Основные отличия полевых транзисторов от биполярных

1. Сверхвысокое входное сопротивление

R_вх ≈ (10⁶ ÷10¹⁴) Ом (3.1)

тоесть они могут иметь практически емкостной вход.

2. Значительное сокращение площади кристалла полупроводника (ПП), занимаемое полевым транзистором, так как в данном случае не нужны разделительные p-n переходы, выполненные методом диффузии как в биполярных транзисторах. Это позволяет разместить до 100-150 элементарных каскадов на площади занимаемой одним каскадом на биполярных транзисторах, что значительно повышает степень интеграции ИМС.

3. Внутреннее сопротивление полевого транзистора на один-два порядка превышает внутреннее сопротивление биполярного транзистора. Поэтому с одной стороны это повышает намного уменьшить мощность, потребляемую ИМС на таких транзисторах, но с другой стороны и скорость перезаряда паразитных емкостей меньше чем у биполярных транзисторов (f_α ≈ (300÷400)МГц).