Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора

Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора. Расчет геометрических размеров n-p-n транзистора производится в соответствии с методикой приведенной в пункте 2.1 следовательно, все расчет производятся исходя из размеров области эмиттера.

Расчет области эмиттера производим исходя из минимального геометрического размера достижимого используемым методом литографии по формуле 2.1 и по максимальному эмиттерному току по формуле 2.2. Но так как мы не имеем исходных данных для расчета по этим формулам то, размер эмиттерной области можно провести по эмпирической формуле, полученной опытным путем. I эmах0,16 Пэф, 3.1 где Iэmах эмиттерный ток, превышение которого вызывает переход к высокому уровню инжекции Пэф эффективный периметр эмиттера.

Так как в задании на курсовой проект не указан максимальный удельный ток эмиттера, то исходя из того что схема маломощная примем Iэmах 2 мА. Размеры эмиттера определяются упрощенной формулой 3.1. Пэфф 12,5 мкм При работе транзистора фактически инжектирует только та часть эмиттера, которая ближе к базовому контакту. Тогда расчетный размер эмиттера выберем равным 14 мкм. Таким образом, эмиттер транзистора будет иметь квадратную форму со стороной bэ lэ 14 мкм, а размер контактного окна к эмиттерной области выберем равным минимальному размеру окна в окисле dmin bэк lэк 6 мкм. Из задания на курсовой проект погрешность совмещения фотошаблонов и погрешность при изготовлении фотошаблона равны Дсовм Дфш 0,5 мкм, минимальный размер окна в окисле dmin 6 мкм. Все остальные геометрические размеры транзистора рассчитываются по формулам, приведенным в пункте 2. Длина области базы рассчитывается по формуле 2.4 lб 14 46 20,5 0,5 39,5 мкм. Примем lб 40 мкм. Ширина области базы рассчитывается по формуле 2.5 bб 14 26 20,5 0,5 27,5 мкм. Примем bб 28 мкм. Длина окна контакта к базовой области равна минимальному размеру окна в окисле lбк dmin 6 мкм, ширина bбк bб 2dmin 2Дфш Дсовм 28 12 1 0,5 15,5 мкм. Примем bбк 14 мкм. a hэс xjкб2Дфш Дсовм 8 2,5 1 0,5 12 мкм, с hэсxjэб2Дфш Дсовм 8 1,7 1 0,5 11,2 мкм. Примем с 12 мкм. f xiкбxjэб2Дфш Дсовм 2,5 1,7 1 0,5 5,7 мкм. Примем f 6 мкм. 28 24 1 0,5 53,5 мкм. Примем bк 54 мкм. Геометрические размеры подконтактной области коллектора рассчитываются по формулам 18 1 0,5 19,5 мкм. Примем lкк 18 мкм. 54 24 1 0,5 31,5 мкм. Примем bкк 30 мкм. 40 18 12 12 6 1 0,5 89,5 мкм, Примем lк 90 мкм. 3.2