Реферат Курсовая Конспект
Энергетические уровни примесных атомов в кристалле - раздел Энергетика, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ Присутствие В Опр...
|
Присутствие в определенном месте кристалла атома примеси или дефекта структуры приводит к тому, что на периодический потенциал решетки накладывается достаточно сильное возмущение , локализованное в некоторой малой области объемом с центром в точке , где расположен примесный атом. Наложение возмущения на потенциал приводит к отщеплению уровней от разрешенной зоны. (рис.5.1). При >0 уровень, соответствующий потолку разрешенной зоны, поднимается вверх. Все остальные уровней остаются без изменения. Если <0, то уровень минимальной энергии опускается вниз. Здесь - среднее значение энергии возмущения в объеме . Таким образом, в запрещенной зоне появляются разрешенные уровни , обусловленные примесями или дефектами.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Энергетические уровни примесных атомов в кристалле
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов