МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА. ИЕ1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро H2SO4H2O2, перикисьно-амиачная смесь.
Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2пар. 5. Фотолитография. Формирование области р-кармана. 1. Нанесение фоторезиста. Фоторезист ФП383. Установка ХБС. 2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ 576А. 3. Проявление фоторезиста. Проявитель едкий калий. 4. Дубление фоторезиста. Установки Лада. 5. Травление окисной пленки. Буферный травитель. 6. Контроль. 6. Ионное легирование. Бор 1. Карман. Установка Лада 7. Снятие фоторезиста. 1. Плазма. Установка 08 ПХО 100Т-2. Смесь Каро. 8. Химическая обработка. 9. Разгонка бора. Карман.
Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р-охраны. 11. Ионное легирование. Бор 2 . Сток- исток.
Установка Везувий-3М. 12. Снятие фоторезиста. Плазма и смесь Каро. 13. Химическая обработка. 14. Разгонка бора. Сток- исток.
Температура 1000ОС, О2пар. 15. Третья фотолитография. Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n-охраны. 16. Химическая обработка. 17. Загонка фосфора диффузионный метод. Температура 900ОС. Диффузант POCl18. Снятие фосфорселикатного стекла. HF H2O 19. Разгонка фосфора. Температура 1000ОС. О2пар. 4Я фотолитография. Вскрытие областей под затвор и контактные окна. 21. Окисление 2 подзатворный диэлектрик.
Температура 1000ОС. О2HCl. 22. Стабилизация фосфора. Температура 900ОС. Диффузант POCl23. Подлегирование. 24. Отжиг подзатворного диэлектрика. 5Я фотолитография. Вскрытие контактных окон. 26. Химическая обработка. 27. Напыление AlSi. Установка Магна 2М. 6Я фотолитография. Формирование алюминиевой разводки. 29. Вжигание алюминия. Температура 475ОС в азоте. 30. Нанесение защитного окисла. Температура 400ОС. SiH4O2. Установка Аксин. 7Я фотолитография. Вскрытие контактных площадок. 8Я фотолитография. Защита пластин фоторезистом. 33. Контроль ВАХ пробивное напряжение, пороговое напряжение, прямое напряжение и др 34. Контроль электрических параметров. 35. Контроль внешнего вида.