рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы - раздел Приборостроение, Элементная база электроники Биполярным Транзистором Называется Полупроводниковый Прибор,...

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор, имеющий два взаимодействующих между собой р-n-перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной – сплавление, диффузия, эпитаксия, - что в значительной мере определяет характеристики прибора.

В зависимости от последовательности чередования областей с различным типом проводимости различают n-p-n-транзисторы и p-n-p-транзисторы. Упрощенное устройство плоскостного n-p-n-транзистора приведено приведено на рис. 1.10а, его условное обозначение – на рис. 1.10 б, а схема замещения – на рис. 1.10 в. Аналогичные представления для p-n-p-транзистора приведены на рис. 1.10 г, д, е.

Средняя часть рассматриваемых структур называется базой- Б, одна крайняя область - коллектором- К (накопитель электронов), а другая – эмиттером - Э (источник электронов). В несимметричных структурах электрод базы располагается ближе к эмиттеру, а ширина базы зависит от частотного диапазона транзистора и с повышением частоты уменьшается. Полярность напряжений, приложенных к электродам транзистора, показана на рис. 1.10 в,д.

 

 
 
Рис.1.10. Устройство n-p-n-транзистора-a, его схематическое изображение-б и схема завещания в. Устройство p-n-p- транзистора г, его схематическое изображение-д и схема замещения-е

 

В линейном режиме работы транзистора рис. 1.10 эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – обратном. В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, а в режиме отсечки – в обратном.

Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным переходом, а между коллектором и базой – коллекторным. На рис. 1.11 показаны структура транзистора, n-p-n-типа. Конструктивной особенностью биполярных транзисторов является то, что база выполнена слаболегированной, т.е. основных носителей зарядов в ней намного меньше чем в эмиттере и коллекторе.

Рассмотрим работу транзистора типа n-p-n. Между коллектором и базой приложено относительно высокое обратное напряжение UКБ (рис. 1.11). При отсутствии эмиттерного тока IЭ небольшой обратный ток IК0 через закрытый коллекторный переход обусловлен движением только неосновных носителей заряда (для транзистора типа n-p-n коллектор). Ток IК0 не зависит от тока эмиттера, но существенно зависит от температуры и с ее повышением возрастает. Обратный коллекторный ток обычно составляет 10÷100 мкА у германиевых и 0,1÷10 мкА у кремниевых транзисторов.

Рис. 1.11. Движение носителей заряда в транзисторе типа n-p-n

 

При подаче на переход база-эмиттер прямого напряжения UЭБ от источника питания возникает эмиттерный ток IЭ, основные носители заряда – электроны преодолевают переход и попадают в базу. База выполнена из обедненного носителями заряда p-полупроводника и для нее электроны являются неосновными носителями заряда. Попавшие в область базы электроны частично рекомбинируют с дырками базы. Но поскольку толщина базы небольшая и концентрация дырок в базе низкая, рекомбинируют лишь немногие электроны, образуя базовый ток IБ. Большинство же электронов, попав в ускоряющее электрическое поле вблизи коллекторного p-n-перехода, втягиваются в коллектор, свободно проходя через закрытый p-n-переход. Эта составляющая коллекторного тока мало зависит от напряжения на коллекторном p-n-переходе, т.е. при наличии электрического поля все электроны, за исключением рекомбинировавших, попадают в коллектор. Очевидно, что ток коллектора всегда меньше тока эмиттера на значение тока базы и практически равен току эмиттера.

Связь между приращениями эмиттерного и коллекторного токов характеризуется коэффициентом передачи тока

 

 

Для современных биполярных транзисторов α=0,9÷0,995. При Iэ≠0 коллекторный ток транзистора

 

Таким образом, входным (управляющим) током является эмиттерный ток, а выходным – коллекторный.

Транзисторы p-n-p работают аналогично, только полярности внешних источников меняются на противоположные.

В зависимости от того, какой электрод транзистора используется в качестве общего вывода для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК).

Рассмотренная на рис. 1.11 схема включения называется схемой с ОБ, на практике она используется редко. Наиболее распространенной является схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером (рис.1.12). Для такой схемы входной контур проходит через переход база-эмиттер и в нем возникает ток базы

 

Малое значение тока базы во входном контуре и обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером.

 

 
Рис. 1.12. Включение транзистора типа n-p-n по схеме с общим эмиттером

 

 
  Рис. 1.13. Входная- а и выходные- б вольт-амперные характеристики биполярного транзистора

Для анализа работы транзистора и для расчетов схем при больших сигналах часто используют вольт-амперную характеристику (ВАХ) транзистора. На рис. 1.13 показаны типовые ВАХ маломощного биполярного транзистора по схеме включения с ОЭ. Зависимость между током и напряжением во входной цепи транзистора IБ=f1(UБЭ) называют входной или базовой характеристикой транзистора (рис. 1.13,а). Зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при фиксированных значениях тока базы IК=f2(UКЭ)|Iб=const называют семейством выходных (коллекторных) ВАХ транзистора ( рис. 1.1.13,б). Входная характеристика практически не зависит от напряжения UКЭ, а выходные приблизительно равноудалены друг от друга и почти прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения UКЭ. Для аналитических расчетов устройств с биполярными транзисторами используют h-параметры транзисторов.

 

Параметры h могут быть легко определены по входной и выходным характеристикам транзистора с учетом приведенных выше зависимостей.

Параметр h11 имеет размерность сопротивления, он представляет собой входное сопротивлениебиполярного транзистора. Параметр h12 – безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Его значения лежат в пределах 0,002 – 0,0002 и в большинстве случаев им можно пренебречь, т.е. полагать равным нулю. Параметр h21коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по току) свойства транзистора при постоянном напряжении на коллекторе. Параметр h22 имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость транзистора при постоянном токе базы.

Характеристики транзистора сильно зависят от температуры. С повышением температуры резко возрастает начальный коллекторный ток IК0 вследствие значительного увеличения количества неосновных носителей заряда в коллекторе и базе. В то же время несколько увеличивается и коэффициент h21 из-за увеличения подвижности носителей заряда. h-параметры транзистора, особенно коэффициент передачи тока h21, зависят от частоты переменного напряжения, при котором производят измерения приращений токов и напряжений ΔIБ, ΔIК, ΔUБЭ, ΔUКЭ, так как на высоких частотах начинает сказываться конечное время, за которое носители заряда (в транзисторе типа n-p-n это электроны) проходят расстояние от эмиттера до коллектора транзистора.

Частоту, на которой коэффициент передачи тока h21 уменьшается до единицы, называют граничной частотой коэффициента передачи тока fГР. На практике часто используют частоту f0, на которой параметр h21 уменьшается в раза.

 

Рис. 1.14. Рабочая область выходных ВАХ биполярного транзистора

Для предотвращения перегрева коллекторного p-n-перехода необходимо, чтобы его мощность не превышала некоторого максимального значения:

PК=IК UКЭ≤PК макс.

Таким образом, ограничивающей кривой на коллекторных характеристиках является зависимость IК=PК макс/UКЭ.

В целях увеличения допустимой мощности коллектора PК макс в мощных транзисторах коллектор для улучшения теплоотвода соединяют с металлическим корпусом транзистора, а сам транзистор монтируют на специальном радиаторе.

Ограничение по допустимой мощности коллектора не является единственным. Если между коллектором и эмиттером приложено слишком высокое напряжение, то может произойти электрический пробой коллекторного p-n-перехода, поэтому необходимо, чтобы при работе транзистора коллекторное напряжение было меньше допустимого:

UКЭ≤UКЭ макс.

Существует аналогичное ограничение и по коллекторному току

IК≤IК макс,

которое обусловлено допустимым нагревом эмиттерного перехода.

Область, выделенная этими тремя ограничивающими линиями (рис. 1.14), является рабочей областью характеристик транзистора.

Из емкости p-n-переходов существенное значение имеет только емкость коллекторного перехода CКБ.

Входное сопротивление биполярных транзисторов составляет (10÷100) Ом, выходное (1÷10) кОм.

Диапазоны значений остальных параметров отечественных биполярных транзисторов приведены в табл. 1.2.

 

Таблица 1.2. Значение параметров биполярных транзисторов.

Тип транзистора UКЭмакс,В PКмакс,Вт IКмакс,А fГР,МГц CКБ,пФ h21
  Маломощный   Средней мощности   Большой мощности   10-80   12-500     20-1500   00,1-0,3   0,3-3,0     3,0-100   00,1-0,4   ≤10     ≤50   1,0-8000   1,0-100     0,2-10   1-10   5-100     10-1000   20-1000   20-600     20-200

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Элементная база электроники

Московский государственый университет приборостроения и информатики..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Биполярные транзисторы

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

В.В. Филинов, А. В. Филинова
    Электроника и основы измерений   Учебное пособие

УТВЕРЖДЕНО
Ученым советом МГУПИ в качестве учебного пособия предоставлено кафедрой электротехника и электроника ИС-7 МГУПИ, Зав.кафедрой д.т.н., проф. Шат

Полупроводниковые материалы
  Работа полупроводниковых приборов основана на использовании электрических свойств материалов, называемых полупроводниками. По электропроводности полупроводники занимают про

P-n-переход и его свойства
  В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. В первом случае p-n-переход называется симметричным, во второ

Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодомназывается прибор, который имеет два вывода (приставка "ди-" означает два) и содержит один p-n-переходов. Все полупроводниковые диоды можно раздел

Полевые транзисторы
Полевым транзисторомназывают полупроводниковый электропреобразовательный прибор, ток которого управляется электрическим полем и который предназначен для усиления электрической мощн

Тиристоры.
Тиристоры– это полупроводниковые приборы с тремя или более p-n-переходами, которые имеют два устойчивых состояния и применяются как мощные электродные ключи. Тиристоры име

Интегральные схемы.
Микроэлектроника –это направление электроники, позволяющее с помощью комплекса технологических, конструктивных и схемотехнических средств создавать малогабаритные, высоконадежные и

Система обозначений полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Современные отечественные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы обозначают кодом, состоящим из букв русского алфавита и цифр. Первый элемент обозначения полупроводник

Параметры и характеристики усилителей
Основным параметром усилительного устройства является его коэффициент усиления. В соответствии с разделением усилителей на усилители напряжения, тока и мощности различают:

Принцип работы усилителя
Усилительные устройства предназначены для усиления переменных сигналов и, в частности, синусоидальных сигналов, подаваемых на вход усилителя. Наличие одного только усилительного элемента (

Усилители напряжения с общим эмиттером
(Усилительный каскад с коллекторной нагрузкой)

Эмиттерный повторитель
Малое Rвх и высокое Rвых сопротивления является недостатком УОЭ, не позволяющим к его входу подключать высокоомных источник входного сигнала и низкоомное нагрузочное устройств

Усилительный каскад на полевом транзисторе
Большое распространение получили усилительные каскады на полевых транзисторах, так как они обладают значительно большим входным сопротивлением по сравнению с усилительными каск

Истоковый повторитель
Усилительный каскад, аналогичный эмиттерному повторителю может быть построен на полевом транзисторе, называется каскад истоковым повторителем. Схема его приведена на рис.2.11.

Усилители мощности
Рассмотренные ранее усилительные каскады обеспечивают получение на выходе сигналов, мощность которых значительно выше мощности входных сигналов, однако, основным показателем работы этих каскадов яв

Многокаскадные усилители
  Рассмотренные выше однокаскадные усилители имеют, как правило, коэффициент усиления порядка нескольких десятков или сотен единиц. Однако, в реальных устройствах промышленной электро

Усилитель постоянного тока
  Для многих практических задач необходимо усиливать медленно изменяющиеся во времени электрические сигналы, являющиеся сигналами низкой частоты (в автоматике, системах управления и с

Обратные связи в усилителях
Конструирование различных электронных устройств на основе ОУ производится с использованием обратных связей. Обратной связью (ОС) называется передача части энергии выходного сигнала

Операционный усилитель
Операционный усилитель с отрицательной обратной связью наиболее часто применяется на практике (см. рис.2.21). Отрицательный характер ОС обусловлен подачей U1 на инвертирующий вход ОУ, та

Избирательный усилитель
  Рассмотренные выше схемы усилителей предназначены для усиления входных сигналов в широкой полосе частот.

Генераторы электрических сигналов
Генераторы гармонических сигналов предназначены для преобразования энергии источника питания в энергию электрического сигнала синусоидальной формы требуемой частоты и мощности. На

Источники питания электронных устройств
  Для работы различных электрических устройств необходимы источники электрической энергии (источники питания) постоянного напряжения. Преобразование переменного напря

Однополупериодный выпрямитель
Схема и временные диаграммынапряжений и токов однополупериодного выпрямителя приведены на рис.2.31. схема содержит Тр, в цепь вторичной обмотки которого включены последовательно, диод Д и сопротивл

Сглаживающие фильтры
Выпрямленное напряжение имеет пульсирующий характер и его нельзя непосредственно использовать для питания электронных устройств. Поэтому для уменьшения коэффициента пульсаций на входе выпрямителя п

Внешняя характеристика выпрямителя
  Внешней характеристикой выпрямителя называют зависимость напряжения на нагрузочном устройстве от тока в нем UН = ƒ(IН). Наличие такой зав

Стабилизаторы напряжения
Уменьшение напряжения нагрузки UН при изменении потребляемого тока IН (рис.2.35) или из-за изменения температуры является нежелательным явлением, т.к. снижают надежность работ

Амплитудой импульса А;
длительностью импульса tи обычно определяемой на уровне 0,1 А; длительностью фронта импульса tф – временем нарастания импульса от 0,

Электронные ключи и простейшие формирователи импульсов
  В состав многих импульсных устройств входят электронные ключи. Основу любого электронного ключа составляет активный элемент (полупроводниковый диод, транзистор, операционный

Импулсьный режим работы операционных усилителей
  Интегральные операционные усилители (ОУ) находят широкое применение в импульсной технике. Передаточная характеристика ОУ имеет вид рис.3.15, соответствующий передаточной характерист

Логические элементы. Серии цифровых интегральных схем
  К цифровым интегральным микросхемам относятся устройства, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, выраженные в двоичном или другом цифровом

Триггеры
  Одно из наиболее распространённых импульсных устройств, относящимся к базовым элементам цифровой техники, — триггер (от англ. trigger — спусковой крючок). Триггером

Счетчики импульсов
  Подсчёт числа импульсов является наиболее распространённоё операцией в устройствах цифровой обработки информации. Повышенный интерес к таким устройствам объясняется их высокой точно

Регистры, дешифраторы, мультиплексоры
Регистромназывают устройство, предназначенное для записи и хранения дискретного «слова» – двоичного числа или другой кодовой комбинации. Регистр – один из основных элемент

Преобразователи (ЦАП и АЦП)
  Поскольку информация на входах цифровых устройств обычно представляется в двоичном коде, а большинство исполнительных механизмов для автоматизированного управления технологическими

Основные сведения о микропроцессорах
  История развития современных средств вычислительной техники насчитывает около 50 лет, однако, за этот период уже сменилось четыре поколения ЭВМ, существенно отличающихся друг от дру

Характеристики измерительных приборов
Основными являются диапазон измерений, чувствительность, порог чувствительности, потребляемая мощность, погрешности. Диапазон измерений– область значений измеряемой величи

Системы электроизмерительных приборов
В приборах магнитоэлектрической системевращающий момент создается в результате взаимодействия постоянного магнита с проводником с током. Подвижной частью может быть рамка с током и

Условные обозначения на шкале приборов
При практическом применении приборов необходимо определить их пригодность к предстоящему измерению той или иной величины. Данные о приборе в виде условных обозначений указываются на их шкалах и при

Метод построения амперметров и вольтметров непосредственной оценки
  Магнитоэлектрический, электромагнитный, электродинамический измерительные механизмы можно применять для измерения тока (амперметр) и напряжения (вольтметр). При изменении т

Электронные приборы непосредственной оценки
Большое распространение, наряду с вышенаписанным, получили электронные приборы для измерения тока и напряжения. Рассмотрим основные принципы построения электронных вольтметров.  

Измерение мощности в цепях постоянного тока и активной мощности в цепях переменного тока
Измерение мощности в цепях постоянного токавозможно косвенным методом при помощи амперметра и вольтметра, так как

Методы построения приборов сравнения (компенсации)
  В большой группе измерительных приборов реализуется метод сравнения измеряемой вели­чины с ее мерой (мерой называется образец, представляю­щий собой техническое средство, служащее д

Измерение параметров электрических цепей
Основными параметрами элек­трических цепей являются: для цепи постоянного тока со­противление R, для цепи переменного тока активное сопро­тивление

Измерения электрических величин цифровыми приборами
Цифровыми измерительными приборами (ЦИП) называются приборы, автоматически вырабатывающие дискретные сигналы измерительной информации, т. е. показания которых представлены в цифро­

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги