН
Они обладают наиболее простой схемой и поэтому часто применяются на практике. Однако им свойствен и ряд специфических недостатков, в результате чего их применение ограничивается в основном преобраз

Ветвей схемы
На вторичной стороне трансформатора основные параметры определяются по мощности нагрузки Рн и ее среднему току , а на перв

Параметры силового трансформатора

Управляющий трансформатор
Основное требование к нему состоит в малости амплитуды намагничивающего тока на интервале проводимости силового транзистора, поскольку он сн

Выбор схемы ТПН
Принимаются во внимание следующие соображения: 1. Чем меньше мощность ТПН

Понижающий и повышающий преобразователи
Широтно - импульсные преобразователи (ШИП) предназначены для регулирования величины выходного напряжения методом широтно - импульсной модуляции (ШИМ) при сохранении на выходе того же

Способы соединения ШИП и ТПН
На рис.1.5-1 изображена схема понижающего ШИП. Как показано в работе [1], многоо

Прямоходовой преобразователь.
Он строится на базе однотактного ТПН рис.1.3-12 путем его совмещения с понижающи

Обратноходовой преобразователь
Его схема (рис 1.5-5) получается из полярно-реверсирующего ШИП добавлением вторичных об

Причины радиопомех и их виды
Полупроводниковые преобразователи являются источниками интенсивных радиопомех в широком частотном диапазоне от десятков килогерц до десятков и даже сотен мегагерц. Помехи проявляются в создании шум

Количественные характеристики помех
Помехи характеризуются в относительных единицах по отношению к базисному уровню, в качестве которого для напряжений помех принимается один микровольт. Используются обычные относительные и логарифми

Помехоподавляющие фильтры
Они создают препятствие для проникновения помех из преобразователя в сеть, и если это необходимо, в нагрузку. Как правило, достаточно решить задачу подавления несимметричной помехи, так как симметр

Элементная база помехоподавляющих фильтров
Ее особенности вытекают из условий работы фильтров, прежде всего высокой частоты подавляемых сигналов. Поэтому конденсаторы фильтров должны обладать возможно меньшей собственной индуктивностью

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги