Воздействие радиационного излучения на операционные усилители

“Воздействие ионизирующего излучения на ИОУ. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости ИОУ при воздействии импульсного ионизирующего излучения ” 2006 СОДЕРЖАНИЕ 1.Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. 1. Классификация радиационных эффектов. 2. Действие облучения на биполярные транзисторы 3. Действие облучения на униполярные транзисторы 1.4. Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС 2. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах 1. Усилительные каскады. 2. Дифференциальные каскады. 1. Моделирование эффектов в дифф-каскадах. 2. Влияние ИИ на шумовые характеристики. 3. Радиационные эффекты в ИОУ 1. Воздействие ИИ на параметры ИОУ. 2. Критериальные параметры. 3. Проектирование радиационно-стойких ИОУ. 4. Прогнозирование эффектов воздействия ИИИ на ИОУ. 5. Имитационные испытания. 6. Уменьшение ВПР электронной аппаратуры. 5. Список использованной литературы. 15 Основные радиационные эффекты в элементах аналоговых интегральных микросхем.

Классификация радиационных эффектов

С точки зрения функционирования ИМС в аппаратуре в зависимости от соот...  Одним из основных параметров, характеризующих переход¬ные... Реакция интегральных микросхем (ИМС) на ионизирующее излучение обуслов...  Долговременные изменения параметров транзисторов обу¬слов... Эффекты смеще¬ния, связанные с изменением кристаллической структуры по...

Действие облучения на биполярные транзисторы

Действие облучения на биполярные транзисторы. Физические параметры биполярного транзистора можно разбить на четыре г... Ионизирующие излучения влияют на все физические параметры транзи¬стора...

Действие облучения на униполярные транзисторы

В отличие от биполярных транзисторов в униполярных тран¬зисторах ток в... Действие облучения на униполярные транзисторы. Влияние ионизирующего и... Претерпевают изменение также дифференциаль¬ные параметры: сопротивлени... Вместе с тем приповерхностный характер происходящих в МДП-транзисторах...

Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС

Уменьшение размеров структур в условиях радиационного воздействия такж... Специфика проявления радиаци¬онных эффектов во многом определяется кон... Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особ...

Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах

Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах.

Усилительные каскады

Постоянные времени вх  СвхRг ; вsх... В каскаде ОИ отклонение тока стока ΔIк от своей номиналь¬ной ... Усилительные каскады. В качестве простейших усилитель¬ных каскадов при... Высокочастотные параметры каскада ОЭ при облучении улучшаются из-за ум... Отклонение тока коллектора ΔIк от своей номинальной величины,...

Дифференциальные каскады

В аналоговых ИМС с дифференциальным каскадом на входе в качестве пары ... При этом токи затворов определяются токами обратносмещенных p-n-перехо... Рис. В этих схемах фототоки источников стабилизированного тока I0 непосредс... В модели на рис.1,а действие фототоков, об¬разуемых потоком носителей ...

Влияние ИИ на шумовые характеристики

В каскадах на биполярных транзисторах в области средних и высших часто... В области низ¬ших частот преобаладают шумы со спектром 1/f, а также ни... к сдвигу их спектральной плотности в область более высоких частот. В д... При этот относитель¬ное увеличение шумового сопротивления практически ... Уровень собственных шумов каскада повышается из-за шумов фото¬токов, о...

Радиационные эффекты в ИОУ

Радиационные эффекты в ИОУ .

Воздействие ИИ на параметры ИОУ

Воздействие ИИ на параметры ИОУ. Радиационная стойкость аналоговых ИМС определяется не только влиянием ... Это объясняется тем, что в микрорежиме деградация параметров транзисто... Изоляция р-n-переходами является серьезным недостатком ИОУ, работаю¬щи... Воздействие ионизирующего излучения сказывается также на частотных и и...

Критериальные параметры

для оценки стойкости ОУ. Как правило, нормативная документация (НД) на ИОУ устанавливает отклон... очевидна невозможность прогнозирования радиационного поведения ОУ по р... наиболее чувствительный к воздействию того или иного типа ИИ, определя... Ниже приведена таблица параметров, реагирующих на воздействие ИИ для н...

Проектирование радиационно-стойких ИОУ

Наи¬лучшие результаты получаются при включении быстродействующего кана... При этом прихо¬дится использовать более высокочастотные мик¬росхемы, к... Необхо¬димо учитывать еще один недостаток коррекции интегрирующим конд... Этот способ коррекции ли¬шен тех недостатков, свойственных коррекции п... Выбор последовательной ОС или параллельной однозначно решается в польз...

Уменьшение ВПР электронной аппаратуры

Заметное сокращение времени восстановления работоспо¬собности и увелич... Уменьшение ВПР электронной аппаратуры. Эта проблема возникает при прое... . по всем характеристикам в условиях ионизирующих спецвоздействий более ... Поэтому и в данном случае коррекция инте¬грирующим конденсатором Скор ...

Список литературы. 1. Агаханян Т.М Аствацатурьян Е.Р Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах/Под ред. Т.М. Агаханяна.

М.: Энергопромиздат, 1989. 2. Агаханян Т.М. Проектирование радиационно-стойких электронных усилителей на ИОУ 3. Оболенский С.В. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов // Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP–973799 Semiconductors.// Нижний Новгород, 2003 4. Бойченко Д. В Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ.// Радиационная стойкость электронных систем.

Научно-технический сборник. 2000 / СПЭЛС 5. Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах.// Микроэлектроника, 2004, том33, №3. 6. Агаханян Т.М Никифоров А.Т. Прогнозирование эффектов воздействия импульсного ионизирующего излучения на операционные усилители.// Микроэлектроника, 2002, том 31, №31 7. Goddard Space Flight Center.

TOTAL DOSE CHARACTERIZATION TESTS// http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/pap ers/TIDPart.html 8. Агаханян Т.М. Синтез аналоговых устройств : Учебное пособие// М.: МИФИ, 1989.