Графический анализ схем с полевыми транзисторами.

Для лучшего уяснения принципа работы схем с полевы­ми транзисторами полезно провести графический анализ одной из них (рис. 1.91). Пусть E_С = 4B; определим, в ка­ких пределах будет изменяться напряжение и_ис при изме­нении напряжения и_зи от 0 до 2В.

При графическом анализе используется тот же подход, который был использован при анализе схем с диодами и биполярными транзисторами. Для рассматриваемой схе-

мы, в которой напряжение между затвором и истоком рав­но напряжению источника напряжения и_зи, нет необходи­мости строить линию нагрузки для входной цепи. Линия нагрузки для выходной цепи задается выражением E=i_c * R_c+u_uc.

Построим линию нагрузки на выходных характеристи­ках транзистора, представленных на рис. 1.92. Из рисун­ка следует, что при указанном выше изменении напряже­ния и_зи напряжение и_ис будет изменяться в пределах от 1 до 2,6 В, что соответствует перемещению начальной рабо­чей точки от точки А до точки В. При этом ток стока бу­дет изменяться от 1,5 до 0,7 мА.

Стокозатворные характеристики (характеристики пе­редачи, передаточные, переходные, проходные характерис­тики). Стокозатворной характеристикой называют зави­симость вида

где f— некоторая функция.

Такие характеристики не дают принципиально новой информации по сравнению с выходными, но иногда бо­лее удобны для использования. Изобразим стокозатвор­ные характеристики для транзистора КП103Л (рис. 1.93).

Для некоторых транзисторов задается максимальное (по модулю) допустимое отрицательное напряжение и_зи, например, для транзистора 2П103Д это напряжение не должно быть по модулю больше чем 0,5 В.