рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Образование
/
Программа работы

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Программа работы

Программа работы - раздел Образование, Приведены краткие теоретические сведения по разделу 1. Прочитать Методические Указания По Подготовке И Проведению...

1. Прочитать методические указания по подготовке и проведению лабораторной работы.

2. Получить у преподавателя вариант задания исходных данных к работе.

3. При ознакомлении с рабочим местом проверить наличие необходимых приборов и соединительных проводников (в случае отсутствия какого-либо комплектующего элемента типового комплекта необходимо немедленно сообщить об этом преподавателю или техническому персоналу);

4. Перед сборкой цепи проверить, чтобы все приборы на рабочем столе были выключены;

5. Согласно рис. 11.4 выполнить электрические соединения модулей для изучения характеристик фотодиода. Монтаж схемы производить при отключенном питании. Монтаж схемы производить на модуле «Барьерный эффект. Фотопроводимость».

РА1 – мультиметр в режиме измерения постоянного тока до 20 мА.

R_ДТ = 2 кОм.

Установить напряжения питания светодиода в минимальное положение, повернув ручку регулирования напряжения соответствующего канала модуля питания против часовой стрелки до упора.

В качестве источника треугольного импульсного сигнала использовать модуль «Функциональный генератор».

Рис. 11.4. Схема электрическая соединений типового комплекта для снятия семейства ВАХ фотодиода

6. После проверки правильности соединений схемы преподавателем или лабо-рантом, подать напряжение питания на комплект включением автоматического выключателя и УЗО «Модуля питания».

Включить мультиметр. Включить модуль «Функциональный генератор» тумблером «Питание». Установить треугольную форму сигнала, максимальную амплитуду (удерживать кнопку увеличения амплитуды 10 сек) и частоту 100Гц.

Запустить на компьютере программу «DiSco». Включить отображение канала А и канала В нажатием соответствующих кнопок. Перейти в режим «XY». Установить развертку 10 мкс. Для снятия U_C необходимо установить усиление каналов на 0,5 В/э.

7 Определить по осциллограмме напряжение U_C, соответствующее току насыщения i_C (III квадрант вольтамперной характеристики, рисунок 11.2).

Заносить в табл. 11.1 значение напряжения U_Cи тока светодиода i_VD (определяется по миллиамперметру РА).

Таблица 11.1

№п.п.	i_VD	U_C	i_C	Е


…

8. Снять семейство ВАХ, для этого:

а) увеличивать силу тока в цепи светодиода регулятором напряжения модуля питания до максимально возможного с шагом 1-3 мА;

б) остановить USB-осциллограф нажатием кнопки «Сброс»;

в) в меню «Файл» выбрать пункт «Сохранить как растровый рисунок» сохранить под определенным именем (имя файла должно содержать значение тока в цепи светодиода i_VD, при котором была снята данная ВАХ);

г) приложить осциллограммы петель гистерезиса к отчету о лабораторной работе.

9. Отключить питание комплекта автоматом модуля питания.

10. На каждой ВАХ определить напряжение U_C, соответствующее току насыщения i_C насыщения, значение заносить в табл. 11.1.

11. Для каждого пункта измерений рассчитать силу тока насыщения i_C и световой поток Е, полученные значения заносить в табл. 11.1.

Величина тока насыщения пропорциональна напряжению на датчике тока R_дт (канал В осциллографа), и может быть найдена из закона Ома для участка цепи.

где R_дт – сопротивление датчика тока.

Световой поток светодиода рассчитывается по формуле:

где k_VD - коэффициент зависящий от светодиода (k_VD = 60 Кд/А), r – расстояние от источника света до приемника (r = 8 мм).

12. Построить график зависимости i_C от светового потока Е. По графику определить коэффициент пропорциональности K, как тангенс угла наклона графика i_C(E). По семейству характеристик сделать вывод об изменении ВАХ диода при облучении его светом различной интенсивности (изменение тока насыщения i_C и прямого напряжения U_пр).

13. Согласно рис. 11.5 выполнить электрические соединения модулей для определения фотоэдс.

РV1 – мультиметр в режиме измерения постоянного напряжения с пределом 2 В.

РА1 – второй мультиметр в режиме измерения постоянного тока с пределом 20 мА.

Рис. 11.5. Схема электрическая соединений типового комплекта для измерения фотоэдс

14. Увеличивать силу тока в цепи светодиода регулятором напряжения модуля питания до максимально возможного с шагом 1-3 мА, заносить в табл. 11.2 значения тока протекающего через светодиод i_VD (по мультиметру РА1) и напряжение на фотодиоде (по вольтметру РV1). Отключить питание комплекта автоматом модуля питания.

Таблица 11.2

№п.п.	i_VD	U_BL	Е


…

15. Построить график зависимости фотоэдс U_BL от светового потока Е.

16. После оформления отчета и проверки результатов преподавателем необходимо разобрать схему, предоставить комплект в полном составе и исправности преподавателю или лаборанту.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Приведены краткие теоретические сведения по разделу

На сайте allrefs.net читайте: Приведены краткие теоретические сведения по разделу. К... Рецензент...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Программа работы

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Техника безопасности при выполнении лабораторных работ
1. При выполнении работ на металлических корпусах приборов при нарушении изоляции может, возникнуть опасное для жизни человека напряжение. В связи с этим запрещаетсясамостоя

ДИЭЛЕКТРИКИ
Диэлектрические материалы имеют молекулярное или ионное строение. Молекулы, в свою очередь, образованы из атомов, атомы и ионы – из электронов и положительно заряженных ядер. При эт

Краткие теоретические сведения
В отсутствие внешнего электрического поля все связанные и свободные заряженные частицы диэлектрика, а также его полярные молекулы (диполи) расположены таким образом, что общий элек

Программа работы
1. Прочитать методические указания по подготовке и проведению лабораторной работы. 2. Получить у преподавателя вариант задания исходных данных к работе. 3. При озн

Краткие теоретические сведения
Диэлектрическая проницаемость e зависит от концентрации молекул п диэлектрика и поляризуемости a каждой молекулы. В свою очередь, п и a зависят от природы диэлектрик

Краткие теоретические сведения
Активными называют диэлектрики, свойствами которых есть возможность управлять с помощью внешних энергетических воздействий и использовать эти воздействия для создания функциональных

Краткие теоретические сведения
К пьезоэлектрикам относят диэлектрики, которые обладают сильно выраженным пьезоэлектрическим эффектом. Прямым пьезоэлектрическим эффектом называют явление поляризац

Краткие теоретические сведения
Пробой - потеря электрической прочности под действием напряжённости электрического поля - может иметь место как в образцах различных диэлектриков и систем изоляции, так и в электро

ПРОВОДНИКИ
К проводникам электрического тока относятся как твердые тела, так и жидкости, а при соответствующих условиях и газы. Важнейшими практически применяемыми в электротехнике твердыми п

Краткие теоретические сведения
С позиции классической электронной теории металлы рассматриваются как система, состоящая из положительных ионов, образующих узлы кристаллической решетки, и свободных (коллективиз

Краткие теоретические сведения
Концентрация п электронов проводимости в металлических проводниках от температуры не зависит, однако от температуры зависит их подвижность а. С увеличением температур

Краткие теоретические сведения
При соприкосновении двух различных металлов между ними возникает контактная разность потенциалов. Это явление открыл итальянский физик А. Вольта в 1797 г. Согласно квантовой теории,

ПОЛУПРОВОДНИКИ
Большая группа материалов с электронной п и дырочной р проводимостью, удельное сопротивление r которых при температуре 20 °С больше, чем у проводников, но меньше, чем

Краткие теоретические сведения
При температуре 0 К и в отсутствие другого энергетического воздействия все валентные электроны полупроводниканаходятся на энергетических уровнях ВЗ. В этом

Краткие теоретические сведения
Контакты полупроводника с металлом или с другим полупроводником обладают иногда выпрямляющими свойствами, т. е. значительно эффективнее пропускают ток в одном направлении, чем в о

МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Основные типы магнитного состояния вещества. Все вещества в природе считаются магнетиками, так как они обладают определенными магнитными свойствами и соответствующим образом взаимо

Краткие теоретические сведения
Метод измерения.Основными свойствами магнитотвердых материалов являются коэффициент возврата µΔ и удельная магнитная энергия

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Перечень и объем выполнения лабораторных работ, приведенных в Методических указаниях, соответствует рабочей программе дисциплины «Электротехническое и конструкционное материаловеден

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Колесов, С.Н. Материаловедение и технология конструкционных материалов : Учебн. для вузов / С.Н. Колесов, И.С. Колесов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М. : Высш. шк., 2004. – 519

Коловский Алексей Владимирович
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ Методические указания Редактор Н. Я. Бодягина Корректор