рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Цель дипломного проекта

Цель дипломного проекта - Дипломный Проект, раздел Связь, Проектирование КР1095 ПП1 Цель Дипломного Проекта. По Мере Возрастания Степени Интеграции Увеличивается...

Цель дипломного проекта. По мере возрастания степени интеграции увеличивается удельный вес отказов, связанных с дефектами металлизации, диффузии и других операций.

Распределение отказов ИМС можно изобразить диаграммой (рис. 1) Рис. 1 Диаграмма распределения отказов Отказы, связанные с процессами в металлических слоях, являются основными для ИМС при повышенных нагрузках (25 – 26%). Причина отказов может состоять в разрыве проводников на ступеньках окисла, в коррозии металла, во взаимодействии окисла с металлом при локальных увеличениях температуры, в замыкании Al на Si, через поры окисла при низкотемпературной рекристаллизации, в разрывах проводников и нарушении контакта с Si вследствие электродиффузии-процесса переноса вещества при высоких плотностях тока. Отказы из-за электродиффузии становятся существенными при плотностях тока свыше 5*104 А/см2 и температуре выше 150 0С. При нагреве через границу раздела Al + Si в контактных окнах происходит взаимная диффузия Al и Si, причем Si диффундирует в Al быстрее и достигает концентрации ≈ 1, 5 am%. Цель моего дипломного проекта – избежать подобного явления, применением других распыляемых материалов, позволяющих снизить растворимость Si в Al. 1.2

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Проектирование КР1095 ПП1

Основными методами получения тонкопленочных слоев являются термическое испарение в вакууме и распыление ионной бомбардировкой. Особенно широкое применение эти методы нашли в новой и весьма перспективной… Микроэлектроника – это новое научно-техническое направление электроники, которая с помощью комплекса физических,…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Цель дипломного проекта

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Краткие технические сведения об изделии КР
Краткие технические сведения об изделии КР. ПП1 Изделие КР1095ПП1 представляет собой большую интегральную схему (БИС) и обеспечивает преобразование мощности потребления электрической энергии переме

Краткое описание технологического процесса изготовления изделия КР
Краткое описание технологического процесса изготовления изделия КР. ПП1 Основным недостатком ИС с алюминиевым затвором является наличие больших межэлектродных емкостей Сзи и Сзс, снижающих общее бы

Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции
Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции. Важную роль в производстве интегральных схем играет соединительная металлизация. Занимаемая ею площадь сравнима, а иногда превышает площ

Физический процесс механизма распыления алюминия
Физический процесс механизма распыления алюминия. Магнетронные системы ионного распыления являются усовершенствованными диодными системами и отличаются от них наличием в прикатодной области электри

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги