рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Литературный обзор

Работа сделанна в 1998 году

Литературный обзор - Курсовой Проект, раздел Высокие технологии, - 1998 год - Проект участка по производству монокристаллов GSGG-Nd3 (диаметр 20мм, длинна 150мм) производительностью 100 штук в год. Литературный Обзор. Из Многочисленных Диэлектрических Материалов, Испо...

Литературный обзор.

Из многочисленных диэлектрических материалов, использующихся для возбуждения генерации стимулированного излучения, соединения со структурой граната занимают особые места, они являются самыми применяемыми в квантовой электронике.

Спектрально генерационные исследования этих кристаллов были начаты в середине 60-х годов.

К настоящему времени уже насчитываются 30 наименований, генерирующими активаторами в которых являются как Ln3 Nd3, Dy3, Ho3, Er3, Tm3, Yb3, так и ионы группы железа Cr3, Ti4, Ni3. Наиболее широко используются гранаты с ионами Nd3, стимулированное излучение которых с низким порогом и высокой эффективностью возбуждения при 300 К и повышенных температурах на волнах как основного рисунок 1.1, так и дополнительных и каналов активатора. Рисунок 1.1. Схема уровней Nd3. Гранат имеет кубическую решетку.

Пространственная группа Ia3d элементарная ячейка содержит восемь формульных единиц, то есть 160 ионов рисунок 1.2 Ионы кислорода образуют объемоцентрированную плотнейшую упаковку, в пустотах которой располагаются катионы.

Формула граната может быть записана в следующем виде A3B2C3O12, где фигурные скобки обозначают додекаэдрические, квадратные октаэдрические и круглые тетраэдрические положения.

Катионы, находящиеся в этих положениях характеризуются соответственно точечной симметрией и координацией по кислороду 8, 6 и 4. Фрагмент структуры граната, демонстрирующий расположение координационных полиэдров, приведен на рисунке 1.3. Анионные полиэдры, образующие структуру, искажены по сравнению с идеальными за счет сил электростатического взаимодействия между ионами. степень искажения координационных полиэдров зависит от размера катионов и различна для разных гранатов. додекаэдр октаэдр тетраэдр Рисунок 1.2. Структура ячейки граната.

Рисунок 1.3. Расположение координационных полиэдров в структуре граната.

Распределение катионов в структуре граната определяется главным образом их ионными радиусами, хотя в ряде случаев проявляют себя и такие факторы как предпочтение катионами определенных позиций, обусловленное тенденцией образования ковалентных связей с анионами, электростатическое взаимодействие ионов и поляризация анионов.

Однако влияние электронного строения ионов и перечисленных выше факторов, большинстве случаев не столь существенно, как размер ионов, и образование структуры граната определяется в основном, геометрическим фактором.

Как и все гранаты, по своим свойствам GSGG изотропен, то есть показатель преломления не зависит от направления распространения и поляризации света. Кристалл оптически прозрачен в диапазоне 240-600 нм, имеет высокую твердость и хорошие тепловые свойства. GSGG плавится конгруэнтно при 2133 K. Наиболее современным методом выращивания GSCCNd3 является метод Чохральского с использованием иридиевых тиглей, атмосферы состоящей из смеси N2, CO2 или O2 при нормальном давлении, со скоростью вытягивания 1.5-3 ммчас и скоростью вращения 10-20 обмин, в направлении 111 или 110. Основные физико-химические свойства гадолиний-скандий-галлиевого граната приведены в таблице 1.1. Таблица 1.1. Основные свойства GSGGNd3. Химическая формулаGd3Sc2Ga3O12Nd3Конгруэнтно плавящийся состав Gd2.957Sc1.893Ga3.15O12Эффективный коэффициент распределения Nd30.7Концентрация Nd32 ат. Область оптической прозрачности0.24-0.6 мкмТемпература плавления 2133 КПараметр элементарной ячейки1.2567 нмПлотность6.5 гсм3Твердость по Моосу8.5КТР9.310-6 К-14. Выбор метода выращивания. Для получения монокристаллов GSGG возможно использование следующих методов выращивания метод Бриджмена-Стокбаргера метод зонной плавки гибридный метод метод Чохральского.

В случае метода Бриджмена-Стокбаргера рисунок 1.4. контейнер в виде ампулы или лодочки с расплавом медленно перемещается в печи с градиентом температуры.

В результате кристалл растет у более холодного конца ампулы или лодочки. Для этого метода характерен прямой контакт кристалла со стенками контейнера, что в случае лазерных кристаллов недопустимо, так как материал контейнера, попадая в расплав, захватывается фронтом кристаллизации и в кристалле создаются центры рассеивания.

Кроме того, в следствие неравенства единице коэффициента распределения Nd3, концентрация последнего по длине кристалла будет сильно изменятся, что так же крайне нежелательно. Рисунок 1.4. Схема метода Бриджмена-Стокбаргера 1 контейнер 2 нагреватель 3 расплав 4 растущий кристалл.

Сущность метода зонной плавки заключается в том, что материал плавится лишь на небольшом участке, который перемещается от затравки по всей шихте. Вариант метода бестигельной зонной плавки со световым нагревом изображен на рисунке 1.5. Излучение ксеноновой лампы сверхвысокого давления 6, помещенной в фокус нижнего эллипсоидного отражателя 7, концентрируется в фокусе верхнего эллипсоидного отражателя 1, где происходит расплавление исходного поликристаллического материала 2. Для плавной регулировки светового потока, поступающего в фокус верхнего отражателя, служит так называемая световая заслонка.

Заслонка в крайнем нижнем положении полностью отрезает излучение ксеноновой лампы от верхнего отражателя. При плавном подъеме заслонки световой поток плавно нарастает, что позволяет безударно нагревать поликристаллический стержень исходной шихты. Так как выращивание происходит на воздухе, то в кристалле сохраняется кислородная стехиометрия, что является важным условием получения высококачественных оксидных кристаллов.

Рисунок 1.5. Схема метода бестигельной зонной плавки со световым нагревом 1,7 эллипсоидные отражатели 2 стержень исходной шихты 3 кристалл 4 печь отжига 5 световая заслонка 6 ксеноновая дуговая лампа Применения этого метода обусловлено рядом его достоинств. Так, отсутствие тигля избавляет растущий кристалл от загрязнения материалом контейнера, позволяет выращивать монокристаллы тугоплавких оксидных соединений на воздухе.

Для выращивания не требуются дорогостоящие иридиевые тигли, не нужно создавать защитную атмосферу, необходимую для роста с тиглем. Метод позволяет существенно экономить дорогостоящие реактивы, так как в процессе роста используется практически вся шихта, а не 20-40 как в методе Чохральского. Отсутствие процедур наплавления, а также небольшой объем расплава позволяют существенно экономить электроэнергию и охлаждающую воду. Но метод зонной плавки обладает и рядом недостатков, которые не позволяют его использовать для получения промышленных лазерных кристаллов неравномерность концентрации Nd3 по длине кристалла, не обеспечивается структурное совершенство кристаллов.

Кроме того этим методом нельзя получить крупные кристаллы диаметр выращенных кристаллов составляет 5-8 мм, а длина от 20 до 50 мм. Рисунок 1.6. Схема гибридного метода 1 токовводы 2 ленточный нагреватель 3 поликристалл 4 расплав 5 монокристалл 6 печь отжига 7 затравка Сущность гибридного метода заключается в том, что кристалл вытягивается из расплава, находящегося в нагреваемом формообразователе, при непрерывной подаче шихты в расплав.

Один из вариантов гибридного метода с использованием ленточного нагревателя представлен на рисунке 1.6. Для получения крупных кристаллов гранатов высокого оптического качества используют в основном метод Чохральского рисунок 1.7 В этом случае нет прямого контакта кристалла с контейнером, но материал последнего все же загрязняет кристалл. Это происходит вследствие того, что из-за высокой температуры плавления GSGG приходится использовать иридиевые контейнеры.

При этих температурах иридий окисляется и его оксид, попадая на расплав и кристалл, разлагается с выделением иридия. Но использование инертной атмосферы и технологических приемов можно свести этот процесс к минимуму. Неравномерность концентрации Nd3 по длине можно уменьшить выращивая монокристалл из большого количества расплава, выбирая из тигля не больше 50 расплава. Таким образом для производства монокристаллов GSGGNd3 выбран метод Чохральского. 5.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Проект участка по производству монокристаллов GSGG-Nd3 (диаметр 20мм, длинна 150мм) производительностью 100 штук в год.

Гранаты выгодно отличаются от многих других классов лазерных материалов изотропией свойств, высокой механической прочностью теплопроводностью,… Среди лазерных гранатов большое практическое значение приобрел… Но иттрий-алюминиевый гранат обладает и рядом недостатков, которые вынуждают искать новые среды для твердотельных…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Литературный обзор

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Структура проекта
Структура проекта. Проект содержит разделы, дающие полное описание и расчет производства. В литературном обзоре дана характеристика производства и производимой продукции, основные обл

Характер оборудования
Характер оборудования. Установка Кристалл-2 предназначена для роста кристаллов методом Чохральского. Этот метод является основным и практически единственным методом роста лазерных кристаллов

Обоснование места размещения
Обоснование места размещения. Участок предполагается разместить в Москве в составе отдела роста лазерных кристаллов в Институте Общей Физики Российской Академии Наук ИОФ РАН. В ИОФРАНе имеются необ

Расчет числа ростовых установок
Расчет числа ростовых установок. Из пункта 7.2. см. ниже следует, что эффективное время работы одной установки составляет 5617 часов в год. Таблица 3.1. Определение продолжительности роста к

Расчет количества реактивов
Расчет количества реактивов. Допустим, что кристалл имеет форму цилиндра и двух конусов. Тогда масса готового кристалла Масса шихты, необходимая для роста кристаллов в течении одного года, с учетом

Расчет других расходных материалов
Расчет других расходных материалов. Для создания инертной атмосферы в ростовой камере используется азот. Норма расхода 1 баллон на 10 заполнений ростовой камеры. На каждый выращенный кристал

Сводная таблица расходных материалов
Сводная таблица расходных материалов. Таблица 3.2. Наименование материалаЕд.изм. Потребность на годОксид гадолиния ОСЧкг75.17Оксид неодима ОСЧкг2.07Оксид скандия ОСЧкг18.69Оксид галлия ОСЧкг42.57Сп

Описание установки
Описание установки. Установка Кристалл-2 предназначена для выращивания диэлектрических монокристаллов методом Чохральского. Установка состоит из следующих составных частей Кристаллизатор пре

Строительная часть
Строительная часть. Проектируемый участок производства должен обеспечить выполнение следующих основных технологических операций хранение исходных компонентов шихты и работу с ними взвешивание, смеш

Технико-экономическое обоснование расширения опытно-экспериментального производства на базе ИОФРАН путем строительства нового участка по производству монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната в количестве
Технико-экономическое обоснование расширения опытно-экспериментального производства на базе ИОФРАН путем строительства нового участка по производству монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого гра

Режим работы участка и расчет эффективного времени работы оборудования
Режим работы участка и расчет эффективного времени работы оборудования. Так как технологический процесс не может быть прерван в любое время без ущерба для производимой продукции и ввиду длит

Определение стоимости строительства зданий и сооружений
Определение стоимости строительства зданий и сооружений. Затраты на строительство зданий и сооружений определяются по укрупненным показателям в зависимости от типа зданий и их объема. Так ка

Определение стоимости оборудования
Определение стоимости оборудования. Таблица 7.3. Прейскурантная стоимость оборудования. Наименование оборудованияКол-воСтоимость оборудования, руб.единицыобщая1Установка Кристалл-24250000102

Определение капитальных затрат
Определение капитальных затрат. В величину капитальных затрат кроме основных фондов включаются внеобъектные затраты подготовка территории строительства, содержание дирекции строящегося объек

Определение баланса времени работы среднесписочного рабочего
Определение баланса времени работы среднесписочного рабочего. В производстве заняты две категории рабочих. Операторы установок и наладчики работают в непрерывном режиме по 8 часов в смену, обработч

Определение числа рабочих и фонда заработной платы
Определение числа рабочих и фонда заработной платы. Численность основных производственных рабочих определяется по нормам обслуживания установок данные предприятия. Расчет по фонду заработанн

Расчет проектной себестоимости продукции
Расчет проектной себестоимости продукции. Определение годовой потребности в сырье, материалах, энергии. Расчет потребностей в сырье и материалах приведен в разделе 3. В год требуется вырасти

Определение стоимости электроэнергии
Определение стоимости электроэнергии. По данным ИОФ РАН, электроэнергия поступает от Мосэнерго по цене 0.42 рубкВтч. Стоимость годового расхода электроэнергии составляет рубгод 38. Расчет амортизац

Проектная калькуляция себестоимости продукции
Проектная калькуляция себестоимости продукции. Таблица 7.14. Проектная калькуляция себестоимости монокристаллов GSGGNd3, массой 320 грамм, годовой выпуск 100 штук в год. Статьи калькуляцииЕд

Основные технико-экономические показатели участка
Основные технико-экономические показатели участка. Поскольку производимое изделие имеет специфическое применение и производится исключительно по заказу, то можно считать реализационные расхо

Токсикологическая характеристика и взрыво-пожароопасные свойства применяемых веществ
Токсикологическая характеристика и взрыво-пожароопасные свойства применяемых веществ. В проектируемом производстве используются Gd2O3, Nd2O3, Sc2O3, Ga2O3 в мелкодисперсном виде, C2H5OH и ац

Меры безопасности при работе с вредными веществами
Меры безопасности при работе с вредными веществами. В качестве исходных веществ используются Gd2O3, Nd2O3, Sc2O3, Ga2O3. Они представляют собой тонкодисперсные порошки, поэтому существует оп

Категорирование помещений
Категорирование помещений. Согласно ОНТП 24-86 помещения участка относятся к следующим категориям по пожаровзрывоопасности отделение роста, механическое отделение категория Г отделение контроля и у

Меры безопасности при работе с ростовой установкой
Меры безопасности при работе с ростовой установкой. В производстве применяется ростовая установка Кристалл 2 с индукционным нагревом и питанием от сети 380 В 50 Гц а также блоком управления,

Рабочее помещение
Рабочее помещение. В помещении участка могут находится одновременно 16 человек. Площадь участка 216 м2, объем 864 м3. Таким образом на человека приходится SУД 13.5 м2, VУД 54 м3, что соответствует

Режим личной безопасности
Режим личной безопасности. Все сотрудники обеспечиваются спецодеждой халат. При выполнении работ, требующих СИЗ, используются респиратор типа Лепесток, резиновые перчатки, защитные очки из оргстекл

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги