рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Вид работы: Курсовые Работы
/
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Работа сделанна в 1999 году

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1999 год - Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов Расчет Сопротивлений Эс И Граничных Частот. Задача Определение Сопротивлений ...

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот. Задача определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора.

Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ. 1. Дифференциальное сопротивление эмитера 27 , 1,438889 Ом. 2. Сопротивление базы есть сумма омического сопротивления и диффузионного сопротивлений, а также сопротивления растекания базового контакта 28 . Сопротивления можно найти по формуле 29 , Для центрального расположения 30 , 26,82607 Ом Для центральной части выводов эмиттера и базы 31 , где 0.004245Омсм, 48,10962 Ом 74,93569 Диффузионное сопротивление учитывающее внутреннюю обратную связь в транзисторе за счет эффекта Эрли равно 32 , 110,3175 Для сплавно-диффузионных транзисторов, поэтому не учитывается 36 Ом. 3. Сопротивление коллектора.

Задача определить диффузионное и омическое сопротивление коллектора.

Для плавного коллекторного перехода 33 , где параметр Lok находится по формуле 9.84 10-3 см 34 , 1,932747 10-4 мкм 35 , rk 3,232326 107 Ом, 2,475851 Ом. 4. Граничные частоты.

Определив величины зарядных емкостей переходов и сопротивлений ЭС, зная время пролета базы ННЗ можно найти величину f f 2 tпр Сзэ rэ Сзк rб -1 36 , где, rэ 1,438889, Сэ 1,677762 10-11 f 103,7305 МГц. Найдём величину максимальной частоты генерации, воспользовавшись выражением 37 fmax 37 , fmax 150,7364 МГц. Рассчитаем граничную частоту коэффициента передачи тока в схеме ОЭ по формуле 38 МГц. 38 5.5

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных… В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский… В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

ОБЩАЯ ЧАСТЬ
ОБЩАЯ ЧАСТЬ. Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры 1. Ном

Перечень используемых обозначений
Перечень используемых обозначений. Ak - площадь коллектора Аэ - площадь эмитера a - градиент концентрации примесей - отношение подвижностей электронов и дырок Сз.к зарядная барьерная емкость коллек

Выбор технологии изготовления транзистора
Выбор технологии изготовления транзистора. Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину

Сплавно-диффузионные транзисторы
Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойст

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. Расчёт сплавно-диффузионного транзистора. Задачи расчёта В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, пар

Расчёт толщины базы и концентраций примесей
Расчёт толщины базы и концентраций примесей. Действующая толщина базы определяется соотношением 1 1 где tпр-время пролёта базы tпр , 2 где - коэффициент запаса по частоте f, 1,3 сек. Задавшись вели

Расчет емкостей и размеров переходов
Расчет емкостей и размеров переходов. Задача Определить барьерные зарядные емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пла

Расчет обратных токов коллектора
Расчет обратных токов коллектора. Задача определить обратный ток коллекторного перехода Iк.обр. Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3х компонент теплового тока тока термогенерации тока о

Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры. Задача Определение величины Ikmax или Pkmax, а также толщины кристалла - заготовки и других элементов

Расчёт эксплутационных параметров
Расчёт эксплутационных параметров. Максимальная расчётная мощность находится по формуле 49 , 49 мВт 5.7.2 Рассчитаем максимальное напряжение коллектора воспользовавшись соотношением 50 Uк max , 50

Выбор корпуса транзистора
Выбор корпуса транзистора. Конструктивно корпус состоит из двух основных элементов основания и баллона. Основание включает в себя фланец, изолятор и выводы. Баллон представляет собой

Обсуждение результатов
Обсуждение результатов. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 65, рассчитанное значение 150,7364. Данный биполярный транзистор в схеме с ОЭ обеспечит заданный коэффициент передачи тока. 2. Граничн