рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.

Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. - раздел Электроника, Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ТТЛ вентиля Тиристор – Это Полупроводниковый Прибор С Двумя Устойчивыми Состояниями , Име...

Тиристор – это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями , имеющий три и более взаимодействующих выпрямляющих перехода , вольт- амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. При работе в схеме тиристор может находиться в двух состояниях . В одном состоянии – закрытом – тиристор имеет высокое сопротивление и пропускает малый ток, в другом – открытом – сопротивление тиристора мало и через него протекает большой ток. Структура тиристора состоит из четырёх областей полупроводника с чередующимся типом электропроводности

Кроме трёх выпрямляющих контактов тиристор имеет два омических пе -рехода . Контакт с внешним p-слоем называется анодом, а с внешним n-слоем – катодом . В зависимости от числа выводов тиристоры делятся на диодные , триод -ные и тетродные . Тиристор, имеющий два вывода, называется динистором, или

диодным тиристором. Тиристоры , имеющие три и четыре вывода, называются триодными или тетродными. Помимо четырёхслойных структур некоторые ви-ды тиристоров имеют большее число полупроводниковых областей . К таким приборам относится симметричный тиристор ( симистр ), который может вклю-чаться при различных полярностях приложенного напряжения. На рис. 6.1, б p-n-p-n- структура тиристора представлена в виде двух транзисторов , соединённых между собой , каждый из которых находится в активном режиме. В связи с таким представлением крайние области тиристорной структуры называют эмиттерами , а примыкающие к ним p-n-переходы – эмиттерными , цен-тральный переход – коллекторным . Между переходами находятся базовые области.

ТРИОДНЫЕ ТИРИСТОРЫ

Триодный тиристор ( тринистор) отличается от ди-нисторов наличием внешнего вывода от одной из баз, с помощью которого можно управлять включением тиристора ( рис. 6.3). В триодном тиристоре, имеющем eправляющий электрод от одной из базовых областей , уровень инжекции через прилегающий к этой базе эмиттерный переход можно величивать путём подачи положительного по отношению к катоду напряжения на управляющий элек -трод . Поэтому триодный тиристор можно переключить из закрытого состояния в открытое даже при небольших анодных напряжениях ( рис. 6.4). Переключение триодного тиристора с помощью прямого напряжения на управляющем электроде или то -ка через этот электрод можно представить как переход транзисторной n-p-n- структуры в режим насыщения при большом токе базы. При этом коллекторный переход транзисторной структуры ( он же и коллекторный пере -ход тиристора) смещается в прямом направлении. На-пряжение включения зависит от управляющего тока .

Симметричные тиристоры ( симисторы)

Симметричный тиристор – это триодный тиристор , который при подаче сигнала на его управляющий электрод включается как в прямом, так и в обрат-ном направлении. Структура симметричного тиристора состоит из пяти областей с чередующим-ся типом лектропроводности, которые образуют четыре p-n- перехода . Крайние пе -реходы зашунтированы объёмными сопротивлениями прилегающих областей p-типа (рис. 6.5, а). Вольт-амперные характеристики симистора приведены на рис. 6.5, б.

Исходными материалами для тиристоров являются кремний , а также ар -сенид галлия , имеющие большую ширину запрещённой зоны. Тиристоры , изго -товленные на основе широкозонных полупроводников , имеют большее значе-ние максимальной рабочей температуры , а следовательно, и максимально до-пустимой плотности тока в открытом состоянии, кроме того , напряжение про -боя у них выше, что позволяет делать тиристоры с большими значениями на -пряжения включения и максимально допустимым обратным напряжением . Так как обратный ток невелик через p-n-переходы, смещённые в обратном направ -лении , рассеиваемая мощность в тиристоре значительно меньше при закрытом

состоянии и обратном напряжении. Тиристоры отличаются высокой надёжностью , долговечностью и высо-кой экономичностью. Достоинством тиристора является свойство памяти. При переключении в проводящее состояние он может оставаться в этом состоянии до тех пор , пока ток через него не станет меньше тока включения . Тиристоры широко применяются в радиолокации, устройствах радиосвя -зи , автоматике как приборы с отрицательным сопротивлением, управляемые

ключи , пороговые элементы, преобразователи энергии, триггеры . По сравне -нию с биполярными транзисторами они могут обеспечить большой коэффици-ент по току включения , иметь большой ток и одновременно высокое напряже -ние, что важно для получения хороших характеристик мощных устройств, по-зволяют получить высокий КПД преобразования энергии.

Структура, принцип действия и ВАХ ДВУХБАЗОВОГО ДИОДА

представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:

Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название - двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.

Участок между базами образован кремниевой пластиной n-типа и имеет линейную вольтамперную характеристику, т.е. ток через этот участок прямо пропорционален приложенному межбазовому напряжению. При отсутствии напряжения на эмиттере (относительно Б1) за счёт проходящего I2 в базе 1 внутри кристалла создаётся падение напряжения Uвн, запирающее p-n переход, При подаче на вход небольшого напряжения Uвх=<Uвн величина тока, проходящего через переход,почти не изменяется. При Uвх>Uвн переход смещается в прямом направлении и начинается инжекция носителей заряда (дырок) в базы, приводящая к снижению их сопротивления. При этом уменьшается падение напряжения Uвн, что приводит к лавинообразному отпиранию перехода - участок II на воль-амперной характеристике. При Uмб = 0 ВАХ представляет обычную ВАХ p-n перехода

 

Однопереходного Транзистор – это трёхэлектродный полупроводниковый прибор с одним p-n- переходом и двумя выводами базовой области, предназна-ченными для переключения и генерирования электрических импульсов за счёт модуляции сопротивления базы в результате инжекции через p-n- переход неосновных носителей заряда .

Представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:

Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название - двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.

Uвкл~ Uвн = Uмб*h (eta)

h (eta) = Rб1/(Rб1+Rб2)

Транзисторный аналог двухбазового диода.

представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:

Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название - двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.

Uвкл~ Uвн = Uмб*h (eta)

h (eta) = Rб1/(Rб1+Rб2)

Лавинный транзистор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. В т1 отпирается эмиттер, переходный ток коллектора увеличивается, но при этом увеличивается коэф переноса alpha, а дифференциальное сопротивление уменьшается.


35. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.

Существует три основные схемы включения транзисторов. При этом один из электродов транзистора является общей точкой входа и выхода каскада. Надо помнить, что под входом (выходом) понимают точки, между которыми действует входное (выходное) переменное напряжение. Основные схемы включения называются схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).

Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1. Во всех книжках написано, что эта схема является наиболее распространненой, т. к. дает наибольшее усиление по мощности.

Рис. 1 - Схема включения транзистора с общим эмиттером

Услительные свойства транзистора характеризует один из главных его параметров - статический коэффициент передачи тока базы или статический коэффициент усиления по току ?. Поскольку он должен характеризовать только сам транзистор, его определяют в режиме без нагрузки (Rк = 0). Численно он равен:

при Uк-э = const

Этот коэффициент бывает равен десяткам или сотням, но реальный коэффициент ki всегда меньше, чем ?, т. к. при включении нагрузки ток коллектора уменьшается.

Коэффициент усиления каскада по напряжению ku равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного переменного напряжения. Входным является перемнное напряжение uб-э, а выходным - перемнное напряжение на резисторе, или что то же самое, напряжение коллектор-эмиттер. Напряжение база-эмиттер не превышает десятых долей вольта, а выходное достигает едениц и десятков вольт (при достаточном сопротивлении нагрузки и напряжении источника E2). Отсюда вытекает, что коэффициент усиления каскада по мощности равен сотням, тысячам, а иногда десяткам тысяч.

Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома:

при Uк-э = const

Этот коэффициент бывает равен десяткам или сотням, но реальный коэффициент ki всегда меньше, чем ?, т. к. при включении нагрузки ток коллектора уменьшается.

Коэффициент усиления каскада по напряжению ku равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного переменного напряжения. Входным является перемнное напряжение uб-э, а выходным - перемнное напряжение на резисторе, или что то же самое, напряжение коллектор-эмиттер. Напряжение база-эмиттер не превышает десятых долей вольта, а выходное достигает едениц и десятков вольт (при достаточном сопротивлении нагрузки и напряжении источника E2). Отсюда вытекает, что коэффициент усиления каскада по мощности равен сотням, тысячам, а иногда десяткам тысяч.

Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома:

и составляет обычно от сотен Ом до едениц килоом. Входное сопротивление транзистора при включении по схеме ОЭ, как видно, получается сравнительно небольшим, что является существенным недостатком. Важно также отметить, что каскад по схеме ОЭ переворачивает фазу напряжения на 180°

К достоинствам схемы ОЭ можно отнести удобство питания ее от одного источника, поскольку на базу и коллектор подаются питающие напряжения одного знака. К недостаткам относят худшие частотные и температурные свойства (например,в сравнении со схемой ОБ). С повышением частоты усиление в схеме ОЭ снижается. К тому же, каскад по схеме ОЭ при усилении вносит значительные искажения.

Схема с общей базой (ОБ). Схема ОБ изображена на рисунке 2.

 

Рис. 2 - Схема включения транзистора с общей базой

Такая схема включения не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется она не так часто, как схема ОЭ.

Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше еденицы:

т. к. ток коллектора всегда лишь немного меньше тока эмиттера.

Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ обозначается ? и определяется:

при uк-б = const

Этот коэффициент всегда меньше 1 и чем он ближе к 1, тем лучше транзистор. Коэффициент усиления по напряжению получается таким же, как и в схеме ОЭ. Входное сопротивление схемы ОБ в десятки раз ниже, чем в схеме ОЭ.

Для схемы ОБ фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует, то есть фаза напряжения при усилении не переворачивается. Кроме того, при усилении схема ОБ вносит гораздо меньшие искажения, нежели схема ОЭ.

Схема с общим коллектором (ОК). Схема включения с общим коллектором показана на рисунке 3. Такая схема чаще называется эмиттерным повторителем.

Рис. 3 - Схема включения транзистора с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен ki, т. е. нескольким десяткам.

В схеме ОК фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным - потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Входное сопротивление схемы ОК довольно высокое (десятки килоом), а выходное - сравнительно небольшое. Это является немаловажным достоинством схемы.


– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Расчитать минимальный коэффициент усиления выходного транзистора простейшего ТТЛ вентиля

Слева ттл вентиль И не справа его передаточная характеристика... Электрическая схема ТТЛ вентиля со сложным инвертором...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Принцип работы транзистора Шоттки.
Транзисторы Шоттки отличаются от обычных биполярных транзисторов тем, что они не входят в глубокое насыщение, следовательно, в их базах в открытом состоянии накапливается мало носителей заряда, и в

Как влияет облучение на характеристики р-n перехода.
Реакция интегральных микросхем (ИМС) на ионизирующее излучение обусловлена, в первую очередь, зависимостью параметров её элементов от эффектов смещения и ионизации. В свою очередь, конкретный вид э

Масштабирование. Основные принципы
Даже при одинаковом минимальном размере нормы проектирования обычно отличаются у различных компаний и процессов. Это превращает задачу переноса существующей разработки на другой процесс в весьма тр

Принцип работы транзистора в инверсном режиме
Биполярным транзистором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий в своей структуре два взаимодействующих p-n-перехода и три внешних вывода, и предназначенный, в частно

Первый и второй закон Мура.
Закон Мура — эмпирическое наблюдение, сделанное в 1964 году (через шесть лет после изобретения интегральной схемы), в процессе подготовки выступления Г. Муром (одним из основателей Intel). Он выска

Тиристор. Принцип работы
Тиристор – это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями , имеющий три и более взаимодействующих выпрямляющих перехода , вольт- амперная характеристика которого имеет участок с отриц

Туннельный диод Принцип работы.
Принцип работы туннельного диода (TД ) основан на явлении туннельного эффекта в p-n-переходе, образованном вырожденными полупроводниками. Это приводит к появлению на вольт- амперной характеристике

Метод измерения динамических параметров интегральных схем.
К динамическим параметрам, характеризующим свойства микросхемы в режиме переключения, относятся: время задержки сигнала при включении - интервал времени между входными и выходными импульсами

Типы конденсаторов в интегральном исполнении
Принцип действия конденсаторов основан на способности накапливать на обкладках электрические заряды при приложении между ними напряжения. Количественной мерой способности накапливать электрические

Вентильные матрицы
Структура вентильной матрицы состоитиз так называемых базисных ячеек (вентилей) и связей между ними, реализованныхна кристалле посредством канальной технологии. Ячейкисодерж

Конструктивные и тепловые ограничения при проектировании интегральных схем
  Основной единицей в определении норм проектирования является минимальная ширина линии. Т.е минимальный размер на фотошаблоне, который может быть надежно перенесен на полупроводников

Модель Эберса-Молла биполярного транзистора
Передаточная модель Эберса-Молла Модель базируется на эквивалентной схеме. Расчетные формулы, объединим в систему  

Способы включения биполярного транзистора.
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх

Полевой транзистор. Принцип действия
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (элек

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
  Рис. 1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то

Биполярный транзистор. Принцип работы
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с че

Современные системы автоматической идентификации.
Основные: Биометрические Дактилоскопические Штих-коды и чип-карты RFID (это он в основном будет спрашивать!!!) У всех недостатки в точности громоздкости

Полупроводниковые приборы с N - образными характеристиками.
S-приборы полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольт-амперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением. У полупр

Система параметров логических элементов.
Основными параметрами цифровых интегральных схем являются их быстродействие, потребляемая мощность, коэффициент объединения по входу, коэффициент разветвления по выходу, устойчивость против внешних

Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.
Многоэмиттерный транзистор (МЭТ) это биполярный транзистор, который имеет несколько эмиттерных областей. Различают МЭТ в которых эмиттерные области объединены одним внешним выводом, и МЭТ в которых

Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.
Зако́нМу́ра — эмпирическое наблюдение, сделанное в 1965 году (через шесть лет после изобретения интегральной схемы), в процессе подготовки выступления Гордоном Муром (одним из основателей

Многослойные полупроводниковые структуры
Реально, чтобы соблюсти оба условия, одного р-п-перехода в кристалле оказывается недостаточно, и приходится изготавливать многослойные полупроводниковые структуры, так называемые гетерост

Инжекционный вентиль. Принцип работы.
Базовый логический элемент (ЛЭ) в литературе называемый вентилем. Элементы интегрально-инжекционной логики выгодно отличаются простотой технологии и конструкции, так как состоят из биполярных транз

Расчет параметров интегрального резистора.
Все расчеты проводятся по упрощенной схеме с использованием табличных значений из справочника. Выбираем ширину базовой области для резистора: Низкоомные резисторы с номиналом R ≤ 1 к

Формула коэффициента усиления биполярного транзистора.
Одним из важнейших применений биполярного транзистора является усиление колебаний . На вход транзистора подаётся маломощный управляющийсигнал . Под действием входного переменного сигнала изменяются

Чем отличается реальная вольтамперная характеристика р-п перехода от теоретической.
Вольт- амперная характеристика p-n-перехода представляет собой зависимость тока через p-n-переход от величины и полярности приложенного напряжения. При выводе вольт- амперной характеристики можно п

Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера

Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
Транзисторы с изолированным затвором.Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Фи

Объясните принцип действия динистора.
Тиристоры - это общее название четырехслойных и пятислойных полупроводниковых приборов, имеющих структуру типа P-N-P-N или P-N-P-N-P. Динистор - это тиристор, который имеет только два выво

Назовите параметры тиристоров.
Тиристором называют полупроводниковый прибор с тремя (или более) p-n-переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который испол

Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
В отличие от стандартных интегральных схем (ИС), заказные интегральные схемы (Customer Specific Integrated Circuit — CSIC) разрабатываются в соответствии с требованиями заказчика и предназначены дл

Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник.
Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в

Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
Транзисторы с изолированным затвором.Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Фи

Объясните принцип действия динистора.
Тиристоры - это общее название четырехслойных и пятислойных полупроводниковых приборов, имеющих структуру типа P-N-P-N или P-N-P-N-P. Динистор - это тиристор, который имеет только два выво

Назовите параметры тиристоров.
Тиристором называют полупроводниковый прибор с тремя (или более) p-n-переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который испол

Что такое заказные и полузаказные интегральные схемы.
В отличие от стандартных интегральных схем (ИС), заказные интегральные схемы (Customer Specific Integrated Circuit — CSIC) разрабатываются в соответствии с требованиями заказчика и предназначены дл

Ависимость емкости конденсатора (МДП - процесс) от полярности подаваемого напряжения
Одним из наиболее распространенных методов изучения свойств структур металл - диэлектрик - полупроводник является метод, основанный на анализе зависимости емкости МДП-структуры CМДПот на

Зависимость емкости конденсатора (МДП - процесс) от частоты.
При экспериментальном измерении вольт-фарадных характеристик МДП-структур важное значение имеет частота измерительного сигнала ω. Это связано с тем, что процессы захвата и выброса на поверхнос

Зависимость емкости конденсатора (биполярный тех.процесс) от напряжения.
В качестве конденсаторов, т. е. пассивных элементов полупро­водниковых ИМС, чаще всего находят применение обратно-смещенные р-n переходы, возможно использование прямо-смещенных переходов. Кр

Нарисуйте график зависимости мощности потребления от частоты для КМОП-схем.
Обеспечение работы КМОП-схем в маломощном режиме Имеется несколько типовых рекомендаций, которых следует придерживаться для того, чтобы добиться работы КМОП-приборов в режиме с низким знач

Нарисуйте вертикальную структуру биполярного транзистора с диодом Шоттки.
Наибольшее распространение получили транзисторы, имеющие вертикальную структуру, в которой все выводы от областей транзистора расположены в одной плоскости на поверхности подложки Такая структура н

Принцип построения кольцевого генератора.
Кольцевые генераторы наиболее широко используют для измерения средней задержки ЛЭ в составе БИС. Эти ЛЭ имеют очень малые емкости нагрузки по сравнению с входной емкостью измерительного прибора, на

Принцип работы логического вентиля с тремя устойчивыми состояниями.
В ЛЭ КМОП очень просто реализуют элементы с тремя устойчивыми состояниями. Для этого последовательно с транзисторами инвертора включают два комплементарных транзистора VT1, VT4 (рисунок 20,а), упра

Влияние температуры на параметры биполярного транзистора.
Влияние температуры на работу биполярного транзистора обусловлено тремя физическими факторами: уменьшением потенциальных барьеров в переходах, увеличением тепловых токов переходов и увеличением коэ

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги