АППРОКСИМАТОРЫ

 

Однополярный преобразователь. Преобразование входного сигнала в схеме (рис. 15.25, о) осуществляется за счет поочередно­го подключения резистивных делителей к входу ОУ. Дискретно меняется коэффициент усиления усилителя за счет открывания оче­редного диода. В первоначальном состоянии диоды закрыты. По­роговые уровни устанавливаются с помощью потенциометров R5 — R8. С превышением входным сигналом порога диод открывается и на вход ОУ поступает потенциал, определяемый резисторами Rl — R4. Все потенциалы на входе усилителя суммируются. Про­цесс суммирования входных токов проиллюстрирован графиками на рис. 15.25, б.

Двухполярный преобразователь. Схема (рис. 15.26) состоит из двух симметричных частей: верхняя часть осуществляет преобразо-вание положительного значения входного сигнала, нижняя часть — отрицательного значения. В зависимости от характера установки движков потенциометров R7 — R11 схема может преобразовывать входной сигнал по Любому закону. Частным случаем может быть квадратичное преобразование. В т. 1 — 4 устанавливаются порого­вые уровни, равные 1; 2; 3; 4 В. Точность установки может быть 10%. Сопротивления должны быть установлены потенциометрами R7 — R11 как можно точнее, поскольку это определяет правиль­ность преобразования входного сигнала. Чтобы устранить влияние порога открывания диода VD2, который должен проводить с нуле­вого входного сигнала, в цепь отрицательной обратной связи ОУ DA1 включен диод VD1. Кроме того, этот диод осуществляет ча­стичную термокомпенсацию всех остальных диодов. В схеме ис­пользуются диоды матриц КД908А или КД917А.

Диодный преобразователь. Передаточная функция преобразо­вателя (рис. 15.27, а) формируется нелинейной ООС. С увеличе­нием амплитуды выходного сигнала происходит поочередное включение диодов. С переходом диода в проводящее состояние умень­шается общее сопротивление ООС. В зависимости от сопротивле­ния резистора R1 наклон передаточной характеристики можно ме­нять в широких пределах.

На схеме рис. 15.27, б нелинейное сопротивление ОС эквива­лентно одному диоду с растянутой вольт-амперной характеристи­кой. Характеристики обеих схем проиллюстрированы на графиках.