Добротность и тангенс угла потерь

Для оценки близости комплексных сопротивлений к «чистым» реактивностям (чистой индуктивности или чистой емкости) исполь­зуют понятия добротность Q и тангенс угла потерь tg δ. Чем больше численное значение добротности Q (или чем меньше tg δ), тем ближе комплексное сопротивление к идеальной реактивности. Например, для эквивалентной схемы комплексного сопротивления индуктив­ного характера (см. рис. 2.14, а), чем больше значение добротности Q (или, чем меньше значение tg δ), тем ближе комплек­сное сопротивление к идеальной индуктивности.

Для последовательных эквивалентных схем (как, например, на рис. 2.14, а и б) добротность Q определяется отношением реактив­ной X составляющей комплексного сопротивления к его активной R составляющей Q = Х/R. При этом тангенс угла потерь есть обрат­ная величина tg δ = 1/Q = R/Х.

Напомним, что реактивное сопротивление индуктивности Х_L = jwL а для емкости Х_C = 1 / jwC.

Для параллельных эквивалентных схем (как, например, на рис. 2.14, в) добротность Q определяется отношением активной составляющей комплексного сопротивления к его реактивной со­ставляющей Q = R/Х. При этом тангенс угла потерь также есть обратная величина tg δ = 1/Q = Х/R.

Отметим, что значения добротности Q и тангенса угла потерь не являются постоянными параметрами комплексного сопро­тивления, а зависят от частоты ω напряжения (или тока).