Действие облучения на униполярные транзисторы.
Влияние ионизирующего излу¬чения на параметры униполярных транзисторов как с управляющим p-n-переходом, так и МДП - структур в основном проявля¬ется в виде изменений тока затвора I3, порогового напряжения Uзи.пор (для МДП - транзисторов с индуцированным каналом) или напряжения отсечки Uзи.отс (для транзисторов с управляющим р-п-переходом и со встроенным каналом) и крутизны характеристики транзистора Sст. Претерпевают изменение также дифференциаль¬ные параметры: сопротивление затвора rз, внутреннее сопротив¬ление транзистора ri. В отличие от биполярных транзисторов в униполярных тран¬зисторах ток в канале образуется потоком основных носителей, поэтому заметные изменения характеристик униполярных тран¬зисторов, обусловленные действием эффектов смещения, наблю¬даются при уровнях облучения, способных существенно повли¬ять на подвижность основных носителей и их концентрацию.
Для кремниевых ИМС при облучении нейтронами это происходит при флюенсах, превышающих 1015-1016 нейтр./см2. Вместе с тем приповерхностный характер происходящих в МДП-транзисторах процессов обусловливает их сильную чувствительность к иони¬зационным эффектам, действие которых, прежде всего, свя¬зано с накоплением положительного пространственного заряда в слое подзатворного диэлектрика, модулирующего проводимость канала МДП-транзистора.