рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Универсальная модель.

Универсальная модель. - раздел Электроника, Униполярные полевые транзисторы Опишем С Некоторыми Несущественными Упрощениями Модель, Использующуюся В Паке...

Опишем с некоторыми несущественными упрощениями модель, использующуюся в пакете программ Micro-Cap II.

Приведем эквивалентную схему транзистора (рис. 1.94), где обозначено:

· rи и rссоответственно объемные сопротивления истока и стока (это малые величины);

· iy — источник тока, управляемый напряжениями.

 

Приведем выражения, описывающие управляемый источник и полученные та основе анализа физических процессов:

 

 

 

 

для области отсечки


 

для линейной области

 

при 0< иис< Uзи omc – изи,

где b — так называемая удельная крутизна;

для области насыщения

при Uзи отс - изи £ иис

Продифференцируем последнее выражение по изи:

 

Отсюда следует, что при Uзи отс изи =1В b = S, что и объясняет название — удельная крутизна (но следует учи­тывать, что размерность (5 — А/В2 или мА/В2).

В соответствии с приведенными выражениями точки выходных характеристик, соответствующие началу режи­ма насыщения, должны лежать на параболе, которая опи­сывается следующим образом. На границе режима насы­щения выполняется условие: Uзи отс — uзи = uзи . Из выражений для тока iy как в линейной области, так и в области насы­щения получим:

Дадим графическую иллюстрацию (рис. 1.95).

 

 

 

Для реальных транзисторов такое разграничение ли­нейной области и области насыщения имеет место не все­гда (отрицательный пример — транзистор КП103Л).

С учетом сделанного замечания транзистор КП103Л в первом приближении можно описать приведенными вы­ражениями при b » 1,1 мА/В2.

 

Упрощенная эквивалентная схема для переменных со­ставляющих сигналов. Для учебных целей, а также имея в виду простые приближенные расчеты, рассмотрим экви­валентную схему, которую можно использовать, если из­вестно, что транзистор работает в режиме насыщения (которому соответствует область насыщения), и если ам­плитуда и частота сигнала достаточно малы (рис. 1.96). Знаком «~» отмечено, что используются переменные со­ставляющие сигналов.

 

 

Знак «минус» в выражении — S*изи- отражает тот факт, что при увеличении напряжения между затвором и исто­ком ток стока уменьшается.

 

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Униполярные полевые транзисторы

Рассмотрим две математические модели полевого транзистора... Универсальная модель Приведем...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Универсальная модель.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Униполярные (полевые) транзисторы
  3.3.1. Определение 3.3.2 Оcновные отличия полевых транзисторов от биполярных 3.3.3.. Назначение 3.3.4. Классификация и краткая характеристика различных ти

Униполярные (полевые) транзисторы
Полевой транзистор является очень широко используемым активным (т. е. способным усиливать сигналы) полупроводниковым прибором. Впервые он был предложен в 1930 г. Полевыми транзисторами наз

Устройство и основные физические процессы
Устройство транзистора. Дадим схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом р-типа (рис. 1.85) и условное графическое

Характеристики и параметры
Кратко охарактеризуем различные схемы включения полевого транзистора и рассмотрим его характеристики и параметры.   Схемы включения транзистора. Для поле

Графический анализ схем с полевыми транзисторами.
Для лучшего уяснения принципа работы схем с полевыми транзисторами полезно провести графический анализ одной из них (рис. 1.91). Пусть EС = 4B; определим, в каких пределах будет изменять

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.
Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна характеристики полевого транзистора):

Разновидности полевых транзисторов
  Полевые транзисторы с изолированным затвором. В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводни­ка слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых пр

Применение принципа полевого транзистора
Рассмотрим использование идей, реализованных в полевых транзисторах, в более сложных электронных устройствах.   Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолиро

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги