ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
Лекция 6
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
Полупроводники
При образовании кристалла четыре валентных электрона каждого атома из состояние переходят в гибридное – состояние с антипараллельными спинами и… Пусть в результате каких-либо воздействий (например, теплоты) в полупроводнике… В отсутствие внешнего электрического поля свободный электрон, совершая тепловое движение в кристалле, сталкивается с…
Дефекты в кристалле создают локальные энергетические уровни в запрещенной зоне собственного полупроводника. Рассмотрим образование локальных… Рассмотрим кристалл кремния (Si , IV), в который введена примесь фосфора (P… Если четырехвалентный атом Si замещен трехвалентным атомом элемента третьей группы, например, В (Al, Ga), то трех его…
Электронный газ в металле является практически вырожденным, в этом случае концентрация электронов от температуры практически не зависит, и…
Разделение зарядов прекратится при условии . Тогда разность потенциалов между боковыми гранями, называемая ЭДС Холла или холловская разность… , (5.1)
где - ширина образца. Плотность тока , выразив скорость и подставив в (5.1), получаем