рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Логические элементы. Серии цифровых интегральных схем

Логические элементы. Серии цифровых интегральных схем - раздел Приборостроение, ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ   К Цифровым Интегральным Микросхемам О...

 

К цифровым интегральным микросхемам относятся устройства, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, выраженные в двоичном или другом цифровом коде. Используемые при этом сигналы близки по форме к прямоугольным импульсами имеют два фиксированных уровня напряжения. Если уровню низкого напряжения приписывается символ “0”, а уровню высокого напряжения - “1”, то говорят о положительной логике. В противном случае логика отрицательная.

Основой цифровых микросхем является логический элемент, предназначенный для преобразования входных сигналов в выходные по определенному закону, причем те и другие принимают только значение “0” и “1”. Обозначим входные сигналы “X”, а выходные -“Y”, получим логическую функцию Y=F(X). Логическая функция записывается в виде математических символов или таблиц.

Основными логическими функциями являются: Y= – отрицание, инверсия или “НЕ” (табл.3.4.1); логическая сумма, дизъюнкция или функция “ИЛИ” (табл.3.4.2). Y = X1 + X2 = X1 Ú X2; логическое произведение, конъюнкция или функция “И” (табл.3.3) Y = X1 * X2 = X1 ^ X2 Используя законы алгебры логики, на основе этих элементарных логических функций можно получить более сложные логические функции.

На рис.3.19. приведены обозначения логических элементов, выполняющие соответствующие логические функции НЕ, ИЛИ, И.

Логические элементы конструируются на основе ключевых схем, которые могут иметь различные конструкторско–технологическое исполнение. Совокупность цифровых микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение, выполняющих различные логические функции и предназначенные для совместного исполнения, называется серией интегральных схем.

Табл. 3.2
X1 X2 Y
Табл. 3.3
X1 X2 Y
Табл. 3.1
X Y

 

 

ИЛИ И НЕ а б в
Рис.3.19. Условные обозначения основных логических элементов

 

По типу принципиальной электрической схемы базового элемента в серии все логические элементы разделяются на элементы ДТЛ – типа (диодно – транзисторная логика), ТТЛ - типа (транзисторно – транзисторная логика), ЭСЛ – типа (эмиттерно – связанная логика), И2Л –типа(интегральная инжекционная логика), МОП и КМОП – типа (логика на полевых транзисторах).

К основным параметрам цифровых микросхем относятся быстродействие и потребляемаямощность. Быстродействие оценивают по времени задержки распространения сигнала tзд, т.е. по интервалу времени от подачи входного импульса до появления выходного; потребляемую мощность Pпот- по среднему значению мощности, потребляемой в состоянии “0” и “1”. Важным параметром также является коэффициент разветвления по выходу Кр, равный числу нагрузок, которые можно одновременно подключить к выходу. Он определяет нагрузочную способность логического элемента.

Примером базового элемента ДТЛ – логикиявляется схема рис.3.20, выполняющая функцию логического элемента И. Логика положительная, при сигнале “0” на всех входах все диоды открыты, в них и в резисторе R появляются токи, создаваемые источником E1 и замыкающиеся через источники сигналов, подключенные ко всем входам. Поскольку сопротивление резистора R значительно больше прямого сопротивления диодов, напряжение на нем приблизительно равно E, а напряжение на входе оказывается близким к нулю.

Если напряжение на одном из входов соответствует логической “1” (Е >Е1), то соответствующий диод закрывается, однако остальные диоды открыты и на выходе по прежнему остается сигнал “0”. Сигнал “1” появится на выходе только тогда, когда на все входы будет воздействовать сигнал “1”, все диоды окажутся закрытыми, ток через резистор будет равен нулю и Uвых = E1.

Чтобы получить логический элемент И – НЕ, к элементу по схеме рис.3.20. добавляют инвертор на транзисторе (рис.3.21). Операция И осуществляется диодной частью схемы (Д1 – Д4, R1), а транзисторный каскад с общем эмиттером служит инвертором и преобразует величину напряжения логического уровня, принцип работы которого приведен на рис.3.10.

 

а б
Рис. 3.20. Схема логического элемента И - а и кодирование его сигналов - б

 

Рис. 3.21. Схема ДТЛ-элемента И-НЕ с простым инвертором

 

На основе схемы рис.3.21 построена, например, 156, 173 серии микросхем.

ДТЛ – логика обладает низким быстродействием и значительной потребляемой мощностью. Потому она большей степени используется в устройствах управления и автоматики.

Более высоким быстродействием по сравнению с ДТЛ логикой обладает ТТЛ – логика.

Рис. 3.22. Схема ТТЛ-элемента И-НЕ с простым инвертором

 

На рис.3.22 приведена схема самого распространенного элемента логики ТТЛ – базового элемента серии К155.Логический элемент этой серии имеет быстродействие tзд = 9 нс и Р =10 мВт.

Операция И реализуется здесь многоэмиттерным транзистором Т1, а транзистор Т2 служит в качестве инвертора. Многоэмиттерные транзисторы легко реализуются в интегральной технологии и служат основой ТТЛ-элементов. Если на всех входах (эмиттерах транзистора Т1) действует сигнал “1” (высокий потенциал), то все переходы эмиттер–база транзистора Т1 закрыты. Потенциал базы транзистора Т2 близок к нулю, а переход коллектор – база транзистора Т1 отрыт приложенным в прямом направлении напряжением источника +Е. Ток коллекторного перехода транзистора Т1 проходит через переход эмиттер – база транзистора Т2 переводя его в режим насыщения, а на выходе появляется сигнал “0” (низкий потенциал). Если на одном из входов появится сигнал “0”, то соответствующий переход эмиттер – база транзистора Т1 откроется и его базовый ток перебросится из коллекторной цепи в эмиттерную. В результате транзистор Т2 закроется и на выходе появится высокий потенциал (“1”). Таким образом, сигнал “0” может быть на выходе только при сигналах “1” на всех входах, что соответствует операции И – НЕ. Перспективной разновидностью логики ТТЛ являются микросхемы ТТЛШ,имеющие во внутренней структуре р-n переходы с барьером Шотки (р-n – переходы, внутри или рядом с которыми находится очень тонкий слой металла). Их применение на порядок улучшило соотношение быстродействия / потребляемая мощность. Хорошо известны серии логики ТТЛШ: К531 – высокоскоростная – tзд=3 нс, Pпот=19 мВт и К555 – высокоэкономичная – Pпот=2 мВт, tзд=9,5 нс , которое служит эффективной заменой для микросхем серии К155.

На рис.3.23 приведена схема такого элемента И – НЕ. Транзистор Т3 выполняет функции эмиттерного повторителя с нагрузкой в виде транзистора Т4 . При воздействии сигнала “1” на все входы транзистор Т2 насыщен, как показано ранее. Следовательно, транзистор Т4 также насыщен из-за высокого потенциала на его входе (точка а), создаваемого эмиттерным током транзистора Т2 на резисторе R3. Благодаря низкому потенциалу коллектора транзистора Т2 (точка б) транзистор Т3 закрыт. При воздействии сигнала “0” хотя бы на один из входов транзистор Т2 закрывается, а транзистор Т3 открывается из-за повышения потенциала точки б и работает как эмиттерный повторитель. Диод Д (Шотки) служит для обеспечения режима смещения транзистора Т3 , т.е. для того, чтобы этот транзистор был закрыт при насыщенном транзисторе Т2. Прямое напряжение на диоде Д составляет около 0,5 В и служит для запирания транзистора Т3. Это напряжение создается даже при очень малых (порядка микроампер) токах закрытого транзистора Т3 .

Рис. 3.23. Схема ТТЛ-элемента И-НЕ со сложным инвертором

 

ТТЛ и ТТЛШ элементы относятся к положительной логике с логическими уровнями : “1” ≈ 2,4 В и выше, “0” ≈ 0…0,4 В. Тактико – технические данные этих серий микросхем приведены в таблицах 3.4.4 и 3.4.5.

Принципиальная схема логического элемента типа ЭСЛ,серия К500 показана на рис.3.24. Особенность ЭСЛ в том, что схема логического элемента строится на основе интегральных дифференциальных усилителей, транзисторы Т1, Т2, Т3 которые могут переключать ток и при этом никогда не попадают в режим насыщения из-за наличия в коллекторных и эмиттерных цепях резисторов R16, ограничивающих этот ток, этим устраняется этап рассасывания избыточных зарядов, поэтому элементы типа ЭСЛ – самые быстродействующие: в настоящее время их быстродействие достигло субнаносекундного диапазона.

Важным достоинством элементов типа ЭСЛ является наличие инверсных выходов, позволяющих реализовать как логическую функцию, так и ее отрицание. Свое функциональное назначение согласно таблице 3.2 элемент рис.3.24 реализует следующим образом.

Рис. 3.24. Схема ЭСЛ-элемента ИЛИ/ИЛИ-НЕ

 

Если на один из входов или оба входа подать напряжение такого значения, что потенциал Uбэ транзисторов Т1 или Т2 станет больше порогового значения, то соответствующий или оба транзистора вместе откроются. Ток, протекающий через них, создаст падение напряжения на резисторе R6. напряжение Uбэ транзистора Т3 падает и напряжение на коллекторе Т3 повышается. Если напряжение на обоих входах низкое и не достигает порогового значения транзисторы Т1 и Т2 закрыты, а транзистор Т3 открыт высоким напряжением на его переходе Uбэ, электрический потенциал коллектора Т3 падает. Инверсный выход с коллекторов транзисторов Т1 и Т2 реализует функцию ИЛИ–НЕ.

ЭСЛ – относятся к положительной логике с логическими уровнями: “1” ≈ - 1,0 В, “0” ≈ - 1,65 В. Примерами микросхем на ЭСЛ – логике могут служить серии: К100, К500, К1500, технические параметры которых приведены в таблицах 3.4 и 3.5 .

Существенными преимуществами логических элементов на полевых МОП (МДП) - транзисторах перед логическими элементами на биполярных транзисторах являются: малая мощность, потребляемая входной цепью, в результате чего соответственно возрастает коэффициент разветвления по выходу Кр>>10-20; простата технологического процесса изготовления, сравнительно низкая стоимость, малая потребляемая мощность, большая степень интеграции элементов в кристалле микросхемах.

Однако по быстродействию даже лучшие логические элементы на МОП транзисторах уступают схемам на биполярных транзисторах. Это обусловлено тем, что у них имеются сравнительно большие входные емкости, на перезарядку которых затрачивается определенное время. Кроме того, выходное сопротивление у открытого МОП-транзистора обычно больше, чем у биполярного, что увеличивает время зарядки конденсаторов нагрузки и ограничивает нагрузочную способность.

а б
Рис.3.25. Схема логического элемента НЕ на однотипных МОП-транзисторах - а; схема логического элемента НЕ на комплементарных МОП-транзисторах - б

 

На рис.3.25, а приведена схема элемента НЕ172 серии микросхем МОП- логики. Логика отрицательная с логическими уровнями; “1”≈–7,5В,“0”≈-2,3В.

Транзистор Ту в схеме является управляющим, а транзистор Тн – нагрузочным. Транзисторы выполнены с индукцированным каналом р-типа. Если на входе элемента малая напряжение между затвором и истоком Uзи, соответствующие логическому уровню “0”, транзистор Ту закрыт, Тн – открыт, и на входе появляется низкое напряжение близкое –Ес и соответствующие логическому уровню “1”. При появлении на вход Ту значительного напряжению Uзи, соответствующего логическому уровню “1”, транзистор Ту открывается и на входе элемента появляется высокий электрический потенциал соответствующий логическому уровню “0”.

Наиболее перспективны серии, выполненные на комплементарных МОП- транзисторах(КМОП – логика) (К176, К561, К564, К765 и др.)

Комплементарными (взаимно дополняющими) называют пару МОП транзисторов со сходными значениями параметров, но с полупроводниковыми структурами взаимно отображенными как бы в виде негатива и позитива. Так на рис.3.25,б транзистор Ту выполнен с индукцированным каналом р - типа , а транзистор Тн - n - типа. Потребляемая мощность сокращается до минимума, так как обеспечивается управление транзистора Ту, Тн, при которым открытому состоянию одного транзистора соответствует закрытое состояние другого. Логика принципа работы этого элемента не отличается от элемента И рис.3.25,а. Отличие заключается в том, что нагрузочный транзистор Тн работает по принципу “закрыт - открыт”, что обеспечивает минимальное потребление элемента.

Схема элементов ИЛИ - НЕ, И - НЕ в КМОП – логиках получают путем последовательного соединения группы транзисторов одного типа и параллельного соединения группы транзисторов другого типа, представляющие собой элементы И рис.3.25,б. Для примера на рис.3.26 а и б приведены схемы логических элементов ИЛИ – НЕ (а) и И – НЕ (б).

а б
Рис. 3.26. Схемы логических элементов ИЛИ-НЕ - а и И-НЕ - б на дополняющих МОП транзисторах

 

Принцип анализа выполнения элементов своих логических функций не отличается от подхода к анализу выполнения своих функциональных назначений элементов ДТЛ, ТТЛ, ЭСЛ – логик.

Тактико-технические данные серии микросхем МОП и КМОП – логик приведены в таблицах 3.4 и 3.5.

Помимо рассмотренных существуют элементы других типов, например И2Л (интегрально-инженерная логика), КНС (кремний на сапфире), арсенид галлия и др., и обладающие высоким быстродействием и малой мощностью потребления энергии.

В таблице 3.4 и 3.5 для сравнения приведены основные параметры соответственно логических элементов различных типов и серий микросхем. Приведены параметры: напряжения питания En, мощность потребления одним элементом –Рпот, время задержки распространения -tзд, коэффициент разветвления по выходу – Kp, fмакс – максимальная частота переключений. Общие сведения о микросхеме указываются в её условном обозначении, нанесённом на корпусе. Оно включает в себя номер серии микросхемы (обычно три или четыре цифры), перед которым может быть одна или две буквы. У микросхем широкого применения первой ставят букву К, вторая буква характеризует материал корпуса для защиты от воздействия внешней среды (Р—пластмассовый, М или С — металло- или стеклокерамический соответственно). За номером серии следуют две буквы, поясняющие функциональное назначение. Для всех логических элементов первой из них следует буква Л, вторая буква определяет тип логического элемента (И— элемент И, Л—ИЛИ, Н—НЕ, Д—расширитель по ИЛИ, А—элемент И – НЕ, Е—элемент ИЛИ – НЕ, Р—комбинированный элемент И – ИЛИ – НЕ). Цифра в конце условного обозначения соответствует порядковому номеру

Таблица 3.4

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ

  Тип Элемента     En, В   Pпот, мВт   Tзд, нс   Kp
  ДТЛ ТТЛ n-МОП p-МОП КМОП   ЭСЛ И2Л     +5; -12 5—15   -5.2   0.5 0.5 0.3—3 мкВт/кГц* 8—40 0.001—0.1   90—30   1000—10      

* Мощность пропорциональна частоте переключений (при частоте 1 кГц мощность равна 0.3—3 мкВт).

 

Таблица 3.5

НЕКОТОРЫЕ ПАРАМЕТРЫ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ МИКРОСХЕМ

Серия   Pпот, мВт Tзд, нс Fмакс, мГц Кр Схемотехника
  До 35   10—30     ТТЛ
2.7 1.2 9.5 9.5     20—150       ТТЛШ
0.002 0.002 0.0025 0.0025 3.5   8—20     КМОП
8—25 2.9 1.5   10—15   ЭСЛ

Наибольшее распространение получили логические ТТЛ-, ЭСЛ-, КМОП- элементы. Технологии n-МОП и И2Л используют только в БИС.

 

 

разработки в составе данной серии микросхем. Например: микросхема КР1533ЛА24 представляет собой ИС широкого применения (первая буква К), в пластмассовом корпусе (вторая буква Р), имеет номер серии 1533 (ТТЛШ – схемотехника), относится к группе логических элементов (буква Л), по функциональному назначению это элемент типа И-НЕ (вторая буква А) с порядковым номером разработки 24.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Логические элементы. Серии цифровых интегральных схем

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

В.В. Филинов, А. В. Филинова
    Электроника и основы измерений   Учебное пособие

УТВЕРЖДЕНО
Ученым советом МГУПИ в качестве учебного пособия предоставлено кафедрой электротехника и электроника ИС-7 МГУПИ, Зав.кафедрой д.т.н., проф. Шат

Полупроводниковые материалы
  Работа полупроводниковых приборов основана на использовании электрических свойств материалов, называемых полупроводниками. По электропроводности полупроводники занимают про

P-n-переход и его свойства
  В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. В первом случае p-n-переход называется симметричным, во второ

Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодомназывается прибор, который имеет два вывода (приставка "ди-" означает два) и содержит один p-n-переходов. Все полупроводниковые диоды можно раздел

Биполярные транзисторы
Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор, имеющий два взаимодействующих между собой р-n-перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов может быть разл

Полевые транзисторы
Полевым транзисторомназывают полупроводниковый электропреобразовательный прибор, ток которого управляется электрическим полем и который предназначен для усиления электрической мощн

Тиристоры.
Тиристоры– это полупроводниковые приборы с тремя или более p-n-переходами, которые имеют два устойчивых состояния и применяются как мощные электродные ключи. Тиристоры име

Интегральные схемы.
Микроэлектроника –это направление электроники, позволяющее с помощью комплекса технологических, конструктивных и схемотехнических средств создавать малогабаритные, высоконадежные и

Система обозначений полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Современные отечественные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы обозначают кодом, состоящим из букв русского алфавита и цифр. Первый элемент обозначения полупроводник

Параметры и характеристики усилителей
Основным параметром усилительного устройства является его коэффициент усиления. В соответствии с разделением усилителей на усилители напряжения, тока и мощности различают:

Принцип работы усилителя
Усилительные устройства предназначены для усиления переменных сигналов и, в частности, синусоидальных сигналов, подаваемых на вход усилителя. Наличие одного только усилительного элемента (

Усилители напряжения с общим эмиттером
(Усилительный каскад с коллекторной нагрузкой)

Эмиттерный повторитель
Малое Rвх и высокое Rвых сопротивления является недостатком УОЭ, не позволяющим к его входу подключать высокоомных источник входного сигнала и низкоомное нагрузочное устройств

Усилительный каскад на полевом транзисторе
Большое распространение получили усилительные каскады на полевых транзисторах, так как они обладают значительно большим входным сопротивлением по сравнению с усилительными каск

Истоковый повторитель
Усилительный каскад, аналогичный эмиттерному повторителю может быть построен на полевом транзисторе, называется каскад истоковым повторителем. Схема его приведена на рис.2.11.

Усилители мощности
Рассмотренные ранее усилительные каскады обеспечивают получение на выходе сигналов, мощность которых значительно выше мощности входных сигналов, однако, основным показателем работы этих каскадов яв

Многокаскадные усилители
  Рассмотренные выше однокаскадные усилители имеют, как правило, коэффициент усиления порядка нескольких десятков или сотен единиц. Однако, в реальных устройствах промышленной электро

Усилитель постоянного тока
  Для многих практических задач необходимо усиливать медленно изменяющиеся во времени электрические сигналы, являющиеся сигналами низкой частоты (в автоматике, системах управления и с

Обратные связи в усилителях
Конструирование различных электронных устройств на основе ОУ производится с использованием обратных связей. Обратной связью (ОС) называется передача части энергии выходного сигнала

Операционный усилитель
Операционный усилитель с отрицательной обратной связью наиболее часто применяется на практике (см. рис.2.21). Отрицательный характер ОС обусловлен подачей U1 на инвертирующий вход ОУ, та

Избирательный усилитель
  Рассмотренные выше схемы усилителей предназначены для усиления входных сигналов в широкой полосе частот.

Генераторы электрических сигналов
Генераторы гармонических сигналов предназначены для преобразования энергии источника питания в энергию электрического сигнала синусоидальной формы требуемой частоты и мощности. На

Источники питания электронных устройств
  Для работы различных электрических устройств необходимы источники электрической энергии (источники питания) постоянного напряжения. Преобразование переменного напря

Однополупериодный выпрямитель
Схема и временные диаграммынапряжений и токов однополупериодного выпрямителя приведены на рис.2.31. схема содержит Тр, в цепь вторичной обмотки которого включены последовательно, диод Д и сопротивл

Сглаживающие фильтры
Выпрямленное напряжение имеет пульсирующий характер и его нельзя непосредственно использовать для питания электронных устройств. Поэтому для уменьшения коэффициента пульсаций на входе выпрямителя п

Внешняя характеристика выпрямителя
  Внешней характеристикой выпрямителя называют зависимость напряжения на нагрузочном устройстве от тока в нем UН = ƒ(IН). Наличие такой зав

Стабилизаторы напряжения
Уменьшение напряжения нагрузки UН при изменении потребляемого тока IН (рис.2.35) или из-за изменения температуры является нежелательным явлением, т.к. снижают надежность работ

Амплитудой импульса А;
длительностью импульса tи обычно определяемой на уровне 0,1 А; длительностью фронта импульса tф – временем нарастания импульса от 0,

Электронные ключи и простейшие формирователи импульсов
  В состав многих импульсных устройств входят электронные ключи. Основу любого электронного ключа составляет активный элемент (полупроводниковый диод, транзистор, операционный

Импулсьный режим работы операционных усилителей
  Интегральные операционные усилители (ОУ) находят широкое применение в импульсной технике. Передаточная характеристика ОУ имеет вид рис.3.15, соответствующий передаточной характерист

Триггеры
  Одно из наиболее распространённых импульсных устройств, относящимся к базовым элементам цифровой техники, — триггер (от англ. trigger — спусковой крючок). Триггером

Счетчики импульсов
  Подсчёт числа импульсов является наиболее распространённоё операцией в устройствах цифровой обработки информации. Повышенный интерес к таким устройствам объясняется их высокой точно

Регистры, дешифраторы, мультиплексоры
Регистромназывают устройство, предназначенное для записи и хранения дискретного «слова» – двоичного числа или другой кодовой комбинации. Регистр – один из основных элемент

Преобразователи (ЦАП и АЦП)
  Поскольку информация на входах цифровых устройств обычно представляется в двоичном коде, а большинство исполнительных механизмов для автоматизированного управления технологическими

Основные сведения о микропроцессорах
  История развития современных средств вычислительной техники насчитывает около 50 лет, однако, за этот период уже сменилось четыре поколения ЭВМ, существенно отличающихся друг от дру

Характеристики измерительных приборов
Основными являются диапазон измерений, чувствительность, порог чувствительности, потребляемая мощность, погрешности. Диапазон измерений– область значений измеряемой величи

Системы электроизмерительных приборов
В приборах магнитоэлектрической системевращающий момент создается в результате взаимодействия постоянного магнита с проводником с током. Подвижной частью может быть рамка с током и

Условные обозначения на шкале приборов
При практическом применении приборов необходимо определить их пригодность к предстоящему измерению той или иной величины. Данные о приборе в виде условных обозначений указываются на их шкалах и при

Метод построения амперметров и вольтметров непосредственной оценки
  Магнитоэлектрический, электромагнитный, электродинамический измерительные механизмы можно применять для измерения тока (амперметр) и напряжения (вольтметр). При изменении т

Электронные приборы непосредственной оценки
Большое распространение, наряду с вышенаписанным, получили электронные приборы для измерения тока и напряжения. Рассмотрим основные принципы построения электронных вольтметров.  

Измерение мощности в цепях постоянного тока и активной мощности в цепях переменного тока
Измерение мощности в цепях постоянного токавозможно косвенным методом при помощи амперметра и вольтметра, так как

Методы построения приборов сравнения (компенсации)
  В большой группе измерительных приборов реализуется метод сравнения измеряемой вели­чины с ее мерой (мерой называется образец, представляю­щий собой техническое средство, служащее д

Измерение параметров электрических цепей
Основными параметрами элек­трических цепей являются: для цепи постоянного тока со­противление R, для цепи переменного тока активное сопро­тивление

Измерения электрических величин цифровыми приборами
Цифровыми измерительными приборами (ЦИП) называются приборы, автоматически вырабатывающие дискретные сигналы измерительной информации, т. е. показания которых представлены в цифро­

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги