Реферат Курсовая Конспект
Краткая теория. - раздел Физика, Методическое пособие по общей физике Электрон Изолированного Атома Имеет Некоторые Определенные Значения Энергии, ...
|
Электрон изолированного атома имеет некоторые определенные значения энергии, которые изображают в виде энергетических уровней. На рис.1 представлены энергетические уровни изолированного атома.
Для образования кристалла будем «мысленно» сближать N изолированных атомов. Взаимодействие электрона со всеми N атомами кристалла приводит к изменению энергии электрона. Каждый энергетический уровень атома расщепляется на N уровней, и образуются энергетические зоны (см. рис.2).
0,5 |
EF |
f (E) |
зона проводимости |
запрещенная зона |
валентная зона |
Рис.3 |
E |
Свободная зона отделена от валентной зоны запрещенной зоной - полосой энергии, запрещенной для электронов. Величина DE называется шириной запрещенной зоны.
При температуре электроны кристалла заполняют нижние энергетические уровни. По принципу Паули: на каждом энергетическом уровне может находиться не более двух электронов с противоположно направленными спинами.
У полупроводников при температуре 0 К полностью заполнена электронами валентная зона. В свободной зоне электронов нет. Ширина запрещенной зоны полупроводников небольшая: порядка 1эВ. С ростом температуры электроны, получая энергию, могут переходить на вышележащие энергетические уровни. Энергии теплового движения электронов и энергии электрического поля тока достаточно для перехода электронов из валентной зоны полупроводника в зону проводимости.
При подключении полупроводника к источнику тока в цепи появляется электрическое поле. Свободные электроны в зоне проводимости под действием этого поля движутся противоположно полю (вектору напряженности электрического поля) и образуют электронную проводимость полупроводника. В валентной зоне на месте ушедшего электрона остаётся некомпенсированный положительный электрический заряд – дырка. Под действием электрического поля электрон с соседнего уровня может перейти на место дырки, там, откуда электрон ушел образуется новая дырка. Можно сказать, что дырки движутся по полю. Дырки в валентной зоне образуютдырочную проводимость полупроводника. Электронная и дырочная проводимости химически чистого полупроводника составляют собственную проводимость полупроводника.
Электрическая проводимость в кристалле пропорциональна концентрации носителей тока (электронов и дырок). Распределение электронов по энергетическим уровням характеризуется функцией Ферми - Дирака
, (1)
где Е – энергия электрона, ЕF – энергия Ферми, k = 1,38∙10-23 Дж/К – постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура кристалла.
– функция Ферми-Дирака, которая определяет вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне с энергией Е .
При = 1 на энергетическом уровне находятся 2 электрона;
= 0,5 на энергетическом уровне находится 1 электрон;
= 0 на энергетическом уровне электронов нет.
В металле энергией Ферми называют максимальную кинетическую энергию, которую могут иметь электроны проводимости при температуре 0 К. Энергетический уровень, соответствующий энергии Ферми, называется уровнем Ферми. Таким образом, уровень Ферми – это верхний заполненный электронами энергетический уровень в металле при температуре 0 К.
Значение уровня Ферми в химически чистом полупроводнике, отсчитанное от потолка валентной зоны, приблизительно равно половине ширины запрещенной зоны
. (2)
Отсюда следует что, уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны. Если энергия электрона, находящегося в зоне проводимости, равна Е, тогда из рис.3 видно, что
(3)
При невысоких температурах в формуле (1) единицей в знаменателе можно пренебречь. Учитывая выражение (3), из формулы (1) получают
. (4)
Удельная проводимость полупроводника пропорциональна концентрации носителей тока, поэтому она пропорциональна функции Ферми – Дирака (формула (4)), тогда можно записать
,
где – постоянная величина, зависящая от данного полупроводника. Сопротивление обратно пропорционально проводимости, поэтому его можно представить в виде
, (5)
Здесь А – коэффициент, зависящий от физических свойств полупроводника. Из формулы (5) видно, что с ростом температуры сопротивление полупроводника R уменьшается. По зонной теории эта закономерность объясняется следующим образом: при увеличении температуры растет число электронов в свободной зоне и число дырок в валентной зоне, поэтому проводимость полупроводника увеличивается, а сопротивление уменьшается. У металлов с ростом температуры сопротивление увеличивается.
Для определения ширины запрещенной зоны необходимо прологарифмировать формулу (5)
(6)
Коэффициент А неизвестен, поэтому сначала записывают формулу (6) для двух разных температур Т1 и Т2
, (7)
. (8)
Вычитают из формулы (7) выражение (8)
. (9)
Из формулы (9) для ширины запрещенной зоны получают расчетную формулу
(10)
График зависимости lnR от 1/T для полупроводника с собственной проводимостью представляет собой прямую линию (рис. 4), тангенс угла наклона которой к оси абсцисс равен
. (11)
Сравнивая формулы (10) и (11), можно получить
Температурный коэффициент сопротивления показывает относительное изменение сопротивления при нагревании вещества на 1 К
. (12)
Единица измерения в СИ .
Взяв производную сопротивления по температуре в формуле (5), можно записать:
(13)
Формулу (13) подставляют в формулу (12) и, учитывая формулу сопротивления R (5), получают
.
Расчетная формула для температурного коэффициента сопротивления полупроводника равна
. (14)
Температурный коэффициент сопротивления полупроводников зависит от температуры и химической природы вещества. Знак минус в формуле (14) учитывает, что с ростом температуры сопротивление полупроводника уменьшается. У металлов температурный коэффициент сопротивления является положительной величиной.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Л... Министерство энергетики и угольной промышленности Украины... Севастопольский национальный университет ядерной энергии и промышленности...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Краткая теория.
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов