Реферат Курсовая Конспект
Определение плотности дислокаций в кристалле - раздел Полиграфия, Микроскоп металлографический При Травлении Кристаллов Селективным Травителем В Местах Выхода Дислокаций На...
|
При травлении кристаллов селективным травителем в местах выхода дислокаций на поверхность образуются ямки травления, появление которых связано с большей скоростью удаления атомов с локального участка вблизи выхода дислокации на поверхность. В отличие от фигур травления ямки травления не покрывают всю поверхность шлифа, а располагаются только в местах выхода дислокаций. Плотность дислокаций рассчитывают по количеству ямок травления. Подсчитав число ямок травления под микроскопом, можно приблизительно определить число дислокаций, приходящихся на один квадратный сантиметр травленой поверхности шлифа. Расчет средней плотности ямок травления Nd производится по формуле где п – среднее количество дислокационных ямок в поле зрения микроскопа; s – площадь поля зрения микроскопа, м2. Плотность дислокаций монокристаллического кремния: (3 ¸5)108 м-2.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Принадлежности к работе... микроскоп металлографический... образцы полупроводниковых пластин Краткие теоретические сведения...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Определение плотности дислокаций в кристалле
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов