Устройство и основные характеристики JFET транзисторов

Полевые транзисторы с управляющими p-n переходами (JFET – Junction Field Effect Transistor), в которых изоляция канала от источника управляющего напряжения обеспечивается обратно смещенным p-n переходом (Вспомним, что ширина такого перехода увеличивается с повышением обратного напряжения. А это значит, что при определенном значении U_обр канал может быть полностью перекрыт и ток стока станет практически равным 0!!). Ток в канале проводимости регулируется потенциалом управления (входным сигналом), создающим вблизи этого канала электрическое поле, изменяющееся при изменении этого сигнала. При этом уровень тока в канале ограничивается пространственным зарядом, образующимся в области инжекции носителей. Поэтому униполярные транзисторы являются по своему принципу действия аналогами электронных ламп. На рис. 3.3 приведены УГО n и p-канальных полевых транзисторов

Рисунок 3.3. Условные графические обозначения n и p-канальных полевых транзисторов

Устройство JFET-транзистора приведено на рис.3.4. При этом в кристалле полупроводника созданы области с различным типом проводимости.

Рисунок 3.2. Устройство JFET-транзистора

Ток в канале проводимости n (где носителями заряда, как известно, являются электроны) регулируется потенциалом затвора: при подаче отрицательного запирающего напряжения на затвор относительно истока, ток в промежутке И→С уменьшается (канал проводимости обедняется носителями, тоесть переход расширяется) вплоть до полной отсечки тока в канале (при встроенном канале, в который области стока и истока высоколегированны!!).

Рассмотрим некоторые характеристики транзисторов с управляющими p-n переходами (рис. 3. ):

1. Входные (Стоко-затворные) характеристики n-канальных JFET-транзисторов

2. Выходные (стоковые ) характеристикиn-канальных JFET-транзисторов

3. Основные параметры n-канальных JFET-транзисторов