Реферат Курсовая Конспект
Разновидности полевых транзисторов - раздел Электроника, Униполярные полевые транзисторы Полевые Транзисторы С Изолированным Затвором. ...
|
Полевые транзисторы с изолированным затвором. В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых приборах обычно используется двуокись кремния. Эти транзисторы обозначают аббревиатурой МОП (металл-окисел-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник). В англоязычной литературе их обычно обозначают аббревиатурой MOSFET или MISFET (Metal-Oxide (Insulator) — Semiconductor FET). В свою очередь МДП-транзисторы делят на два типа.
В так называемых транзисторах со встроенным (собственным) каналом (транзистор обедненного типа) и до подачи напряжения на затвор имеется канал, соединяющий исток и сток.
В так называемых транзисторах с индуцированным каналом (транзистор обогащенного типа) указанный выше канал отсутствует.
МДП-транзисторы характеризуются очень большим входным сопротивлением. При работе с такими транзисторами надо предпринимать особые меры защиты от статического электричества. Например, при пайке все выводы необходимо закоротить.
МДП-транзистор со встроенным каналом. Канал можетиметь проводимость как p-типа, так и n-типа. Для определенности обратимся к транзистору с каналом p-типа. Дадим схематическое изображение структуры транзистора (рис. 1.97), условное графическое обозначение транзистора с каналом p-типа (рис. 1.98, а) и с каналом n-типа (рис. 1.98, б). Стрелка, как обычно, указывает направление от слоя р к слою n.
Рассматриваемый транзистор (см. рис. 1.97) может работать в двух режимах: обеднения и обогащения.
Режиму обеднения соответствует положительное напряжение изи. При увеличении этого напряжения концентрация дырок в канале уменьшается
(так как потенциал затвора больше потенциала истока), что приводит к уменьшению тока стока.
Если напряжение изи больше напряжения отсечки, т. е. если uзи > Uзи omc, то канал не существует и ток между истоком и стоком равен нулю.
Режиму обогащения соответствует отрицательное напряжение изи. При этом чем больше модуль указанного напряжения, тем больше проводимость канала и тем больше ток стока.
Приведем схему включения транзистора (рис. 1.99). На ток стока влияет не только напряжение изи, но и напряжение между подложкой и истоком ипи. Однако управление по затвору всегда предпочтительнее, так как при этом входные токи намного меньше. Кроме того, наличие напряжения на подложке уменьшает крутизну.
Подложка образует с истоком, стоком и каналом p-n-переход. При использовании транзистора необходимо следить за тем, чтобы напряжение на этом переходе не смещало его в прямом направлении. На практике подложку подключают к истоку (как показано на схеме) или к точке схемы, имеющей потенциал, больший потенциала истока (потенциал стока
в приведенной выше схеме меньше потенциала истока).
Изобразим выходные характеристики МДП-транзистора (встроенный р-канал) типа КП201Д (рис. 1.100) и его стокозатворную характеристику (рис. 1.101).
МДП-транзистор с индуцированным (наведенным) каналом. Канал может иметь проводимость как р-типа, так и n-типа. Для определенности
обратимся к транзистору с каналом p-типа. Дадим схематическое изображение структуры транзистора (рис. 1.102), условное графическое обозначение транзистора с индуцированным каналом р-типа (рис. 1.103, а) и каналом n-типа (рис. 1.103, б).
При нулевом напряжении изи канал отсутствует (рис. 1.102) и ток стока равен нулю. Транзистор может работать только в режиме обогащения, которому соответствует отрицательное напряжение изи. При этом ииз > 0.
Если выполняется неравенство ииз > Uиз..порог , где Uиз..порог --- так называемое пороговое напряжение, то между истоком и стоком возникает канал p-типа, по которому может протекать ток. Канал p-типа возникает из-за того, что концентрация дырок под затвором увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, в результате чего концентрация дырок оказывается больше концентрации электронов. Описанное явление изменения типа проводимости называют инверсией типа проводимости, а слой полупроводника, в котором оно имеет место (и который является каналом), — инверсным (инверсионным). Непосредственно под инверсным слоем образуется слой, обедненный подвижными носителями заряда. Инверсный слой значительно тоньше обедненного (толщина инверс-ного слоя 1 • 10-9 ...5 • 10-9 м, а толщина обедненного слоя больше в 10 и более раз).
Изобразим схему включения транзистора (рис. 1.104), выходные характеристики (рис. 1.105) и стокозатворную характеристику (рис. 1.106) для МДП-транзистора с индуцированным р-каналом КП301Б.
Полезно отметить, что в пакете программ Micro-Cap II для моделирования полевых транзисторов всех типов используется одна и та же математическая модель (но, естественно, с различными параметрами).
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Рассмотрим две математические модели полевого транзистора... Универсальная модель Приведем...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Разновидности полевых транзисторов
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов