рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Физика
/
Вид работы: Рефераты
/
Фосфид галлия

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Фосфид галлия

Работа сделанна в 2001 году

Фосфид галлия - Реферат, раздел Физика, - 2001 год - Светоизлучающие диоды Фосфид Галлия. Gap, Так Же Как И Gaas, Кристаллизуется В Структуре Цинковой О...

Фосфид галлия. GaP, так же как и GaAs, кристаллизуется в структуре цинковой обманки с ребром элементарной кубической ячейки 5,4506 А. Кратчайшее расстояние между центрами ядер элементов решетки GaP равно 2,36 А, что составляет сумму атомных радиусов Р 1,1 А и Ga 1,26 А . Промышленное получение монокристаллического GaP осуществляется в две стадии синтез-получение крупных поликристалли-ческих слитков и выращивание монокристаллов по методу Чохральского из расплава, находящегося под слоем флюса.

Монокристаллы GaP по параметрам делятся на несколько марок. Монокристаллы n-типа легируются Те или S или ничем не легируются, монокристаллы р-типа легируются Zn, монокристаллы высокоомного GaP легируются хромом или другими примесями с глубокой энергией залегания. Следует отметить, что в связи с условиями выращивания высокая температура, высокое противодавление Р, наличие флюса, отсутствие стойких контейнерных материалов монокристаллы GaP характеризуются высоким уровнем неконтролируемых фоновых примесей примерно 5 1016-1 1017 см-3 , а также высокой плотностью дислокации более 104 см-2 . Поэтому монокристаллы GaP не обладают пригодной для практики люминесценцией и для получения светоизлучающих р-n-переходов необходимо выращивать эпитаксиальные слои GaP.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Светоизлучающие диоды

В основе действия-инжекционная электролюминесценция, эффективная в соединениях типа АIIIВV. Огромный интерес, проявляемый к светоизлучающим диодам… Цель реферата узнать о современных достижениях в области создания излучающих… Поэтому постоянно актуальна проблема создания высокоэффективных и надежных источников света.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Фосфид галлия

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Инжекция неосновных носителей тока
Инжекция неосновных носителей тока. В основе работы полупроводниковых светоизлучаю-щих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них инжекция неосновных носителей в активную область структу

Вывод света из полупроводника
Вывод света из полупроводника. Из светоизлучающего кристалла может быть выведена только часть генерируемого р - n-переходом излучения в связи со следующими основными видами потерь 1 потери на внутр

Арсенид галлия
Арсенид галлия. Полупроводниковые светоизлучающие диоды изготавливают в настоящее время на основе бинарных и нтерметаллических соединений типа AIIIBV и многокомпонентных твердых растворов этих соед

Области применения и требования к приборам
Области применения и требования к приборам. Светоизлучающий диод состоит из кристалла полупроводника с электронно-дырочным переходом и омическими контактами и элементов конструкции, предназначенных

Светоизлучающий кристалл
Светоизлучающий кристалл. Для изготовления светоизлучающих кристаллов используют эпитаксиальные структуры, рассмотренные в гл. 3. Выбор вида эпитаксиальных структур определяется, с одной стороны, н

Устройство светоизлучающих диодов
Устройство светоизлучающих диодов. Выпускаемые промышленностью светоизлучающие диоды по конструкции могут быть разделены на следующие группы 1 в металло-стеклянном корпусе 2 в конструкции с полимер

Светоизлучающие диоды с управляемым цветом свечения
Светоизлучающие диоды с управляемым цветом свечения. Светоизлучающие диоды - одни из немногих источников света, которые позволяют реализовать управляемое изменение цвета свечения. В настояще

Электролюминесцентные лампы
Электролюминесцентные лампы. Рассмотрим схемы некоторых наиболее широко используемых конструкций ламп на основе светодиодов. В некоторых конструкциях использованы обычные транзисторные и дио

Индикаторы состояния
Индикаторы состояния. Ламповые индикаторы имеют широкую область применения. В некоторых случаях они указывают на наличие рабочих условий, например на включение питания в различных приборах и

Индикаторы на светодиодах
Индикаторы на светодиодах. Наиболее распространенные форматы буквенно-цифровых индикаторов на основе светодиодов показаны на рис. Семиэлемептные индикаторы или матрицы из 3 X 5 точек обычно применя