рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры
- Раздел Философия
- /
- Иногда рассматривается коэффициент обратной связи по напряжению
Реферат Курсовая Конспект
Иногда рассматривается коэффициент обратной связи по напряжению
Иногда рассматривается коэффициент обратной связи по напряжению - раздел Философия, ЭЛЕКТРОТЕХНИКА и ЭЛЕКТРОНИКА ...
Величина h12 » 2×10-3-2×10-4 из-за малости часто не принимается во внимание.
параметры биполярных транзисторов зависят от температуры окружающей среды.
Выделяют три области работы транзистора (рис. 85, б). При работе транзистора как усилителя эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Это – активная область работы, в которой транзистор можно считать линейным активным элементом. Область, в которой оба перехода смещены в обратном направлении, называют областью отсечки. Область, в которой оба перехода смещены в проводящем направлении, называют областью насыщения.
2.2.4.Полевые транзисторы
Полевым называют транзистор, управляемый электрическим полем, или транзистор с управляемым каналом для тока.
В отличие от биполярных полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление и поэтому требуют очень малых мощностей для управления.
Ток в полевом транзисторе создается носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), вследствие чего эти транзисторы часто называют униполярными.
Носители заряда в полевом транзисторе являются основными для активной области и его параметры не зависят от времени жизни неосновных носителей (как у биполярных транзисторов). Это и определяет высокие частотные свойства и меньшую зависимость от температуры.
Изготавливают полевые транзисторы из кремния. В зависимости от электропроводности исходного материала различают транзисторы с p - и n - каналом.
Каналом считают центральную область транзистора. Электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда, называют истоком (И), а электрод, через который основные носители уходят из канала, – стоком (С). Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором (З).
Полевые транзисторы подразделяются на два основных типа: с затвором в виде p-n-перехода и с изолированным затвором.
Структурная схема; схема включения и схемное изображение полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода показаны на рис. 86.
Полевой транзистор представляет собой пластину, например, n-типа, на верхней и нижней гранях которой создаются области с проводимостью противоположного типа, например, p-типа. Эти области электрически связаны, образуя единый электрод-затвор. Область с n-проводимостью, расположенная между p-областями; образует токовый канал. На торцевые поверхности пластины наносят контакты, образующие два других электрода И иС, к которым подключается источник питания Uс и при необходимости сопротивление нагрузки. Между каналом и затвором создаются дваp-n-перехода. Ток протекает от истока к стоку по каналу, сечение которого зависит от затвора.
 |
При увеличении отрицательного потенциала на затворе p-n-переходы запираются и расширяются практически за счет канала, сечение канала, а, следовательно, и его проводимость, уменьшаются, ток через канал падает, рис. 87, а. При некотором Uз = Uзо, называемом напряжением отсечки, области p-n-переходов смыкаются по всей длине канала, сток и исток оказываются изолированными друг от друга, ток Iс равен нулю.
Если при Uз = constувеличивать Uс, то ток через канал (Iс) возрастет рис. 87, б. При этом увеличивается падение напряжения на канале, которое способствует увеличению обратного напряжения на p-n-переходах, вызывая тем самым сужение канала. При некотором Uс = Uнас, называемом напряжением насыщения, канал настолько сужается, что дальнейшее увеличение Uс не увеличивает Iс.
Полевые транзисторы с изолированным затвором или МДП-транзисторы находят более широкое применение, так как имеют более простую конструкцию и обладают лучшими электрическими свойствами.
У МДП-транзисторов (металл – диэлектрик – полупроводник) между полупроводниковым каналом и металлическим затвором расположен изолирующий слой диэлектрика.
Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника под воздействием поперечного электрического поля. Они управляются напряжением и имеют чрезвычайно большое входное сопротивление и в отличие от полевых транзисторов с затвором в виде p-n-перехода сохраняют его большим независимо от величины и полярности входного напряжения. Применяются две конструкции МДП-транзисторов: со встроенным каналом и с индуцированным каналом.
У МДП-транзисторов со встроенным каналом в полупроводниковой пластине (подложке), например, n-типа, в процессе изготовления в приповерхностном слое создаются области, например p-типа, образующие электроды стока и истока (рис. 88, а). Перемычка между С и И с проводимостью p-типа является каналом для протекания тока стока Iс даже при отсутствии управляющего напряжения Uз = 0 на затворе.
 | |||
|
При подаче положительного напряжения на затвор электрическое поле выталкивает основные носители (дырки) из канала, его сопротивление растет, а Iс падает.
Такой режим носит название “режима обеднения”. При отрицательном напряжении на затворе электрическое поле притягивает дырки из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается, Iс растет (“режим обогащения”). Передаточная характеристика МДП-транзистора показана на рис. 88, б. Его стоковые характеристики Iс = f(Uс) при Uз = const по виду аналогичны характеристикам транзистора с затвором p-n-типа (рис. 87, б). Схемные изображения МДП-транзисторов со встроенным каналом n-типа и p-типов представлены на рис. 88, в.
У МДП-транзисторов с индуцированным каналом последний заранее не создается, и в транзисторах, использующих пластину с проводимостью, например, n-типа, при Uз > 0 и Uз = 0 ток Iс = 0 (рис. 89, а, б).
 |
Образование канала в таких приборах происходит при подаче на затвор только отрицательного напряжения (Uз < 0). Тогда в результате вытеснения из поверхностного слоя электронов и подтягивания дырок из n-пластины происходит образование между стоком и истоком инверсного слоя полупроводника с проводимостью, аналогичной проводимости С и И, в данном случае p-типа, и, чем более отрицательным будет напряжение на затворе, тем больший Iс будет в канале. Передаточная характеристика такого транзистора показана на рис. 89, б. Стоковые характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом аналогичны характеристикам транзистора с затвором в виде p-n-перехода (рис. 87, б). Схемные изображения МДП-транзисторов с индуцированным каналом n- и p-типов представлены на рис. 89, в.
Основные характеристики полевых транзисторов:
- крутизна характеристики передачи
S = dIс / dUз при Uс = const;
- дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыщения
Rвых = dUс / dIс при Uз = const.
Полевые транзисторы используются в усилителях, а также находят применение в качестве сенсорных датчиков, в устройствах для обнаружения скрытой проводки.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА и ЭЛЕКТРОНИКА
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение... высшего профессионального образования... Национальный минерально сырьевой университет Горный...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Иногда рассматривается коэффициент обратной связи по напряжению
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
| Твитнуть |
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Реклама
Информация в виде рефератов, конспектов, лекций, курсовых и дипломных работ имеют своего автора, которому принадлежат права. Поэтому, прежде чем использовать какую либо информацию с этого сайта, убедитесь, что этим Вы не нарушаете чье либо право.
© copyright 1999 - 2024 allRefs.net. Все права защищены. Страница сгенерирована за: 0.023 сек.
Новости и инфо для студентов