ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
ЭЛЕМЕНТЫ
ЭЛЕКТРОННЫХ
СХЕМ
В данной главе рассматриваются следующие элементы электронных схем, указанные на рис. 1.1.
Много места отведено описанию устройства и основных физических процессов, характеристикам и параметрам элементов. Приводятся и математические модели этих элементов, дается анализ схем с рассматриваемыми элементами. Указываются особенности практического применения этих элементов.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
Краткое описание
Полупроводниковых материалов
В полупроводниках присутствуют подвижные носители заряда двух типов: отрицательные электроны и положительные дырки. Чистые (собственные) полупроводники в полупроводниковых приборах практически… Если в кристаллическую решетку 4-валентного кремния ввести примесь 5-валентного элемента (фосфора Р, сурьмы Sb,…Устройство и основные физические процессы
Структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом и его условное графическое обозначение приведены на рис. 1.2, а, б. Буквами р и п обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно…Прямое и обратное включение р-п-перехода. Идеализированное математическое описание характеристики перехода.
Подключим к р-n-переходу внешний источник напряжения так, как это показано на рис. 1.9. Это так называемое прямое включение р-n-перехода. В… барьер уменьшится на величину напряжения и (рис. 1ЛО), дрейфовый поток уменьшится, р-n-переход перейдет в…Невыпрямляющий контакт металл-полупроводник. Для
Получение невыпрямляющих контактов — не менее важная задача, чем получение p-n-переходов. Для кремниевых приборов в качестве металла контактов… Обозначим работу выхода для металла через Ам, а для полупроводника — через Аn.… Введем в рассмотрение так называемую контактную разность потенциалов fмп: fмп = fм - fп. Для определенности обратимся…Характеристики и параметры полупроводникового диода
Вначале будем полагать (см. рис. 1.25), что обратное напряжение (и < 0) по модулю меньше напряжения пробоя p-n-перехода. Тогда в первом… Тепловой ток is обусловлен генерацией неосновных носителей в областях, прилегающих к области р-и-пере-хода. Однако…Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы
В схеме, изображенной на рис. 1.33, необходимо определить ток, протекающий через диод, напряжение на диоде и напряжение на резисторе. Здесь ии — напряжение источника напряжения (известная величина). Запишем уравнение по 2-му закону Кирхгофа для…Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем
Математическая модель диода — это совокупность эквивалентной схемы диода и математических выражений, описывающих элементы эквивалентной схемы.… Управляемый источник тока iy моделирует статическую вольт-амперную характеристику: Математическое описание тока iy и…Классификация