рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Устройство микроскопа.

Устройство микроскопа. - раздел Полиграфия, Микроскоп металлографический 1 – Источник Света; 2 – Коллектор; 3 –Осветительная Линза; 4 – Ирисовая Диафр...

1 – источник света; 2 – коллектор; 3 –осветительная линза; 4 – ирисовая диафрагма; 5 – полупрозрачная пластинка; 6 – объектив; 7 – объект;

8 – линза; 9 – окуляр; 10 – диафрагма темного поля; 11 – кольцевое зеркало; 12 – параболический коллектор; 13 призма о

 

 

 

 

Рис. 1.3. Оптическая система микроскопа

1 – основание микроскопа; 2 – предметный плавающий столик; 3 – винт для закрепления столика; 4 – колонка; 5 – корпус микроскопа; 6 –маховичок микроподачи; 7 – маховичок грубой фокусировки; 8 – тубус;

9 – окулярная насадка; 10 – патрон с лампочкой; 11 – винт для закрепления патрона; 12 – центрировочный винт патрона; 13 – рамка; 14 – ручка для выключения полупрозрачной пластинки; 15 – винт хомутика; 16 – стопорный винт; 17 –хомутик

Рис. 1.4. Внешний вид оптического микроскопа

 

Т а б л и ц а 1.1

Образец n1, шт. n2, шт. n3, шт. nср, шт. S, см(2) Nd, м(–2) Справочные данные Nd, см–2
5,43*10(-4) 3,49*10(-4) (3/5)*10(8)
 

Nd = (19*10(0))/(5.43*10(-4)) = 3.499*10(-4).

Вывод: в ходе лабораторной работы №2 я ознакомился с металлографическим методом исследования полупроводников и определение плотности дислокаций.

Минский Государственный Высший Радиотехнический Колледж

Кафедра общетехнических дисциплин

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Микроскоп металлографический

Принадлежности к работе.. микроскоп металлографический.. образцы полупроводниковых пластин краткие теоретические сведения..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Устройство микроскопа.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Краткие теоретические сведения
Свойства полупроводниковых приборов зависят как от чистоты используемых материалов, так и от кристаллической структуры и дефектности материалов. Совершенство структуры реальных кристаллов

Определение плотности дислокаций в кристалле
При травлении кристаллов селективным травителем в местах выхода дислокаций на поверхность образуются ямки травления, появление которых связано с большей скоростью удаления атомов с локального участ

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги