рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ТТЛ вентиля

Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ТТЛ вентиля - раздел Электроника, Расчитать Минимальный Коэфф...

Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ТТЛ вентиля.

Слева ттл вентиль (И-не) справа, его передаточная характеристика. Минимамальный коэффициент усиления, для транзистора VT5 – при котором он равен b= Ik / Iб1


 

Электрическая схема ТТЛ вентиля со сложным инвертором.

А- с простым, Б – сложным инвертором

Пример работы:

Если же на все эмиттеры транзистора VT1 подать напряжение Uвх1, равное примерно половине напряжения питания Uп, то эмиттерные токи VT1резко сократятся (входные токи лог.1), а базовый ток уйдет в коллектор, создавая на базе транзистора VT2 потенциал, близкий к потенциалу Uп. В таком случае транзистор VT2 фазоинверсного каскада откроется, запирая при этом VT4 и отпирая VT5. Включенный в коллекторную цепь VT4 диод VD5 создает при отпирании транзистора VT5 между базой и эмиттером VT4 разность потенциалов, меньшую напряжения отпирания VT4. Иными словами разность потенциалов между базой транзистора VT4 и выходом логического элемента распределяется между участком база-эмиттер VT4 и диодом VD5. Таким образом за счет полного запирания транзистора эмиттерного повторителя и насыщения транзистора VT5 на выходе ИС формируется уровень напряжения примерно равный 0.4В. Это напряжение есть напряжение насыщения транзистора VT5 и является выходным напряжением логического 0 Uвых0.


 

Что такое таблица истинности. Функциональный контроль микросхем.

Таблица истинности -таблица, в которой перечислены состояния на выходе при любой комбинации входных сигналов.

Функциональный контроль. Используется для проверки интегральных схем с

высокой степенью интеграции и включает в себя проведение статистических и

динамических измерений на базе контрольной тестовой таблицы, составленной,

например, с помощью ЭВМ с учетом минимизации количества входных кодовых

комбинаций. Функциональный контроль позволяет проводить проверку больших

интегральных микросхем в условиях, близких к эксплуатационным.

Принцип работы автоматизированной системы функционального контроля

интегральных микросхем с применением ЦВМ состоит в следующем.

По команде от ЦВМ в счетчик адреса памяти записывается начальный адрес

входных тестовых комбинаций, а в регистр адреса контролируемой тестовой

комбинации – соответствующий адрес. На компаратор подается от ЦВМ ожидаемая

комбинация входных сигналов. Несколько разрядов запоминающего устройства

входных тестовых комбинаций выделено для хранения определенного числа циклов

тактового генератора В течение периода хранения на входные выводы

интегральной схемы должна подаваться одна и та же тестовая комбинация. Число

циклов в обратном коде переписывается в счетчик повторений тестовых

комбинаций, на счетный вход которого поступают тактовые импульсы. При его

заполнении увеличивается содержимое счетчика адреса памяти и опрашивается

запоминающее устройство входных тестов по новому адресу. При равенстве адреса

счетчика памяти и регистра контролируемой комбинации прекращается подача

тактовых импульсов, компаратор стробируется по времени, фиксируя входные

импульсы последней тестовой комбинации.

Путем записи в регистр адреса контролируемой комбинации различных адресов

проверяется интегральная микросхема с динамической логикой на всех тестовых

комбинациях. Кроме указанных элементов система включает в себя схему

сравнения, схему выдачи входных воздействий и вентиль.

Наиболее эффективными методами контроля качества соединений являются

испытания на механическую прочность и металлографический анализ.


 

Способы включения биполярного транзистора как диода.

А) БК-Э; б) БЭ-К; в) Б-КЭ; г) Б-Э; д) Б-К. (виды включений)

Пять возможных вариантов диодного включения транзисторов приведены на рис.3, где в качестве диода используются: переход база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу ( а ); переход коллектор - база с эмиттером, закороченным на базу ( б ); параллельное включение обоих переходов ( в ); переход эмиттер - база с разомкнутой цепью коллектора ( г ); переход база - коллектор с разомкнутой цепью эмиттера ( д ).

При соответствующем выборе варианта диодного включения транзистора возможно подобрать оптимальные параметры по быстродействию, пробивному напряжению, обратному току (см. табл. 4).


Принцип работы транзистора Шоттки.

Эффект Шоттки снижает напряжение открывания кремниевого p-n перехода от обычных 0,5…0,7 В до 0,2…0,3 В и значительно уменьшает время жизни… Транзистор Шоттки можно представить как обычный транзистор с диодом Шоттки,… При открывании транзистора базовый ток нарастает только до значения, лежащего на границе активного режима и области…

Что такое радиочастотная идентификация. Диапазоны используемых частот в Европе.

RFID (англ. Radio Frequency IDentification, радиочастотная идентификация) — метод автоматической идентификации объектов, в котором посредством радиосигналов считываются или записываются данные, хранящиеся в так называемых транспондерах, или RFID-метках.

Любая RFID-система состоит из считывающего устройства (считыватель, ридер или интеррогатор) и транспондера (он же RFID-метка, иногда также применяется термин RFID-тег).

Диапазон частот (и применение если спросит, но в общем они различаются по дальности):

Низкие частоты (НЧ, LF) – 125-134 КГц (животные)

Высокие частоты (ВЧ, HF) – 13,56 МГц (товары на складе)

Ультра-высокие частоты (УВЧ, UHF) – 860-960 МГц (передвегающийся обьект или товары на складе)

Микроволны (SHF) – 2,4 ГГц (передвегающийся обьект и товары на складе )

И еще 5 ГГц (дальние перевозки)


Как влияет облучение на характеристики р-n перехода.

С точки зрения функционирования ИМС в аппаратуре в зависимости от соотношения между длительностью воздействия излучения Ти и временем релаксации…   Одним из основных параметров, характеризующих переходные ионизационные эффекты в элементах ИМС при равновесном…

Масштабирование. Основные принципы

Данный подход имеет 2 недостатка: 1.Линейнок масштабирование возможно только в ограниченном диапазоне… 2.Масштабируемые нормы проектирования консервативны: они отражают срез различных технологий и поэтому должны…

Статическое электричество. Схема защиты от статического электричества.

Статическое электричество — совокупность явлений, связанных с возникновением, сохранением и релаксацией свободного электрического заряда на поверхности или в объеме диэлектриков или на изолированных проводниках.

Восприимчивые к электростатическим зарядам приборы и схемы подвергаются опасности в процессе как производства, так и эксплуатации. Неантистатическая упаковка, недостаточно грамотное обращение с устройствами на входном контроле, в ходе их монтажа при изготовлении электронных блоков и при работе аппаратуры - все эти факторы могут стать причиной выхода полупроводниковых изделий из строя.

Обычно носители зарядов обеих полярностей распределены в материале равномерно, поэтому он электрически нейтрален. Разрушение этого нейтрального состояния и локальное накопление частиц одной полярности приведет к тому, что тело станет заряженным. Статическое электричество определяется как явление, вызываемое электрическим зарядом в состоянии покоя. Такие заряды возникают при переносе электронов (или других видов носителей заряда) с одной части тела в другую (поляризация) или же при переходе заряда от одного тела к другому (переносимый заряд). Они могут быть как отрицательными, например, если на предмете электроны присутствуют в избытке, так и положительными, если, наоборот, имеется недостаток электронов .

Существует три основных процесса электризации материалов: добавление зарядов, удаление зарядов и разделение зарядов. Заряды на предмете могут появиться под действием электрического поля, но не только.

Когда в контакте находятся материалы, обладающие высоким сопротивлением, только носители зарядов в непосредственной близости к области соприкосновения принимают участие в электризации, и они останутся в той же точке, в которой изначально сформировались, даже если материал будет заземлен. Статические же заряды на незаземленных проводниках распространяются практически мгновенно по всей поверхности контактирующих тел (с заземленного проводника заряд стечет на землю). Общее условие электризации какого-либо тела - электрический заряд при разделении (или другом способе получения) должен возрастать быстрее, чем компенсироваться из окружающей среды (компенсации заряда способствует, например, влажная атмосфера).

При производстве полупроводниковых изделий электростатический заряд чаще всего возникает из-за трения поверхностей различных материалов, что называется трибоэлектрическим эффектом. Если осуществить контакт двух материалов трибоэлектрической серии, то более высокий в серии материал заряжается положительно, другой получит такой же отрицательный заряд. Величина заряда зависит от силы сжатия при контакте и от способа и качества контакта между материалами.

Значительные по величине заряды могут возникать непосредственно на поверхности прибора. Характер воздействия разряда на полупроводниковые изделия в производственных условиях зависит от ряда случайных факторов: емкости, величины накопленного заряда, сопротивления человека, величины переходных сопротивлений в цепи разряда и др

При технологических процедурах, сопровождающихся трением или нарушением контакта между различными материалами (например, на сборочных автоматах), возникают разности потенциалов, вызванные появлением электростатических зарядов.

Катастрофические отказы можно разделить на отказы под действием напряжения, когда пробивается насквозь диэлектрик или разрушается поверхность кристалла, и отказы под действием мощности или тока, которые часто опознают по горячим точкам или расплавленным участкам на кристалле. Разряд может вызвать такую высокую плотность тока на границе оксид-полупроводник, что происходит локальное расплавление полупроводникового материала, а в оксиде образуется точечное отверстие диаметром около 1 мкм.

Элементы, чувствительные к напряжению (тонкий диэлектрик структур металл-диэлектрик-полупроводник, изолирующий оксид и т.д.), отказывают вследствие электрического пробоя. Отказы внутри прибора под действием напряжения происходят из-за разницы постоянных времени разряда в смежных или пересекающихся участках, что приводит к появлению напряжений, превышающих электрическую прочность диэлектрика. Другие элементы (р-n-переходы, металлизированные дорожки и т.д.) чувствительны к мощности. В этом случае критическими параметрами оказываются форма импульса тока, протекающего при разряде, его длительность и амплитуда, которые при соответствующем сочетании могут создать уровень мощности, приводящий к термическому пробою. Отказы под действием мощности или тока происходят обычно между схемной частью и землей или питающей шиной. Шины питания и заземления, как правило, являются проводниками с наибольшей площадью и способны хранить наибольший заряд, высвобождая при разряде максимальную энергию.

Считается, что есть шесть наиболее распространенных и связанных с электростатическим разрядом механизмов отказов: тепловой вторичный пробой, расплавление металлизации, объемный пробой, пробой диэлектрика, поверхностный пробой и газовый дуговой разряд.

К общим способам по снижению возможности образования и накопления зарядов статического электричества на рабочих поверхностях, изделиях, одежде и теле работающих относятся:

- заземление электропроводных (в том числе и неметаллических) элементов оборудования и инструментов;

- общее и местное увлажнение воздуха и его ионизация;

- увеличение поверхностной и объемной проводимости обрабатываемых материалов;

- подбор контактирующих материалов, при которых уровень электризации минимален;

- ограничение скорости переработки и транспортирования электризующихся материалов (уменьшение скорости перемешивания и переливания жидкостей, возможности вскубливания, разбрызгивания и т.п.).


Принцип работы транзистора в инверсном режиме

Режим работы транзистора, при котором коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном, называется инверсным. В этом… Эта особенность позволяет значительно упростить ряд устройств, в которых в… Прежде всего, следует отметить уменьшение коэффициента передачи тока эмиттера, что в бездрейфовом транзисторе…

Первый и второй закон Мура.

Это наблюдение получило название первого закона Мура. Оно является наиболее известным и поскольку по сегодняшний день этот закон не нарушается, то у… Однако существует также и менее известный второй закон Мура, который гласит,…

Что такое потенциальные и импульсные схемы. Привести примеры.

Импульсная схема состоит из импульсаторов, а также переменных и постоянных дросселей. Через постоянные дроссели подается питание сжатым воздухом к импульсаторам, а при помощи соответствующей настройки регулируемых дросселей достигается нужная продолжительность импульса реле времени.

Используемая для ультрафиолетовых измерений. Они аналогичны соответствующим фазовым схемам, но имеют очень низкую чувствительность. Широкое применение этих схем возможно будет только тогда, когда будут разработаны сравнительно простые электронные схемы измерения интервалов времени с точностью 0 001 мксек.

Применяются для осуществления импульсной модуляции радиочастотного сигнала или преобразования выходного импульсного сигнала датчика. Схема приобретает положительное качество в тех случаях, когда количество вводимых реагентов мало и возникают затруднения подачи таких незначительных количеств.

Импульсные схемы нуль-индикаторов имеют следующие преимущества, которые в свое время способствовали их широкому применению. Импульсная схема Фюнфера имеет три важных преимущества: во-первых, все электроды ячейки Керра постоянно, исключая короткое время раскрытия, находятся под потенциалом земли. Во-вторых, ячейке можно давать высокую емкостную нагрузку, и поэтому при времени раскрытия более 0 1 мксек между камерой и высоковольтной схемой можно прокладывать кабель длиной несколько метров - преимущество, которое может оказаться решающим в полигонных условиях.

ИС хема возбуждения может применяться только тогда, когда в процессе, резания основная дуга не обрывается. Если же возможен обрыв основной дуги ( например, при строгании или при точении со значительным биением заготовки), то дежурная дуга должна гореть постоянно. Быстродействие ис невозможно оценить, пользуясь упомянутыми выше малосигнальными параметрами. Здесь важное значение имеет время восстановления транзистора, находящегося в насыщенном состоянии. В результате инжекции носителей в базу полностью открытого биполярного транзистора в ней накапливается довольно значительный заряд.

Создание импульсных схем на обычных приемно-усилительных лампах требует зачастую большого количества ламп, что понижает надежность работы таких схем. Для импульсных схем более характерны два других режима - отсечки и насыщения.

Воздействие импульсной схемы разгрузки осуществляется через двигатель задатчика мощности центрального регулятора. В практической импульсной схеме средняя рассеиваемая мощность много меньше мощности в импульсе. В импульсных схемах сигнал 1 представлен прямоугольным импульсом, а сигнал 0 - отсутствием импульса.

В импульсных схемах допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0 5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 363 К.

В импульсных схемах на транзисторах имеются два статических состояния: включенное состояние и выключенное состояние. В импульсных схемах с насыщением включенное состояние характеризуется очень низким напряжением на коллекторе транзистора и относительно большим коллекторным током; в свою очередь выключенное состояние характеризуется относительно высоким коллекторным напряжением и очень малым током коллектора.

Ипульсно-потенциальная система помимо потенциальных включает импульсно-потенциальные элементы, управляемые, как правило, статическими триггерами. При наличии разрешающего сигнала ( потенциального) схема пропускает импульс, поступающий на ее вход. Эта система обладает широкими возможностями при построении различного рода схем. Однако чувствительность к импульсным помехам в результате длительно сохраняющегося сигнала разрешения ( схема находится в течение всего времени действия сигнала в открытом состоянии но импульсному входу) снижает надежность работы устройства.

Импульсно-потенциальные системы элементов содержат широкую номенклатуру стандартных элементов импульсного и потенциального типов. Поэтому контроль и проверка элементов затруднительны.

Использование в импульсно-потенциальной системе элементов двух различных видов сигналов позволяет легко реализовать как комбинационный, так и накапливающий способ обработки информации.

Потенциальные элементы, построенные на дискретных радиокомпонентах, отдельно или совместно с импульсными давно используются в различных цифровых устройствах. Объясняется это в первую очередь тем, что технология микроэлектроники не позволяет пока производить достаточно качественные конденсаторы больших емкостей и индуктивности, необходимые для построения импульсно-потенциальных систем. Современные логические элементы потенциальной системы - это прежде всего изделия микроэлектроники, поэтому кратко рассмотрим основные методы микроминиатюризации.

К недостаткам этого вида связи можно отнести сравнительно большое время восстановления, обусловленное процессом заряда конденсатора С, а также трудность выполнения с помощью интегральной технологии конденсаторов большой емкости, что затрудняет микроминиатюризацию ключевых схем с емкостной связью. Необходимо также иметь в виду, что при емкостной связи только одно состояние схемы, когда первый ключ заперт, может продолжаться сколь угодно долго, а время существования другого определяется параметрами цепи связи. Поэтому в отличие от непосредственной, резистивной и резистивно-емкостной связи, применяемых как в импульсных, так и в потенциальных системах, емкостная связь пригодна только для импульсных и лишь в некоторых случаях для импульсно-потенциальных систем.


Тиристор. Принцип работы

Кроме трёх выпрямляющих контактов тиристор имеет два омических пе -рехода . Контакт с внешним p-слоем называется анодом, а с внешним n-слоем –… диодным тиристором. Тиристоры , имеющие три и четыре вывода, называются… ТРИОДНЫЕ ТИРИСТОРЫ

Туннельный диод Принцип работы.

1020см-3, следствием чего является малая толщина перехода ( порядка 0,01 мкм ). Локальные уровни примесей образуют в вырожденных полупроводниках… WFp , WFn располагаются соответственно в валентной зоне p-области и в зоне… Известно , что частица, имеющая энергию , недостаточную для преодоления потенциального барьера, может пройти сквозь…

Метод измерения динамических параметров интегральных схем.

Иногда в качестве параметров ИЛЭ приводят длительности фронтов нарастания и спада выходного напряжения. Временные диаграммы напряжения на входе и на выходе ИЛЭ показаны на…

Типы конденсаторов в интегральном исполнении

Конденсаторы широко используются в РЭА для самых различных целей. На их долю приходится примерно 25% всех элементов принципиальной схемы. По назначению конденсаторы делятся на конденсаторы общего назначения и… По назначению конденсаторы подразделяются на контурные, разделительные, блокировочные, фильтровые и т.д., а по…

Виды полузаказных интегральных схем

 

Полузаказная интегральная микросхема - микросхема, разработанная на основе базовых кристаллов (в том числе матричных).ПИС могутбыть построены на основе вентильных матриц либо ИС, представляющих собой наборстандартных ячеек. Приборы данного типамогут разрабатываться заказчиком при технической поддержке производителя ИС.

Полузаказные ИС на основе КМОП

Вентильные матрицы

ИС на основе готовых ячеек

При проектировании структуры ячеекполузаказных ИС больше не применяютсятехнологии, использующие готовые шаблоны. Расположение и размеры ячеек выбираются индивидуально. Применяется такжеопция восстановления макроструктуры, сохранённой в библиотеке стандартных элементов (такая макроструктура может включать в себя DRAM, SRAM, процессорноеядро, АЦП/ЦАП и т.п.).На Рис. 12.2показаны различные типыполузаказных модулей.

 

Фактор цены

Для сопоставимых проектов разработкаИС навентильныхматрицах стоит в два слишним раза дешевле, чем разработка ИСна готовых ячейках. При массовом производстве продукции ситуация меняется.В случае мелкосерийного производства(приблизительно 1000…10 000 шт.) стоимости ИС обоих типов одинаковы (либоИС на вентильных матрицах обходятся чутьдешевле вследствие небольшой стоимостиполуфабрикатов базовых кристаллов).При средних объёмах производства(10 000…100 000 шт.) благодаря меньшейплощади поверхности кристалла преимущество оказывается у ИС на готовых ячейках, поэтому в данном случае выгоднее использовать именно такие ИС.

Биполярные полузаказные ИС

Биполярные (вентильные) матрицы особенно хорошо подходят для работы на высоких частотах и с малыми задержками переключения вентилей (порядка 30…100 пс).

Максимальное количество элементовбиполярных вентильных матриц семействаSH100G производства Infineon составляетприблизительно 10 000 вентилей

Биполярные вентильныематрицы

В настоящее время Infineon производитИС на основе биполярной технологииB6HF с временем задержки переключениявентилей около 30 пс. Библиотеки стандартных элементов (макроячеек) содержатмакросы, которые определяют логическиефункции схем, выполненных по технологии ЭСЛ (emitter_coupledlogic — эмиттерно_связанная логика) или ТПЛ (currentmodelogic — токопереключательная логика, логические схемы на переключателяхтока). Могут быть реализованы как простые элементы, например И_НЕ и ИЛИ_НЕ, так ифункционально сложные, например счётчики или мультиплексоры. Выбор наиболее подходящей технологии следует осуществлять, исходя изконкретной области применения.


Конструктивные и тепловые ограничения при проектировании интегральных схем

Основной единицей в определении норм проектирования является минимальная ширина линии. Т.е минимальный размер на фотошаблоне, который может быть… Внутрислойные ограничения : определяются минимальные размеры объектов в каждом… Межслойные ограничения: (обычно сложнее) Тут участвует уже несколько слоев, представить их смысл и функциональное…

Модель Эберса-Молла биполярного транзистора

Модель базируется на эквивалентной схеме. Расчетные формулы, объединим в систему   причем uЭП= - uЭБ , uКП = - uКБ.

Способы включения биполярного транзистора.

Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх Схема включения с общей базой

Полевой транзистор. Принцип действия

Транзисторы с изолированным затвором.Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении… Рис. 1.28 Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа Основанием (подложкой) служит кремниевая пластинка с электропроводностью p-типа. В ней созданы две области с…

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Рис. 1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор,… Такой транзистор имеет два невыпрямляющих контакта к области, по которой проходит управляемый ток основных носителей…

Типы помех в интегральных схемах

Виды помех из книжки ПРИБЫЛЬСКОГО:

1. Помехи, генерируемые в сигнальных шинах БИС из-за перекрестного паразитного взаимодействия.

2. Помехи в сигнальных шинах, связанные с электрическим рассогласованием режимов работывыходов элементов с режимами работы активной нагрузки,а такженаличием L, С - компонентов в электрической нагрузке,

3. Помехи в сигнальных шинах, обусловленные эф­фектами состязания (гонок) сигналов;

4. Помехи, связанные с всплеском напряжений в сигнальных шинах;

5. Помехи в шинах питания, влияющие на состоя­ния входов и выходов цифровых БИС.

Помехоустойчивость является одним из важнейших свойств информационных систем. Это способность информационной системы противостоять вредному действию помех. Помехоустойчивость чаще всего характеризуют максимально допустимым напряжением помехи Uп, при подаче которой между выходом предыдущего и входом данного элемента работоспособность последнего не нарушается. В зависимости от продолжительности помехи различают статическую и динамическую помехоустойчивость. Статическую помехоустойчивость связывают с помехами, длительность которых больше времени переходных процессов, а динамическую - с кратковременными помехами. Для обоих видов помехоустойчивости может учитываться воздействие напряжения низкого и высокого уровней.

Статическая помехоустойчивость - это наименьшая величина постоянного напряжения ( тока), которая, будучи добавлена ( при самом неблагоприятном сочетании обстоятельств) к полезному входному сигналу, вызовет появление ошибки во всей последующей цепи логических схем. Появление статической помехи наблюдается в тех случаях, когда относительно велико сопротивление проводников, подводящих к ИС напряжение питания. Падения напряжения на земляной шине, разные для разных ИС, будут суммироваться со входными сигналами и могут привести к сбоям. Для исключения подобных ситуаций необходимо внимательно относиться к расположению проводников, подводящих напряжение питания, и увеличивать по возможности их сечение.

Для нормального функционирования цифровых устройств логическая схема потенциального типа должна иметь 3 точки пересечения передаточной характеристики с обращенной передаточной характеристикой

Помимо статических помех, длительность которых значительно превышает длительность переходных процессов в схеме, в логических устройствах действуют так­же импульсные помехи, длительность которых сравнима с длительностью переходных процессов. Импульсная по­мехоустойчивость логических схем характеризуется допустимой амплитудой ∆Uимпи длительностьюtп имппомехи

 

Зависимость допустимой амплитуды импульсной помехи от её длительности


Биполярный транзистор. Принцип работы

На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p —… Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение… Устройство и принцип действия.Упрощенная схема поперечного разреза биполярного NPN транзистора

Зависимость потребляемой мощности КМОП вентиля от частоты.

 

Так как напряжение питания больше суммы пороговых напряжений: UИП > UПЗИ ПОР + [UРЗИ ПОР], то в процессе перехода входного напряжения от U°ВХ к U1ВХ или обратно происходит переключение. Следовательно, в процессе переключения вентиль потребляет от источника питания дополнительную мощность, называемую мощностью потребления в динамическом режиме РПОТ. ДИН. Эта мощность тем больше, чем выше частота переключения вентиля. Мощность РПОТ. ДИН увеличивается также с повышением напряжения питания UИП, поскольку при этом уменьшается сопротивление транзисторов и увеличивается относительное время, в течение которого они оба (VT5 и VT4) открыты. Также это связано с разрядом паразитной емкости, но это говорите в крайнем случае, если он спросит «что еще».


Современные системы автоматической идентификации.

Биометрические Дактилоскопические Штих-коды и чип-карты

Формула вольт-амперной характеристики диода.

Расчет ВАХ диода идет по следующей формуле: , где

величина I0 представляет тепловой ток p-n–перехода, называемый также током насыщения. Для комнатной температуры kT/q = 0,026 B. (q-заряд электрона, к- постоянная Стэфана-Больцмана)

ВАХ на всякий случай>>>>>>>>>>>>


Полупроводниковые приборы с N - образными характеристиками.

Обычные диоды при увеличении прямого напряжения монотонно увеличивают пропускаемый ток. В туннельном диоде квантово-механическое туннелирование… Диод Ганна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых… Традиционно диод Ганна состоит из слоя арсенида галлия толщиной от единиц до сотен микрометров с омическими контактами…

Система параметров логических элементов.

— Коэффициент объединения по входу Коб — число входов, с помощью которых реализуется логическая функция. — Коэффициент разветвления по выходу Краз показывает, какое число логических… — Быстродействие характеризуется временем задержки распространения сигналов через ЛЭ и определяется из графиков…

Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.

Кроме трёх выпрямляющих контактов тиристор имеет два омических пе -рехода . Контакт с внешним p-слоем называется анодом, а с внешним n-слоем –… диодным тиристором. Тиристоры , имеющие три и четыре вывода, называются… ТРИОДНЫЕ ТИРИСТОРЫ

Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.

МЭТ, эмиттерные области которых объединены одним внешним выводом,… МЭТ, в которых каждая эмиттерная область имеет отдельный внешний вывод (рис. 3.6), используются в…

Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.

Мур высказал предположение, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые 24 месяца. При анализе графика роста производительности… Это наблюдение получило название закон Мура. Существует масса схожих… В 2007 году Мур заявил, что закон, очевидно, скоро перестанет действовать из-за атомарной природы вещества и…

Многослойные полупроводниковые структуры

Определение гетероструктур-искусственная структура, изготовленная из двух или более различных полупроводниковых веществ (материалов), в которой… Описание. В состав полупроводниковых гетероструктур входят элементы II-VI… Для изготовления гетероструктур важно согласование (близость по величине) параметров кристаллической решетки двух…

Инжекционный вентиль. Принцип работы.

Изобретение в 1972 г. элементов интегральной инжекционной логики (И2Л) явилось результатом работ по совершенствованию БИС на биполярных… Горизонтальный транзистор VT1 выполняет функции инжектора дырок изэмиттерной…

Расчет параметров интегрального резистора.

Низкоомные резисторы с номиналом R ≤ 1 кОм имеет ширину базовой области β = 30 мкм; Высокоомные резисторы с номиналом от 1 кОм до 5 кОм (1 кОм ≤ R ≤ 5… Высокоомные резисторы с номиналом R> 5 кОм выполняются с шириной базовой области β = 15 мкм.

Формула коэффициента усиления биполярного транзистора.

Транзистор может быть включен по одной из схем с ОБ, ОЭ, ОК, поэтому схему усилителя можно рассмотреть в обобщенном виде ( рис. 3.24) Во входной… - коэффициент усиления по току - коэффициент усиления по напряжению

Чем отличается реальная вольтамперная характеристика р-п перехода от теоретической.

Если прикладывать прямое напряжение, высота барьера уменьшается итоки основных…

Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.

Принцип работы: Выпрямительный переход создаётся слоем металла (обычно золота, платины, алюминия или палладия), нанесённого на поверхность… Ток в полупроводниковом материале представляет собой поток электронов.… Технология изготовления диодов Шотки заключается в нанесении на пластину низкоомного кремния эпитаксиальной пленки с…

Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1. Схема ОБ изображена на рисунке 2. Схема включения с общим коллектором показана на рисунке 3.


Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.

Рис. 1.28 Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа Основанием (подложкой) служит кремниевая пластинка с электропроводностью… Если к затвору приложено нулевое напряжение, то при подаче между стоком и истоком напряжения через канал потечет ток,…

Объясните принцип действия динистора.

Динистор - это тиристор, который имеет только два вывода, называющиеся анодом и катодом. Условное графическое обозначение динистора приведено на… Принцип действия динистора (рис. 2.6.2): при подаче на анод дини-стора… Если соединить динистор последовательно с резистором, как показано на рис. 2.6.3, и подать на эту схему постоянное…

Назовите параметры тиристоров.

Простейшим тиристором с двумя выводами является диодный тиристор (динистор). Триодный тиристор (тринистор) имеет дополнительно третий (управляющий)… Крайние области р1 и n2 называются анодом и катодом, соответственно, с одной… Источник Е внешнего питающего напряжения подключен к аноду положительным относительно катода полюсом. Если ток Iу…

Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.

Разработка полностью заказных ИС обычно занимает больше времени, зато такие… нередко приходится задавать себе вопрос: «Какие компоненты — стандартные, заказные или полузаказные, — следует выбрать…

ВОПРОСЫ СПИЭ JS_Edition

Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.

Принцип работы: Выпрямительный переход создаётся слоем металла (обычно золота, платины, алюминия или палладия), нанесённого на поверхность… Ток в полупроводниковом материале представляет собой поток электронов.… Технология изготовления диодов Шотки заключается в нанесении на пластину низкоомного кремния эпитаксиальной пленки с…

Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1. Схема ОБ изображена на рисунке 2. Схема включения с общим коллектором показана на рисунке 3.

 

 

Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.

Рис. 1.28 Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа Основанием (подложкой) служит кремниевая пластинка с электропроводностью… Если к затвору приложено нулевое напряжение, то при подаче между стоком и истоком напряжения через канал потечет ток,…

Объясните принцип действия динистора.

Динистор - это тиристор, который имеет только два вывода, называющиеся анодом и катодом. Условное графическое обозначение динистора приведено на… Принцип действия динистора (рис. 2.6.2): при подаче на анод динистора… Если соединить динистор последовательно с резистором, как показано на рис. 2.6.3, и подать на эту схему постоянное…

Назовите параметры тиристоров.

Простейшим тиристором с двумя выводами является диодный тиристор (динистор). Триодный тиристор (тринистор) имеет дополнительно третий (управляющий)… Крайние области р1 и n2 называются анодом и катодом, соответственно, с одной… Источник Е внешнего питающего напряжения подключен к аноду положительным относительно катода полюсом. Если ток Iу…

Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.

Разработка полностью заказных ИС обычно занимает больше времени, зато такие… нередко приходится задавать себе вопрос: «Какие компоненты — стандартные, заказные или полузаказные, — следует выбрать…

Ависимость емкости конденсатора (МДП - процесс) от полярности подаваемого напряжения

(3.97) Используя выражения для заряда на затворе QM из (3.77) и для падения… (3.98)

Зависимость емкости конденсатора (МДП - процесс) от частоты.

=Квазистатический C-V метод В области низких частот, когда период измерительного сигнала существенно… Экспериментально низкочастотные кривые получают, обычно используя квазистатический C-V метод. Сущность этого метода…

Зависимость емкости конденсатора (биполярный тех.процесс) от напряжения.

а—на основе эмиттерного р—п -перехода транзистора; б—на основе коллекторного… Емкость p-n-перехода

Нарисуйте график зависимости мощности потребления от частоты для КМОП-схем.

Имеется несколько типовых рекомендаций, которых следует придерживаться для того, чтобы добиться работы КМОП-приборов в режиме с низким значением… Типовая процедура проектирования. 1. Обеспечьте в схеме как можно меньше точек с высокочастотными сигналами. КМОП-схемы не имеют тока покоя (иная…

Нарисуйте вертикальную структуру биполярного транзистора с диодом Шоттки.

  Биполярный транзистор в цифровых интегральных микросхемах обычно выполняет…  

Типы помех в интегральных схемах.

Классификация помех в устройствах ЭВМ.

Борьба с помехами приобретае все большую актуальность по многим причинам,вот

некоторые из них:

-рост доли задержек сигналов в линиях связи по сравнению с задержками

собственно логических элементов,обусловливаемых конечностью скорости

распространения сигналов в линиях связи и переходными поцессами в них,

- возрастающая зависимость быстродействия ЭВМ,правильности ее

функционирования от оптимальности выбора конструктивного исполнения линий

связи и принятия соответствующих схемотехнических мер,

-возрастание взаимного влияния между элементами и линиями связи из-за

увеличения плотности размещения элементов компонентов.

1.Линии связи.Линии связи(ЛС) заметно влияют на процессы передачи

информации.Влияние ЛС определяется ее типом.В зависимости от соотношения

длительности фронта передаваемого сигнала и времени распространения его по ЛС

последние подразделяют в случае анализа помех на электрически короткие и

электрически длинные линии.Линия связи считается электрически короткой линией,если ,где и -время спада и нарастания передаваемого сигнала

соответственно;l-длина линии связи;vp-скорость распространения сигнала в линии связи.

На практике принимают

,

где e-диэлектрическая постоянная среды;

С0=300000 км/с.

Линия связи считается электрически длинной линией,если

.

Уточним понятие помехи для вычислительного устройства:это внешнее или

внутреннее воздействие,приводящее к искажению дискретной информации во время

ее хранения,преобразования,обработки и передачи.

2. По характеру воздействия на дискретную информацию помехи в

устройствах ЭВМ,выполняемых на ИС,проявляются как задержки передачи

импульсов,искажения фронтов импульсов,искажения уровней передаваемых

потенциалов,уменьшение амплитуд передаваемых импульсов,постоянные смещения

уровней напряжения питания.

По источнику создания помех их целесообразно разделять на помехи

внешние,как правили,наводки,создаваемые внешними по отношению к

рассматриваемому устройству аппаратами, устройствами,условиями эксплуатации,и

помехи внутренние, обусловливаемые конкретным выполнением линий связи в

рассматриваемом устройстве.

4.По месту проявления помехи могут быть подразделены на помехи в

сигнальных линиях связи и в цепях питания.Видом проявления внутренних помех в

электрически коротких ЛС являются задержки сигналов из-за емкостного или

индуктивного характера линии связи,емкостные и индуктивные взаимные наводки

между сигнальными проводниками,а внутренних помех в электрически длинных

ЛС-задержки передачи сигналов, искажения формы передаваемых сигналов из-за

отражений, взаимные наводки между линиями связи,затухания сигналов.


Принцип построения кольцевого генератора.

Изобретение относится к полупроводниковому интегральному кольцевому генератору. Во многих интегральных схемах техники дальней связи необходимы генераторы,… Также и при применении термокомпрессионных контактных проводов в качестве определяющих частоту элементов генератора…

Принцип работы логического вентиля с тремя устойчивыми состояниями.

Рисунок 20 Инвертор с тремя выходными состояниями а Согласование ЛЭ ТТЛ с ЛЭ КМОП можно выполнить несколькими способами:

Рис. 1.6. Схема элемента И-НЕ с тремя устойчивыми состояниями

При использовании нескольких ЛЭ с тремя состояниями их выходы подключают

к одной нагрузке. Управление микросхем осуществляется так, что в любой момент

времени все микросхемы, кроме одной, находятся в высокоимпедансном состоянии.

Таким образом удаётся по одной шине передавать в разных направлениях

информацию от нескольких источников сигнала и сократить количество

информационных магистралей. Вход включения третьего состояния имеет метку EZ,

а выход, имеющий состояние высокого импеданса, обозначается через Z, либо ∇


Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора.

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два») [1].

 

Рис. 1. Обозначение биполярных транзисторов на схемах

 

P -область

P -область

P -область

N - область

P –область

Подложка р типа


Нарисуйте вертикальную структуру р - п - р транзистора и п-р-п транзисторов изготовленных в одном техпроцессе.

 

Можно в одной структуре получить несколько резисторов, т.е. подключая выводы к разным областям, получаем разные транзисторы, а техпроцесс у них один.


Влияние температуры на параметры биполярного транзистора.

Увеличение тепловых токов переходов с ростом температуры, подробно… Использование логарифмического масштаба по оси ординат позволило представить экспоненциальную зависимость токов от…

– Конец работы –

Используемые теги: Расчитать, минимальный, Коэффициент, усиления, выходного, транзистора, простейш, ТТЛ, вентиля0.134

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ТТЛ вентиля

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Еще рефераты, курсовые, дипломные работы на эту тему:

Б рыночная власть, показатели измерения монопольной власти: коэффициент Лернера, коэффициент концентрации CR и индекс Герфиндаля–Гиршмана HHI
Провалы рынка как основания деятельности государства... а внешние эффекты... б рыночная власть показатели измерения монопольной власти коэффициент Лернера коэффициент концентрации CR и...

Лекция 5. Полевые транзисторы Общие сведения о полевых транзисторах
Общие сведения о полевых транзисторах... Идею создания полевых транзисторов иначе называемых униполярными или... Полевой транзистор ПТ полупроводниковый прибор в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного...

Коэффициентом, равным. А/Ах Для получения истинного значения следует измеренное значение умножить на поправочный коэффициент
ПОГРЕШНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ... Любое измерение выполняется с некоторой погрешностью ошибкой которая... По способу числового выражения различают абсолютные погрешности А выраженные в единицах измеряемой величины и...

Определить коэффициенты rik при неизвестных из канонических уравнений
На сайте allrefs.net читайте: 5 Определить коэффициенты rik при неизвестных из канонических уравнений;...

Определяем коэффициент
На сайте allrefs.net читайте: Определяем коэффициент :...

2. Найти коэффициенты приведения длины и расчетные длины сжатых стержней.
На сайте allrefs.net читайте: 2. Найти коэффициенты приведения длины и расчетные длины сжатых стержней....

Коэффициент достижимости
На сайте allrefs.net читайте: Коэффициент достижимости...

Статический способ определения коэффициентов и свободных членов системы уравнений в методе перемещений.
На сайте allrefs.net читайте: Статический способ определения коэффициентов и свободных членов системы уравнений в методе перемещений....

6. Составить баланс мощностей. Определить коэффициент мощности.
На сайте allrefs.net читайте: 6. Составить баланс мощностей. Определить коэффициент мощности....

Оконечные и промежуточные усилительные каскады на биполярном транзисторе
На сайте allrefs.net читайте: Оконечные и промежуточные усилительные каскады на биполярном транзисторе.

0.042
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • По категориям
  • По работам