Частотные (динамические) свойства транзистора. В

полевом транзисторе в отличие от биполярного отсутству­ют инжекция неосновных носителей и их перемещение по каналу, и поэтому не эти явления определяют динамичес­кие свойства. Инерционность полевого транзистора опре­деляется в основном процессами перезаряда барьерной емкости p-n-перехода. Свое влияние оказывают также па­разитные емкости между выводами и паразитные индук­тивности выводов.

В справочных данных часто указывают значения сле­дующих дифференциальных емкостей, которые перечис­лим ниже:

• входная емкость С_зи — это емкость между затвором
и истоком при коротком замыкании по переменно­му току выходной цепи;

• проходная емкость С_зс — это емкость между затво­ром и стоком при разомкнутой по переменному току
входной цепи;

• выходная емкость С_ис — это емкость между истоком
и стоком при коротком замыкании по переменному току входной цепи.

Для транзистора КП103Л С_зи £ 20 пФ, С_зс £ 8 пФ при и_ис=10В и и_зи=0.

Крутизну S, как и коэффициент b биполярного тран­зистора, в ряде случаев представляют з форме комплекс­ного числа. При этом, как и для коэффициента , оп­ределяют предельную частоту f_nped. Это та частота, на которой выполняется условие:

где S_nm — значение на постоянном токе.

Для транзистора КП103Л данные no f_nped в использован­ных справочниках отсутствуют, но известно, что его отно­сят к транзисторам низкой частоты (предназначенным для работы на частотах до 3 МГц).