рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Список использованных источников

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Список использованных источников

Список использованных источников - раздел Связь, Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Список Использованных Источников. Матсон Э.а Крыжановский Д.в. Справочное Пос...

Список использованных источников. Матсон Э.А Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем Мн. Высш. шк. 1982 2. Конструирование и технология микросхем.

Курсовое проектирование Учеб. пособие для вузов. Коледов Л.А Волков В.А Докучаев Н.Н. и др. Под ред. Л.А. Коледлва М. Высш. шк 1984. 231с ил. 3. Березин А.С Мочалкина О.В. Технология и конструирование интегральных схем М. Радио и связь 1983 г 4. Курносов.

А. И Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых и интегральных микросхем М. Высшая школа, 1986 г. 368 с.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней

Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии… Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и… К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования получение исходных данных расчет геометрических размеров…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Список использованных источников

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС
Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС. Основной структурой, определяющей электрические параметры и характеристики микросхемы, является транзистор. Поэтому, исходя из требований, предъявляе

Основные правила проектирования топологии ИМС
Основные правила проектирования топологии ИМС. Главное требование при разработке топологии - максимальная плотность упаковки элементов при минимальном количестве пересечений межэлементных соединени

Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС
Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС. В данном разделе приведена методика расчетов геометрических размеров биполярных транзисторов и геометрических размеров резисторов. 2.1

Расчет геометрических размеров резисторов
Расчет геометрических размеров резисторов. Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдельных диффузионных слоев транзисторной структуры или из поликремния. Исходными

Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора
Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора. Расчет геометрических размеров n-p-n транзистора производится в соответствии с методикой приведенной в пункте 2.1 следовательно, все ра

Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора
Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора. Горизонтальный транзистор отличатся от вертикального тем, что до коллекторной области доходят только те носители, которые инжектируют б

Расчет геометрических размеров диффузионного резистора
Расчет геометрических размеров диффузионного резистора. В схеме генератора Приложение 1 присутствуют 6 резисторов. Наибольшее распространение получили диффузионные резисторы на основе базово

Проектирование топологии ИМС
Проектирование топологии ИМС. Исходными данными являются принципиальная электрическая схема геометрические размеры элементов. На этом этапе решаются такие вопросы, как определение необходимо