Реферат Курсовая Конспект
Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур. - раздел Электротехника, Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля Существуют Две Модели: 1)Эйнщтейна (Рассматривает Оптические Моды Ко...
|
Существуют две модели:
1)Эйнщтейна (рассматривает оптические моды колебаний , все колебания практически одинаковы)
|
I – интенсивность рассеяния или дифракции рентгеновского излучения
Роль начального и конечного состояний играют:
- но тогда Лауэ считал, что атомы неподвижны;
– сумма по элем. яч.
- электронная плотность по отношению к центру
полное распределение электронной плотности ячейки
- атомный форм-фактор (интеграл можно вынести за знак Σ)
Выполним усреднение по всем возможным конфигурациям. Обозначим термодинамическое усреднение.
|
|
|
|
независящая от Т, определяется атомным форм-фактором
- определяет среднюю потенциальную энергию колебаний
22. Ангармонические эффекты в кристаллах. Тепловое расширение.
|
|
|
|
Как правило, вклад ангармонических слагаемых мал. Но существует ряд эффектов, само существование которых обуславливает ангармонические эффекты:
1) уширение однофононных максимумов в сечении неупругого рассеяния нейтронов;
2) тепловое расширение;
3) теплопроводность.
С точки зрения квантовой теории ангармонические эффекты приводят к взаимодействию фононов.
|
Квантовый гамильтониан фононов записывается следующим образом:
Тепловое расширение – еще один из ангармонических эффектов.
Кристалл не расш. без учета ангарм. членов, т.к.
(х – обобщенная координата)
Рассмотрим изменение среднего смещения с изменением Т:
- в ангарм. приближении (коэф. условны)
- при больших х становится меньше, но не имеет минимума
=> необходимо учитывать члены 4-го порядка
23. Теплопроводность решетки. Процессы переброса.
В диэл. и в значительной степени в п/п тепловодность кристалла определяется фононами. Для описания теплопроводности можно воспользоваться формулами МКТ:
Скорость фиксир. и при низких Т определяется скоростью звука
В гармоническом приближении фононы не взаим. друг с другом => рассеяние происходит только дефектах или на пов-ти образца конечных размеров. Т.е. в идеальном бесконечном кристалле но ангарм. члены в потенц. энергии приводят к рассеянию фононов.
Следует различать 2 вида процессов рассеяния:
1) нормальные процессы
N-процессы
2) процессы переброса
закон сохранения квазиимпульса выполняется с точностью до - вектора обр. решетки. Сохранение импульса возникает из инвариантности пространства относительно сдвига
Норм. процессы не приводят к ограничению теплопроводности, не меняют потока тепла. И только процессы переброса приводят к возникновению теплового сопротивления.
Матричный элемент описывает взаимодействие:
В крист. процессы рассеяния со сдвигом не приводят к нарушению закона сохр. импульса. Не возникает теплового сопротивления в процессах переноса.
I з. Брил.:
24. Взаимодействие эл-нов с колебаниями решетки. Деформационный потенциал.
Взаимодействие эл-нов с фононами имеет те же механизмы, что и взаимодействие со статичными атомами.
1) деформационный потенциал:
при смещении ат. решетки изменение межат. расстояния и углов м/у связями изменяет энерг. спектр крист., а следовательно и энергию эл-нов
|
2) Поляризационное взаимодействие
В ионных крист. при смещении атомов возникает эл-я поляризация элем. ячейки и связанное с ней эл. поле, кот. также изменяет энергию носителей заряда. При акустических колебаниях поляриз. ячейки не возникает (ат. смещ. синфазно) => они взаимодействуют с эл-нами посредством деформационного потенциала.
При оптических колебаниях атом. в ячейке смещ-ся друг относительно друга, взаимодействие опт. колебаний с эл-нами осуществляется как посредством деформ. потенциала, так и поляриз. взаимодействия. Т.к. дипольный момент ячейки меняется.
Ясно, что взаимодействие эл-нов с колебаниями и смещениями решетки не может меняться, т.к. тогда бы взаимодействие менялось и при сдвиге крист. как целого. Определяется только относительным смещением:
- симметричный тензор 2-го ранга, тензор деформации.
Силовые взаимодействия характеризуются тензором напряжений
Энергия – скаляр, её можно связать либо с деформацией, либо с напряжениями:
В главных осях:
|
- относительное изменение объема кристалла при деформации;
2) Дебая ();
-число степеней свободы в этой сфере интегрирование равно числу степ. в кристалле.)
- объем для каждого фонона.
(главное чтобы не менялось число степеней свободы)
- предел интеграла по Дебаю. ()
- Дебаевская частота, соответствует максимальной возможной частоте колебаний решетки.
, Дебаевская температура- это температура, прм которой в системе возбуждены все нормальные моды и все фононы. (Si 625 k, Ge 360 K, Алмаз 1860 K)
Сопоставим 2 способа описания колебаний решетки, классич. и квантовомеханический:
Классический | Квантовомеханический |
нормальные моды колебаний | Фононы данного типа |
число различных норм. мод =3nN | число различных фононов =3Nn |
типы мод: 3 – акуст., 3(n-1) – оптические | типы фононов: 3 – акуст., 3(n-1) – оптические |
– квазиимпульс, N значений | |
частота | Энергия |
Амплитуда норм. мод: | Число фононов данного типа: |
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов