Описание измерительной установки - раздел Электротехника, Электротехнические материалы. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПРОВОДНИКОВ И МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ Принципиальная Схема Измерительной Установки Приведена На Рис. 2.4. От Источн...
Принципиальная схема измерительной установки приведена на рис. 2.4. От источника питания через регулятор тока на токозадающие зонды 1 и 4 образца поступает постоянное напряжение смещения. Величина тока, протекающего через образец, задается с помощью резистора R и измеряется миллиамперметром (mА). Разность потенциалов между зондами 2 и 3 измеряется с помощью вольтметра (mV1).
Для проведения измерений при повышенной температуре образец вместе с зондовым устройством помещен в нагреватель, температура которого регулируется блоком управления, вмонтированным в макет установки. Измерение температуры нагревателя производится с помощью термопары ТП и милливольтметра (mV2), шкала которого проградуирована в градусах Цельсия. Нагреватель через контакты управляющего реле питается переменным током от сети 220 В.
Рис. 2. 4. Принципиальная схема измерения электропроводности
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Описание измерительной установки
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ
При выполнении работ в лаборатории электротехнических материалов студенты обязаны помнить о возможности поражения электрическим током и необходимости соблюдения правил техники безопасности.
Основные положения
Д и э л е к т р и к – это вещество, основным электрическим свойством которого является способность поляризоваться в электрическом поле. Поляризацией называется процесс ограниченного смещения или ор
Описание измерительной установки
Свойства сегнетоэлектриков исследуются с помощью установки, принципиальная электрическая схема которой представлена на рис.1.8. Напряжение с сегнетоэлектрического кристалла Сх под
И горизонтального отклонений луча осциллографа
1.1. Включить осциллограф и прогреть его в течение 10 мин.
1.2. Переключателем П3 замкнуть накоротко горизонтальный вход осциллографа (положение 1).
1.3. Переключатель П2 поставит
Сегнетоэлектрического конденсатора
3.1. По кривой Сcт=f(U) определить напряжение, соответствующее максимальному значению емкости, и с помощью автотрансформатора установить на конденсаторе напряжение, кот
Библиографический список
1. Струков, Б. А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. – М. : Наука, 1995.– 302 с.
2. Богородицкий, Н. П.
Основные положения
Электрический ток в полупроводниках, как впрочем, и в любых других материалах, определяется концентрацией и подвижностью свободных носителей заряда. Особенностью полупроводников является то, что их
Измерение температурной зависимости проводимости
1.1. Включить установку в сеть 220 В;
1.2. Соответствующим тумблером осуществить выбор исследуемого образца;
1.3. Ознакомиться с градуировкой милливольтметра;
1.4. При ко
Расчет энергетических параметров полупроводника
2.1. Произведя соответствующие расчеты, построить зависимость ln γ = f(1/Т);
2.2. Определить ширину запрещенной зоны исследуемого материала;
2.3. Высказать предположен
Библиографический список
1. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова. – М. : Энергоатомиздат, 1985.- 392 с.
2. Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В.
Основные положения
Электропроводность металлов, проводников первого рода, обусловлена движением свободных электронов. Проводниками второго рода являются электролиты, в которых прохождение тока связано с движением ион
Определение электрического сопротивления резисторов
Собрать схему для измерения сопротивления резисторов и, последовательно изменяя положение переключателя «Резисторы» П2, измерить сопротивления исследуемых объектов при комнатной т
Обработка результатов измерений
1. Рассчитать удельное сопротивление исследованных металлических проводников;
2. Рассчитать температурный коэффициент удельного сопротивления исследованных металлических проводников;
Библиографический список
1. Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин.- СПб. : Изд-во Лань, 2001.- 368 с.
2. Богородицкий, Н. П. Электротехниче
Общие положения теории магнитного поля
Согласно теории магнитного поля плотность магнитного потока или магнитная индукция B, измеряемая в теслах (Тл), определяется напряженностью магнитного поля H и намагниченностью единицы объем
Порядок выполнения работы
1. Ручку ЛАТР’а вывести в нулевое положение.
2. Включить питание приборов и вывести электронный луч в центр экрана.
3. Поместить образец в пермеаметр.
4. Подать ЛАТР’ом
Библиографический список
1. Матвеев, А. Н. Электричество и магнетизм / А. Н. Матвеев.– М. : Оникс 21 век, 2005.– 464 с.
2. Тамм, И. Е. Основы теории электричества / И. Е. Тамм.– М
Новости и инфо для студентов