рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение. - раздел Электроника, Униполярные полевые транзисторы Крутизна Стокозатворной Характеристики S (Крутизна Характери...

Крутизна стокозатворной характеристики S

(крутизна характеристики полевого транзистора):

Обычно задается изи = 0. При этом для транзисторов рас­сматриваемого типа крутизна максимальная. Для КП103Л S = 1,8...3,8 мА/В при иис = 10В, изн= 0, t = 20°С.

 

Внутреннее дифференциальное сопротивление Ruc диф

(внутреннее сопротивление):

Для КП103Л Ruc диф » 25 кОм при иис=10В, uзн=0.

Коэффициент усиления по напряжению:

Можно заметить, что М = S Rис диф.

Для КП103Л при S=2mA/B и Ruc диф= 25кОм М = = 2 (мА/В) • 25 кОм = 50.

 

 

Инверсное включение транзистора. Полевой транзистор, как и биполярный, может работать в инверсном режиме. При этом роль истока играет сток, а роль стока — исток.

Прямые (нормальные) характеристики могут отличаться от инверсных, так как области стока и истока различа­ются конструктивно и технологически.

 

Частотные (динамические) свойства транзистора. В полевом транзисторе в отличие от биполярного отсутствуют инжекция неосновных носителей и их перемещение по каналу, и поэтому не эти явления определяют динамические свойства. Инерционность полевого транзистора определяется в основном процессами перезаряда барьерной емкости p-n-перехода. Свое влияние оказывают также паразитные емкости между выводами и паразитные индуктивности выводов.

В справочных данных часто указывают значения сле­дующих дифференциальных емкостей, которые перечислим ниже:

 

· входная емкость Сзи — это емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току выходной цепи;

 

· проходная емкость Сзс — это емкость между затвором и стоком при разомкнутой по переменному току входной цепи;

 

 

· выходная емкость Сис — это емкость между истоком и стоком при коротком замыкании по переменному току входной цепи.

 

Для транзистора КП103Л Сзи £ 20 пФ, Сзс £ 8 пФ при иис=10В и изи=0.

 

Крутизну S, как и коэффициент b биполярного транзистора, в ряде случаев представляют з форме комплексного числа . При этом, как и для коэффициента , оп­ределяют предельную частоту fnped. Это та частота, на которой выполняется условие:

 

где Snm — значение на постоянном токе.

 

Для транзистора КП103Л данные no fnped в использованных справочниках отсутствуют, но известно, что его относят к транзисторам низкой частоты (предназначенным для работы на частотах до 3 МГц).

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Униполярные полевые транзисторы

Рассмотрим две математические модели полевого транзистора... Универсальная модель Приведем...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Униполярные (полевые) транзисторы
  3.3.1. Определение 3.3.2 Оcновные отличия полевых транзисторов от биполярных 3.3.3.. Назначение 3.3.4. Классификация и краткая характеристика различных ти

Униполярные (полевые) транзисторы
Полевой транзистор является очень широко используемым активным (т. е. способным усиливать сигналы) полупроводниковым прибором. Впервые он был предложен в 1930 г. Полевыми транзисторами наз

Устройство и основные физические процессы
Устройство транзистора. Дадим схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом р-типа (рис. 1.85) и условное графическое

Характеристики и параметры
Кратко охарактеризуем различные схемы включения полевого транзистора и рассмотрим его характеристики и параметры.   Схемы включения транзистора. Для поле

Графический анализ схем с полевыми транзисторами.
Для лучшего уяснения принципа работы схем с полевыми транзисторами полезно провести графический анализ одной из них (рис. 1.91). Пусть EС = 4B; определим, в каких пределах будет изменять

Универсальная модель.
Опишем с некоторыми несущественными упрощениями модель, использующуюся в пакете программ Micro-Cap II. Приведем эквивалентную схему транзистора (рис. 1.94), где обозначено: · r

Разновидности полевых транзисторов
  Полевые транзисторы с изолированным затвором. В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводни­ка слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых пр

Применение принципа полевого транзистора
Рассмотрим использование идей, реализованных в полевых транзисторах, в более сложных электронных устройствах.   Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолиро

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги