рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Электроника
/
Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение. - раздел Электроника, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Крутизна Стокозатворной Характеристики S (Крутизна Характерис...

Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна

характеристики полевого транзистора):

Обычно задается и_зи = 0. При этом для транзисторов рассматриваемого типа крутизна максимальная. Для КП103Л S = 1,8...3,8 мА/В при и_ис = 10В, и_зн= 0, t = 20°С.

Внутреннее дифференциальное сопротивление R_uc _диф

(внутреннее сопротивление)

Для КП103Л R_uc _диф » 25 кОм при и_ис=10В, u_зн=0. Коэффициент усиления

Для КП103Л при S=2mA/B и R_uc _диф= 25кОм М = = 2 (мА/В) • 25 кОм = 50.

Инверсное включение транзистора. Полевой транзистор, как и биполярный, может работать в инверсном режиме. При этом роль истока играет сток, а роль стока — исток.

Прямые (нормальные) характеристики могут отличаться от инверсных, так как области стока и истока различаются конструктивно и технологически.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Полевой транзистор является очень широко использу емым активным т е способным усиливать сигналы по лупроводниковым прибором Впервые он был... Полевыми транзисторами называют активные полу проводниковые приборы в которых...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Устройство и основные физические процессы
Устройство транзистора. Дадим схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом р-типа (рис. 1.85) и условное графическое обоз

Характеристики и параметры
Кратко охарактеризуем различные схемы включения полевого транзистора и рассмотрим его характеристики и параметры. Схемы включения транзистора. Для полевого транзистор

Графический анализ схем с полевыми транзисторами.
Для лучшего уяснения принципа работы схем с полевыми транзисторами полезно провести графический анализ одной из них (рис. 1.91). Пусть EС = 4B; определим, в каких пределах будет изменя

Частотные (динамические) свойства транзистора. В
полевом транзисторе в отличие от биполярного отсутствуют инжекция неосновных носителей и их перемещение по каналу, и поэтому не эти явления определяют динамические свойства. Инерционность полевог

Универсальная модель.
Опишем с некоторыми несущественными упрощениями модель, использующуюся в пакете программ Micro-Cap II. Приведем эквивалентную схему транзистора (рис. 1.94), где обозначено: •

Полевых транзисторов
Полевые транзисторы с изолированным затвором. В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых приборах