рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых

Работа сделанна в 2000 году

Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых - Дипломная Работа, раздел Программирование, - 2000 год - Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения Моделирование И Компьютерный Расчет Характеристических Кривых. Для Определени...

Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых. Для определения числа фотонов, поглощенных в пределах ОПЗ и давших вклад в ток короткого замыкания, воспользуемся законом Бугера-Ламберта.

Пусть L0-количество световых квантов попадающих на единицу поверхности слоя CdS в единицу времени L1-доля квантов дошедших до начала ОПЗ L2-доля квантов достигших металлургической границы 20 21где k - коэффициент поглощения CdS d - толщина слоя CdS W0 - темновое значение протяженности ОПЗ. Вклад в Iкз дадут поглощенные в ОПЗ фотоны 22Определяя напряженность электрического поля на гетерогранице, воспользуемся тем, что она зависит лишь от суммарного заряда в приконтактной области.

По теореме Остроградского-Гаусса 23где - диэлектрическая проницаемость CdS Nd - объемная плотность ионизированных доноров в CdS. Поскольку фоточувствительность в системе ГОСТ определяется в области недодержек, вполне справедливым будет предположение о том, что за достаточно малое время t протяженность ОПЗ не успевает существенно измениться и остается приблизительно равным W0. Это облегчает определение зависимости напряженности электрического поля от времени при экспонировании 24 25где - квантовый выход.

В данном случае можно ввести понятие приведенной экспозиции 26С учетом 26, напряженность электрического поля 25, на любом этапе экспонирования, перепишется следующим образом 27В представленных экспериментальных данных фигурирует освещенность Е, выраженная в люксах.

Следовательно, L0 можно записать следующим образом 28где - световая эффективность, используемая для перевода в систему единиц ГОСТ - энергия фотона длинноволновой подсветки. Учитывая все вышеизложенное, 8 запишется в виде 29или в развернутом виде с учетом 26, 27 и 28 30Выражение 30, просчитанное и представленное в координатах LgIкз от LgEt, является теоретической моделью характеристической кривой ФСИ на основе гетероперехода CdS-Cu2S. Расчет был произведен программой MathCAD, а полученная в результате кривая представлена на рисунке 13. Также для сравнения дана усредненная экспериментальная кривая, которая была уже представлена на рис.12. Рис.13. Теоретическая и экспериментальная характеристические кривые. Совпадение расчетной кривой, с кривой полученной экспериментально, было достигнуто при следующих значениях Sf1.6106 n 10 d110-3 см Nd1 Iкз0110-6 A W0105.131 нм. Значение коэффициента k были взяты из 12. По теоретической кривой также были рассчитаны сенситометрические характеристики и оказались равным коэффициент контрастности 0.53 и фоточувствительность S15 ед. ГОСТа, что довольно близко к экспериментальным данным.

ВЫВОДЫ Преобразователь оптического изображения в электрические сигналы на основе гетероперехода СdS Cu2S может быть использован для регистрации слабых оптических изображений с последующей записью их элементов в память ЭВМ с возможной коррекцией фоточувствительности.

Так как в данном устройстве считывание изображения производится ИК - светом, то для него не требуется вакуум и высокое напряжение.

Благодаря возможности изготовления преобразователя большой площади и его высокой чувствительности - вероятной областью применения такого устройства может быть регистрация изображений, создаваемых крупными телескопами при астрономических наблюдениях. ФСИ на основе гетероперехода СdS Cu2S можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических слоев.

Спектральное распределение светочувствительности позволяет охарактеризовать формирователь сигналов изображения на основе ГП СdS Cu2S как зеленочувствительный по общепринятой классификации для фотографических слоев с коэффициентом контрастности 0,55 и фоточувствительностью 16 единиц ГОСТа. Рассчитанная на компьютере математическая модель характеристической кривой довольно точно повторяет экспериментальные данные, что говорит о пригодности ее для описания подобных характеристик любых ФСИ на основе гетероперехода СdS Cu2S, если известны параметры гетероперехода Sf, n d, Nd, Iкз0 и W0.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения

Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для… Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных… Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Общие свойства гетеропереходов
Общие свойства гетеропереходов. Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. Если полупроводники имеют одинаковый тип проводимости, то они образу

Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu
Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu. S. Система CdS-Сu2S представляет собой неидеальный анизотипный гетеропереход у которого различие постоянных кристаллических решеток контактирующих полуп

Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu
Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu. S. Гетеропереход CdS-Cu2S может находиться в двух различных состояниях. Одно из них - равновесное - обладает низкой чувствительнос

Технология изготовления гетеропары CdS-Cu
Технология изготовления гетеропары CdS-Cu. S. Получение тонкопленочного CdS. Основные методы изготовления гетероперехода в были разработаны при конструировании фотоэлементов. Впервые фотоэлемент с

Общие понятия о сенситометрии
Общие понятия о сенситометрии. Разнообразные фотографические методы, используемые для регистрации многих видов информации, характеризуются типичным физико-химическим единством. Все фо

Описание экспериментальной установки
Описание экспериментальной установки. В настоящей работе рассматривается попытка охарактеризовать ФСИ на основе ГП CdS-Cu2S обладающего, как и фотоматериалы, способностью накопления, с помощ

Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu
Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu. S. Структура преобразователя оптического изображения в электрический сигнал была показана

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги