рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Характеристики и параметры

Характеристики и параметры - раздел Электроника, Униполярные полевые транзисторы Кратко Охарактеризуем Различные Схемы Включения Полевого Транзистора И Рассмо...

Кратко охарактеризуем различные схемы включения полевого транзистора и рассмотрим его характеристики и параметры.

 

Схемы включения транзистора. Для полевого транзистора,как и для биполярного, выделяют три схемы включения. Для полевого транзистора это схемы с общим затвором (ОЗ), общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Наиболее часто используются схемы с общим истоком.

Для понимания особенностей работы некоторого электронного устройства очень полезно уметь относить конкретное решение к той или иной схеме включения (если схема такова, что это в принципе возможно).

Моделирующие программы при замене транзистора математической моделью никак не учитывают способ включения транзистора. Важно понять, что если даже на стадии разработки математической модели имеет место ориентация на конкретную схему включения, то на стадии использования эта модель должна правильно моделировать транзистор во всех самых различных ситуациях/

При объяснении влияния напряжения иис на ширину р-n-перехода фактически использовалась схема с общим истоком (см. рис. 1.87). Рассмотрим характеристики, соответствующие этой схеме (что общепринято).

Так как в рабочем режиме iз=0, iи » iс, входными харак­теристиками обычно не пользуются. Например, для транзистора КП103Л, подробно рассматриваемого ниже, для тока утечки затвора IЗ.УТ при t<85°С выполняется условие IЗ.УТ £ 2 мкА.

Изобразим схему с общим истоком (рис. 1.89).

Выходные (стоковые) характеристики. Выходной характеристикой называют зависимость вида

 

где f — некоторая функция.

 

Изобразим выходные характеристики для кремниевого транзистора типа КП103Л с р-n-переходом и каналом р-типа (рис. 1.90).

Обратимся к характеристике, соответствующей условию uзи=0. В так называемой линейной области ис < 4 В) характеристика почти линейна (все характеристики этой

области представляют собой почти прямые линии, веерообразно выходящие из начала координат). Она определяется сопротивлением канала. Транзистор, работающий в линейной области, можно использовать в качестве линейного управляемого сопротивления.

При иис » 3 В канал в области стока перекрывается. Дальнейшее увеличение напряжения приводит к очень незначительному росту тока iс, так как с увеличением напряжения область, в которой канал перекрыт (характеризующаяся очень большим удельным сопротивлением), расширяется. При этом сопротивление на постоянном токе промежутка исток-сток увеличивается, а ток ic практически не изменяется.

Ток стока в области насыщения при изи = 0 и при заданном напряжении иис называют начальным током стока и обозначают через Iс нач. Для рассматриваемых характеристик Iс нач = 5 мА при uис=10B. Для транзистора типа КП103Л минимальное значение тока Iс нач равно 1,8 мА, а максимальное — 6,6 мА. При иис > 22 В возникает пробой р-п-перехода и начинается быстрый рост тока.

Теперь кратко опишем работу транзистора при различных напряжениях изи Чем больше заданное напряжение изи, тем тоньше канал до подачи напряжения иис и тем ниже располагается характеристика.

Как легко заметить, в области стока напряжение на p-n-переходе равно сумме изиис. Поэтому чем больше напряжение изи, тем, меньше напряжение иис, соответствующее началу пробоя.

Когда изи = 3 В, канал оказывается перекрыт областью р-п-перехода уже до подачи напряжения иис. При этом до пробоя выполняется условие iс » 0. Таким образом, Uзи omc »ЗВ.

Для рассматриваемого типа транзистора минимальное напряжение отсечки +2 В, а максимальное +5 В. Эти ве­личины соответствуют условию iс » 10 мкА. Это так назы­ваемый остаточный ток стока, который обозначают черезIс ост.

Полевой транзистор характеризуется следующими предельными параметрами (смысл которых понятен из обозначений): Uис макс, Uзс макс , Pмакс

Для транзистора КП103Л Uис макс =10 В, Uзс макс =15 В, Pмакс =120 мВт (все при t = 85oС).

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Униполярные полевые транзисторы

Рассмотрим две математические модели полевого транзистора... Универсальная модель Приведем...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Характеристики и параметры

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Униполярные (полевые) транзисторы
  3.3.1. Определение 3.3.2 Оcновные отличия полевых транзисторов от биполярных 3.3.3.. Назначение 3.3.4. Классификация и краткая характеристика различных ти

Униполярные (полевые) транзисторы
Полевой транзистор является очень широко используемым активным (т. е. способным усиливать сигналы) полупроводниковым прибором. Впервые он был предложен в 1930 г. Полевыми транзисторами наз

Устройство и основные физические процессы
Устройство транзистора. Дадим схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом р-типа (рис. 1.85) и условное графическое

Графический анализ схем с полевыми транзисторами.
Для лучшего уяснения принципа работы схем с полевыми транзисторами полезно провести графический анализ одной из них (рис. 1.91). Пусть EС = 4B; определим, в каких пределах будет изменять

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.
Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна характеристики полевого транзистора):

Универсальная модель.
Опишем с некоторыми несущественными упрощениями модель, использующуюся в пакете программ Micro-Cap II. Приведем эквивалентную схему транзистора (рис. 1.94), где обозначено: · r

Разновидности полевых транзисторов
  Полевые транзисторы с изолированным затвором. В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводни­ка слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых пр

Применение принципа полевого транзистора
Рассмотрим использование идей, реализованных в полевых транзисторах, в более сложных электронных устройствах.   Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолиро

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги