рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Электроника
/
Управляющий трансформатор

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Управляющий трансформатор

Управляющий трансформатор - раздел Электроника, ИВЭП ДЛЯ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ. Основные требования к ИВЭП для питания электронной аппаратуры Основное Требование К Нему Состоит В Малости Амплитуды Намагничивающего Тока ...

Основное требование к нему состоит в малости амплитуды намагничивающего тока на интервале проводимости силового транзистора, поскольку он снижает фактический ток базы:

, (1.3.14)

где - ток базы, определяемый условием насыщения силового транзистора при максимальном токе коллектора I_m и минимальном коэффициенте усиления ; l_м - длина средней магнитной линии в сердечнике; - магнитная проницаемость; - допустимое относительное значение намагничивающего тока.

Амплитуда индукции определяется соотношением (1.3.3) при подстановке B_m вместо , при этом надо учесть все составляющие напряжения u_б с учетом элементов узла пуска - форсировки. Кроме того, необходимо, чтобы обмотки поместились в окне сердечника, для чего необходимо составить соотношение, аналогичное (1.3.12).

Одновременное выполнение трех указанных условий может вызвать определенные трудности для схем с самовозбуждением, где сердечник задает частоту, так как при этом индукция задана и максимальна (B_m=B_s). Чтобы при этом получить малый , приходится принимать большое W_б. Но тогда условие (1.3.3) дает слишком малый сердечник и обмотки не помещаются в его окне. Выход из положения состоит в применении сердечников с высокой проницаемостью , повышении плотности тока до и снижении, за счет этого, l_м, повышении u_б

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ИВЭП ДЛЯ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ. Основные требования к ИВЭП для питания электронной аппаратуры

В первой части данного учебного пособия рассматриваются источники питания электронной аппаратуры в которых для улучшения технико экономических... В... где W число витков первичной обмотки ее потокосцепление а u напряжение на ней...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Управляющий трансформатор

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Узел пуска - форсировки
Узел обеспечивает форсированное выключение силового транзистора, что позволяет повысить частоту за счет сокращения времени рассасывания носителей зарядов, а также сократить коммутационные потери пр

Односторонее насыщение сердечника силового трансформатора
Это негативное явление может возникать во всех двухтактных схемах ТПН, за исключением схемы Ройера, и ведет к иглообразным всплескам тока вида рис.1.3-1,в, но только в один из полупериодов р

Однотактные ТПН
Они обладают наиболее простой схемой и поэтому часто применяются на практике. Однако им свойствен и ряд специфических недостатков, в результате чего их применение ограничивается в основном преобраз

Ветвей схемы
На вторичной стороне трансформатора основные параметры определяются по мощности нагрузки Рн и ее среднему току , а на перв

Параметры коммутаторов
Основными параметрами являются амплитуды напряжения и тока ключа, а также средний ток через него. Для инверторного коммутатора они приведены в таблице 1.3.1, а для выпрямительного их можно получить

Параметры силового трансформатора

Выбор схемы ТПН
Принимаются во внимание следующие соображения: 1. Чем меньше мощность ТПН

Понижающий и повышающий преобразователи
Широтно - импульсные преобразователи (ШИП) предназначены для регулирования величины выходного напряжения методом широтно - импульсной модуляции (ШИМ) при сохранении на выходе того же

Способы соединения ШИП и ТПН
На рис.1.5-1 изображена схема понижающего ШИП. Как показано в работе [1], многоо

Прямоходовой преобразователь.
Он строится на базе однотактного ТПН рис.1.3-12 путем его совмещения с понижающи

Обратноходовой преобразователь
Его схема (рис 1.5-5) получается из полярно-реверсирующего ШИП добавлением вторичных об

Причины радиопомех и их виды
Полупроводниковые преобразователи являются источниками интенсивных радиопомех в широком частотном диапазоне от десятков килогерц до десятков и даже сотен мегагерц. Помехи проявляются в создании шум

Количественные характеристики помех
Помехи характеризуются в относительных единицах по отношению к базисному уровню, в качестве которого для напряжений помех принимается один микровольт. Используются обычные относительные и логарифми

Помехоподавляющие фильтры
Они создают препятствие для проникновения помех из преобразователя в сеть, и если это необходимо, в нагрузку. Как правило, достаточно решить задачу подавления несимметричной помехи, так как симметр

Элементная база помехоподавляющих фильтров
Ее особенности вытекают из условий работы фильтров, прежде всего высокой частоты подавляемых сигналов. Поэтому конденсаторы фильтров должны обладать возможно меньшей собственной индуктивностью