рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.

Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур. - раздел Электротехника, Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля Существуют Две Модели: 1)Эйнщтейна (Рассматривает Оптические Моды Ко...

Существуют две модели:

1)Эйнщтейна (рассматривает оптические моды колебаний , все колебания практически одинаковы)

 


21-1
21. Эффект Мессбауэра и фактор Дебая-Уоллера.

 
 


I – интенсивность рассеяния или дифракции рентгеновского излучения

Роль начального и конечного состояний играют:

- но тогда Лауэ считал, что атомы неподвижны;

сумма по элем. яч.

- электронная плотность по отношению к центру

полное распределение электронной плотности ячейки

- атомный форм-фактор (интеграл можно вынести за знак Σ)

Выполним усреднение по всем возможным конфигурациям. Обозначим термодинамическое усреднение.

термодинамические максимумы не зависят от ячейки => выносим за знак Σ

фактор Дебая-Уоллера
изменение амплитуды рассеяния
резкие максимумы сохраняются

 

u2- среднеквадратичное смещение;

 

независящая от Т, определяется атомным форм-фактором

- определяет среднюю потенциальную энергию колебаний

 

22. Ангармонические эффекты в кристаллах. Тепловое расширение.

норм. константа
ф-ция распред. Максвелла-Больцмана
Ангармонические эффекты – эффекты, связанные с выходом за рамки гармонического приближения.

 

       
 
гармоническое приближение
 
ангармонические эффекты

 


Как правило, вклад ангармонических слагаемых мал. Но существует ряд эффектов, само существование которых обуславливает ангармонические эффекты:

1) уширение однофононных максимумов в сечении неупругого рассеяния нейтронов;

2) тепловое расширение;

3) теплопроводность.

С точки зрения квантовой теории ангармонические эффекты приводят к взаимодействию фононов.

операторы уничтожения и рождения фононов

 

Квантовый гамильтониан фононов записывается следующим образом:

 

Тепловое расширение – еще один из ангармонических эффектов.

Кристалл не расш. без учета ангарм. членов, т.к.

(х – обобщенная координата)

Рассмотрим изменение среднего смещения с изменением Т:

- в ангарм. приближении (коэф. условны)

- при больших х становится меньше, но не имеет минимума

=> необходимо учитывать члены 4-го порядка


23. Теплопроводность решетки. Процессы переброса.

 

В диэл. и в значительной степени в п/п тепловодность кристалла определяется фононами. Для описания теплопроводности можно воспользоваться формулами МКТ:

Скорость фиксир. и при низких Т определяется скоростью звука

В гармоническом приближении фононы не взаим. друг с другом => рассеяние происходит только дефектах или на пов-ти образца конечных размеров. Т.е. в идеальном бесконечном кристалле но ангарм. члены в потенц. энергии приводят к рассеянию фононов.

Следует различать 2 вида процессов рассеяния:

1) нормальные процессы

N-процессы

 

2) процессы переброса

закон сохранения квазиимпульса выполняется с точностью до - вектора обр. решетки. Сохранение импульса возникает из инвариантности пространства относительно сдвига

Норм. процессы не приводят к ограничению теплопроводности, не меняют потока тепла. И только процессы переброса приводят к возникновению теплового сопротивления.

 

Матричный элемент описывает взаимодействие:


В крист. процессы рассеяния со сдвигом не приводят к нарушению закона сохр. импульса. Не возникает теплового сопротивления в процессах переноса.

I з. Брил.:

 


24. Взаимодействие эл-нов с колебаниями решетки. Деформационный потенциал.

 

Взаимодействие эл-нов с фононами имеет те же механизмы, что и взаимодействие со статичными атомами.

1) деформационный потенциал:

при смещении ат. решетки изменение межат. расстояния и углов м/у связями изменяет энерг. спектр крист., а следовательно и энергию эл-нов

n, n+1 – атомы
Проще всего это понять в ППС:


 

 

2) Поляризационное взаимодействие

В ионных крист. при смещении атомов возникает эл-я поляризация элем. ячейки и связанное с ней эл. поле, кот. также изменяет энергию носителей заряда. При акустических колебаниях поляриз. ячейки не возникает (ат. смещ. синфазно) => они взаимодействуют с эл-нами посредством деформационного потенциала.

При оптических колебаниях атом. в ячейке смещ-ся друг относительно друга, взаимодействие опт. колебаний с эл-нами осуществляется как посредством деформ. потенциала, так и поляриз. взаимодействия. Т.к. дипольный момент ячейки меняется.

Ясно, что взаимодействие эл-нов с колебаниями и смещениями решетки не может меняться, т.к. тогда бы взаимодействие менялось и при сдвиге крист. как целого. Определяется только относительным смещением:

 

- симметричный тензор 2-го ранга, тензор деформации.

 

Силовые взаимодействия характеризуются тензором напряжений

 

 

Энергия – скаляр, её можно связать либо с деформацией, либо с напряжениями:

В главных осях:

след матрицы
В случае, если точка лежит на оси симметрии

- относительное изменение объема кристалла при деформации;


2) Дебая ();

-число степеней свободы в этой сфере интегрирование равно числу степ. в кристалле.)

- объем для каждого фонона.

 

       
   
 

 

 


(главное чтобы не менялось число степеней свободы)

- предел интеграла по Дебаю. ()

- Дебаевская частота, соответствует максимальной возможной частоте колебаний решетки.

, Дебаевская температура- это температура, прм которой в системе возбуждены все нормальные моды и все фононы. (Si 625 k, Ge 360 K, Алмаз 1860 K)

 


Сопоставим 2 способа описания колебаний решетки, классич. и квантовомеханический:

Классический Квантовомеханический
нормальные моды колебаний Фононы данного типа
число различных норм. мод =3nN число различных фононов =3Nn
типы мод: 3 – акуст., 3(n-1) – оптические типы фононов: 3 – акуст., 3(n-1) – оптические
– квазиимпульс, N значений
частота Энергия
Амплитуда норм. мод: Число фононов данного типа:

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля

Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
С точки зрения зонной теории пов-ть предст. собой нарушение периодич. крист. т.е дефект. С дефектами м.б. связаны локал

Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
Если есть сост., то оно м.б. либо заполнено, либо не заполнено. Сущ. некий уровень E0–уровень электронейтральности, такой что если уровень Ферми совпадет с ур.

Р-n переходе.
Ток – состояние неравновесное, можно ввести квазиуровни Ферми.

ВАХ реального диода.
1 и 3 области – причина токов генерации и рекомбинации в объеме перехода.

Проблема пиннинга уровня Ферми поверхностными состояниями.
Биполярный транзистор представляет собой два p-n перехода, включеных навстречу друг другу. База тонкая

Контакты металл – полупроводник.
Контакт Шоттки: вольт – амперная характеристика.

ВАХ контакта Шоттки.
Положительное смещение соответствует минусу на Ме и плюсу на п/п n типа (зоны смещаются вверх). При положительном барьер уменьшается, при отрицательном сужается (возрастает).

Распределение квазиуровней Ферми.
В диодной теории: В диффузионной теории: Скачком меняется квазиуровень Фер

Экспериментальные методы исследования фононного спектра.
Чтобы определить закон дисперсии фононов необходимо подобрать такое воздействие, эн. кот. будет соответствовать энергии фононов. Макс. энергия фононов опр-ся

Критерий Линдемана
Критерий устойчивости кристаллической решетки. – для подавляющего большинства твердых тел

Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений АIIIBV от давления.
Известно, что в Si , в Ge, GaAs

Природа и свойства связанных состояний.
Образование квантовых состояний представляет собой чисто квантово0-механическое явление, т.к. в классической физике система разноименно заряженных частиц, взаимодействующих по закону Кулона, неусто

Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
Ранее рассматривались примеси без учета их взаимодействия друг с другом (ситуация одиночной примеси). При увеличении ко

Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
1. Механизм Андерсена:   Центры ям расположены периодически, а глубины хаотично меняются.

Свойства глубоких уровней.
1. Амфотерность – любая примесь может быть и донором и акцептором. 2. Многозарядность – один и тот же примесный атом может создавать несколько различных уровней с различающимся зарядом.

Методы описания
Метод эффективной массы вследствие r0~a(переменной решетки), не применим(волновая функция плавно меняется на периоде решетки!). Для наглядного описания модно пользоваться методом сильной

Оптические свойства диэлектриков.
, где

Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
В Ме принцип Паули жёстко фиксирует состояние частиц. Изменить его можно только электроном в узком слое вблизи поверхности Ферми

Приближение среднего поля.
Вейсс предположил, что наряду с внешним полем действует и внутреннее молекулярное поле Вейсса: , где Н – внешнее поле,

Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
Внутреннее молекулярное поле Вейсса. Впервые идею о внутреннем молекулярном поле в ферромагнетике, вызывающем самопроиз

Опыт Дорфмана.
Через тон­кую никелевую фольгу толщиной - 20 мкм, помещенную между полюсами электромагнита нормально к ее поверхнос­ти, пропускался пучок электронов. При постановке опыта никелевая фольга была нама

Микроскопическая природа ферромагнетизма
Атомы или ионы приобретают магнитный момент, как правило, если они имеют нескомпенсированные спины электронов. Например в атомах железа на внутренней 3d-оболочке имеется четыре нес

Обменное взаимодействие.
  Причина магнитного упорядовачиния связана с кулоновским взаимодействием электронов.Которое зависит от спина.Когда мы рассматриваем основные приближения зонной теории то при описании

Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
  Возникновение доменов связывают со стремлением системы уменьшить энергию магнитных полей, возникающую, если на поверхности образца имеется отличная от нуля компонента вектора намагн

Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
Квантование потока. В сверхпроводнике имеет место эффект Мейсснера:

Теория Гинзбурга-Ландау
Будем описывать теорией фазовых переходов II рода. Вопрос состоит в том, чтобы выбрать в качестве параметра порядка. Гинзбург и Ландау в качестве параметра порядка предложили взять

Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.
Существует два эффекта – стационарный и нестационарный. Стационарный. 1 – сверхпроводник 2 – сверхпроводник 3 – диэлектрик это туннельный контакт

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги