Реферат Курсовая Конспект
Устройство и основные физические процессы - раздел Электроника, ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ Полупроводниковым Диодом Называется Электропреобразовательный Полупроводнико...
|
Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий 2 вывода.
Структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом и его условное графическое обозначение приведены на рис. 1.2, а, б.
Буквами р и п обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно р-типа и n-типа.
Обычно концентрации основных носителей заряда (дырок в слое р и электронов в слое п) сильно различаются. Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию, называют эмиттером, а имеющий меньшую концентрацию, — базой.
Далее рассмотрим основные элементы диода (р-n-пе-реход и невыпрямляющий контакт металл-полупровод-ник), физические явления, лежащие в основе работы диода, а также важные понятия, использующиеся для описания диода. Глубокое понимание физических явлений и владение указанными понятиями необходимо не только для того, чтобы правильно выбирать конкретные типы диодов и определять режимы работы соответствующих схем, выполняя традиционные расчеты по той или иной методике. В связи с быстрым внедрением в практику инженерной работы современных систем схемотехнического моделирования эти явления и понятия приходится постоянно иметь в виду при выполнении математического моделирования. Системы моделирования быстро совершенствуются, и математические модели элементов электронных схем все более оперативно учитывают самые «тонкие» физические явления. Это делает весьма желательным постоянное углубление знаний в описываемой области и необходимым понимание основных физических явлений, а также использование соответствующих основных понятий.
Приведенное ниже описание основных явлений и понятий, кроме прочего, должно подготовить читателя к систематическому изучению вопросов математического моделирования электронных схем.
Рассматриваемые ниже явления и понятия необходимо знать при изучении не только диода, но и других приборов.
Структура р-п-перехода. Вначале рассмотрим изолированные друг от друга слои полупроводника (рис. L3).
Изобразим соответствующие зонные диаграммы (рис. 1.4).
В отечественной литературе по электронике уровни зонных диаграмм и разности этих уровней часто характеризуют потенциалами и разностями потенциалов, измеряя их в вольтах, например, указывают, что ширина запрещенной зоны ф3 Для кремния равна 1,11 В.
В то же время зарубежные системы схемотехнического моделирования реализуют тот подход, что указанные уровни и разности уровней характеризуются той или иной энергией и измеряются в электронвольтах (эВ), например, в ответ на запрос такой системы о ширине запрещенной зоны в случае кремниевого диода вводится величина 1,11 эВ.
В данной работе используется подход, принятый в отечественной литературе.
Теперь рассмотрим контактирующие слои полупроводника (рис. 1.5).
В контактирующих слоях полупроводника имеет место диффузия дырок из слоя р в слой и, причиной которой является то, что их концентрация в слое р значительно больше их концентрации в слое п (существует градиент концентрации дырок). Аналогичная причина обеспечивает диффузию электронов из слоя п в сдой р. Диффузия дырок из слоя р в слой п, во-первых, уменьшает их концентрацию в приграничной области слоя р и, во-вторых, уменьшает концентрацию свободных электронов в приграничной области слоя п вследствие рекомбинации. По-
добные результаты имеет и диффузия электронов из слоя п в слой р.
В итоге в приграничных областях слоя р и слоя п возникает так называемый обедненный слой, в котором мала концентрация подвижных носителей заряда (электронов и дырок). Обедненный слой имеет большое удельное сопротивление. Ионы примесей обедненного слоя не компенсированы дырками или электронами. В совокупности ионы образуют некомпенсированные объемные заряды, создающие электрическое поле с напряженностью Е, указанной на рис. 1.5, Это поле препятствует переходу дырок из слоя р в слой п и переходу электронов из слоя п в слой р. Оно создает так называемый дрейфовый поток подвижных носителей заряда, перемещающий дырки из слоя n в слой р и электроны из слоя р в слой п. В установившемся режиме дрейфовый поток равен диффузионному, обусловленному градиентом концентрации. В несимметричном р-n-переходе более протяженным является заряд в слое с меньшей концентрацией примеси, т. е. в базе.
Изобразим зонную диаграмму для контактирующих слоев (рис. 1.6), учитывая, что уровень Ферми для них является единым.
Рассмотрение структуры р-n-перехода и изучение зонной диаграммы (рис. 1.6) показывают, что в области перехода возникает потенциальный барьер. Для кремния высота Dф потенциального барьера примерно равна 0,75 В.
Примем условие, что потенциал некоторой удаленной от перехода точки в слое р равен нулю. Построим график зависимости потенциала (р от координаты х соответствующей точки (рис. 1.7). Как видно из рисунка, значение координаты х = 0 соответствует границе слоев полупроводника.
Важно отметить, что представленные выше зонные диаграммы и график для потенциала f (рис. 1.7) строго соответствуют подходу, используемому в литературе по физике полупроводников, согласно которому потенциал определяется для электрона, имеющего отрицательный заряд.
В электротехнике и электронике потенциал определяют как работу, совершаемую силами поля по переносу единичного положительного заряда.
Построим график зависимости потенциала fэ, определяемого на основе электротехнического подхода, от координаты х (рис. 1.8).
Ниже индекс «э» в обозначении потенциала будем опускать и использовать только электротехнический подход (за исключением зонных диаграмм).
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
ЭЛЕКТРОННЫХ... СХЕМ... В данной главе рассматриваются следующие элементы электронных схем указанные на рис...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Устройство и основные физические процессы
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов