Формула коэффициента усиления биполярного транзистора.

Одним из важнейших применений биполярного транзистора является усиление колебаний . На вход транзистора подаётся маломощный управляющийсигнал . Под действием входного переменного сигнала изменяются входной и выходной токи транзистора.

Транзистор может быть включен по одной из схем с ОБ, ОЭ, ОК, поэтому схему усилителя можно рассмотреть в обобщенном виде ( рис. 3.24) Во входной цепи действует ис -точник переменного напряжения Uвх , которое необходимо усилить. В выходной цепи включается нагрузка R. Обозначим амплитуду выходного напряжения Uвых . Подразумевается, что за счет постоянных напряжений на электродах транзистор работает в активном режиме. Процесс усиления состоит в преобразовании энергии источника питания в энергию переменного тока. Транзистор под действием напряжения ( или тока ) входного сигнала управляет током источника питания. Величина и форма управляемого тока зависят от амплитуды и формы входного сигнала, а также от выбранного режима работы транзистора. Основными параметрами , характеризующими режим усиления , являются :

- коэффициент усиления по току

- коэффициент усиления по напряжению

 

42. Степень насыщения биполярного транзистора.

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками UЭБ и UКБ. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнется проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ.нас) и коллектора (IК.нас).

 

Глубину насыщения транзистора характеризуют коэффициентом (степенью) насыщения, который определяет, во сколько раз реальный ток базы превосходит минимальное значение, при котором имеет место режим насыщения:

Величину коэффициента насыщения выбирают от 1.5 до 3.

Транзистор должен входить в режим насыщения, когда входное напряжение превышает напряжение логической единицы . Для ключей на биполярных транзисторах .Передаточная характеристика ключа на БТ показана на рис. 7.2.

Рабочими являются участки переходной характеристики, соответствующие отсечке и насыщению