Классификация радиационных эффектов.
Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается выделением энергии частицей ИИ. Дальнейшая релаксация полученной энергии и распределение её по объёму вещества происходят в форме различных радиационных эффектов.
Принято выделять два вида основных эффектов: смещения (обусловленные смещением атомов из своего нормального положения) и ионизации (связаны с образованием свободных носителей заряда под действием ИИ). Реакция интегральных микросхем (ИМС) на ионизирующее излучение обусловлена, в первую очередь, зависимостью параметров её элементов от эффектов смещения и ионизации.
В свою очередь, конкретный вид энерговыделения (однородное, равновесное и т.п.) может приво¬дить к появлению различных эффектов в микросхеме, особенно¬сти проявления которых определяются специфическими для нее технологическими и схемотехническими решениями. По причине возникновения эти эффекты можно подразделить на первичные - обусловленные непосредственно энергией излучения, поглощен¬ной в ИМС (дефекты смещения, модуляция проводимости и т.п.), и вторичные - обязанные своим происхождением инициирован¬ному излучением перераспределению энергии внутренних и сто¬ронних источников (радиационное защелкивание, вторичный фо¬тотек, пробой и т.п.). С точки зрения функционирования ИМС в аппаратуре в зависимости от соотношения между длительностью воздействия излучения Ти и временем релаксации вызванного им возбуждения в системе Трел разли¬чают остаточные (долговременные Трел>>Ти) и переходные (кратковременные Ти>Трел) изменения параметров приборов.  Одним из основных параметров, характеризующих переход¬ные ионизационные эффекты в элементах ИМС при равновесном энерговыделении, является величина ионизационного тока р-n-переходов, который можно представить в виде двух составляю¬щих: 1)мгновенная составляющая, связанная с дрейфом избыточных носителей из обедненной области перехода; 2)запаздывающая составляющая, связанная с диффузией и дрейфом неравновесных носителей заряда из областей, прилегающих к обедненной области р-n-перехода.
Соотношение амплитуд запаздывающей и мгновенной со¬ставляющих определяется параметрами р-n -перехода.  Долговременные изменения параметров транзисторов обу¬словлены эффектами смещения и ионизации. Эффекты смеще¬ния, связанные с изменением кристаллической структуры полу¬проводника вследствие перемещения атомов из своего положе¬ния, вызывают изменение электрофизических свойств полупро¬водника: времени жизни, подвижности носителей заряда и их концентрации.
Соответственно изменяются и параметры транзи¬сторов, определяемые указанными величинами.
Эффекты ионизации, связанные с накоплением заряда в ди¬электрических слоях и изменением плотности поверхностных состояний при ионизации полупроводника, также приводят к де¬градации параметров транзисторов.
Действие облучения на транзисторы удобно установить на основании его физических параметров, характеризующих про¬цессы в транзисторной структуре.