Графический анализ схем с полевыми транзисторами.

Для лучшего уяснения принципа работы схем с полевыми транзисторами полезно провести графический анализ одной из них (рис. 1.91). Пусть E_С = 4B; определим, в каких пределах будет изменяться напряжение и_ис при изме­нении напряжения и_зи от 0 до 2В.

При графическом анализе используется тот же подход, который был использован при анализе схем с диодами и биполярными транзисторами. Для рассматриваемой схе-

мы, в которой напряжение между затвором и истоком равно напряжению источника напряжения и_зи, нет необходи­мости строить линию нагрузки для входной цепи. Линия нагрузки для выходной цепи задается выражением E=i_c * R_c+u_uc.

Построим линию нагрузки на выходных характеристи­ках транзистора, представленных на рис. 1.92. Из рисунка следует, что при указанном выше изменении напряжения и_зи напряжение и_ис будет изменяться в пределах от 1 до 2,6 В, что соответствует перемещению начальной рабочей точки от точки А до точки В. При этом ток стока будет изменяться от 1,5 до 0,7 мА.

Стокозатворные характеристики (характеристики передачи, передаточные, переходные, проходные характеристики). Стокозатворной характеристикой называют зависимость вида

где f— некоторая функция.

Такие характеристики не дают принципиально новой информации по сравнению с выходными, но иногда более удобны для использования. Изобразим стокозатворные характеристики для транзистора КП103Л (рис. 1.93).

Для некоторых транзисторов задается максимальное (по модулю) допустимое отрицательное напряжение и_зи, например, для транзистора 2П103Д это напряжение не должно быть по модулю больше чем 0,5 В.