Традиционная память с асинхронным интерфейсом. В традиционной памяти сигналы RAS и CAS , обслуживающие запоминающие ячейки, вводятся непосредственно по соответствующим линиям интерфейса.
Вся последовательность процессов в памяти привязывается именно к этим внешним сигналам.
Данных при чтении будут готовы через время TCAC после сигнала RAS , но не раньше, чем через TRAC после сигнала RAS . На основе стандартных ячеек строится память с быстрым страничным доступом - FPM Fast Page Mode DRAM. Здесь для доступа к ячейкам, расположенным в разных колонках одной строки, используется всего один импульс RAS , во время которого выполняется серия обращений с помощью только импульсов CAS . Нетрудно догадаться, что в пакетных циклах доступа получается выигрыш во времени пакеты укладываются в страницы естественным образом. Так, память FPM со временем доступа 60-70 нс при частоте шины 66 МГц может обеспечить цикл чтения 5-3-3-3. Следующим шагом стала память EDO Extended Data Out, расширенный вывод данных DRAM. Здесь в микросхемы памяти ввели регистры-защелки, и считываемые данные присутствуют на выходе даже после подъема CAS . Благодаря этому можно сократить время действия CAS и не дожидаясь, пока внешняя схема примет данные, приступить к предзаряду линии CAS . Таким образом можно ускорить передачу данных внутри пакета и на тех же ячейках памяти получить цикл 5-2-2-2 60 нс, 66 МГц. Эффект полученного ускорения компьютера, полученного довольно простым способом, был эквивалентен введению вторичного кэша, что и послужило поводом для мифа о том, что в EDO встроен кэш. Страничный цикл для памяти EDO называют и гиперстраничным, так что второе название у этой памяти - HPM Hyper Page Mode DRAM. Регистр-защелка ввел в микросхему памяти элемент конвейера - импульс CAS передает данные на эту ступень, а пока внешняя схема считывает их, линия CAS готовится к следующему импульсу.
Память BEDO Burst EDO, пакетная EDO DRAM ориентирована на пакетную передачу.
Здесь полный адрес со стробами RAS и CAS подается только в начале пакетного цикла последующие импульсы CAS адрес не стробируют, а только выводят данные - память уже знает, какие следующие адреса потребуются в пакете.
Результат - при тех же условиях цикл 5-1-1-1. Память EDO появилась во времена Pentium и стала применяться также в системах на 486. Она вытеснила память FPM и даже стала ее дешевле.
Память BEDO широкого распространения не получила, поскольку ей уже наступала на пятки синхронная динамическая память.
Вышеперечисленные типы памяти являются асинхронными по отношению к тактированию системной шины компьютера. Это означает, что все процессы инициируются только импульсами RAS и CAS , а завершаются через какой-то определенный для данных микросхем интервал.
На время этих процессоров шина памяти оказывается занятой, причем, в основном, ожиданием данных.