Содержание С. Введение 1 Общие принципы построения топологии биполярных ИМС 1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС 1.2 Основные правила проектирования топологии ИМС 2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС 2.1 Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов 13 2.2 Расчет геометрических размеров резисторов 3 Разработка библиотеки элементов генератора 3.1 Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора 3.2 Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора 3.3 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора 3.4 Расчет геометрических размеров транзистора с инжекционным питанием 22 4 Проектирование топологии ИМС 25 Заключение 26 Список использованных источников 27 Приложение А Принципиальная электрическая схема генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Приложение Б Эскиз топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней. введение Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции.
Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования.
Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и ответственной операцией при проектировании любой ИМС. В практике проектирования топологии существует много подходов.
К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования получение исходных данных расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов разработка эскиза топологии разработка предварительных вариантов топологии выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация. Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов генератора ИМС, проектирование топологии данной схемы.
Исходными данными при этом являются схема электрическая принципиальная и технологические параметры. Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами. Разработанная топология полупроводниковой ИМС это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналоговых микросхем. 1
Общие принципы построения топологии биполярных ИМС Общего подхода к проектированию биполярных транзисторов нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями.
Транзисторы даже однотипных конфигураций отличаются тем, в каких схемах они используются. 1.1
Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС. Основной структурой, определяющей электрические параметры и характерис... 1.1. Это скрытый n-слой, эпитаксиальный, p - разделительный, базовый, эмитт... Рисунок 1.1 - Физическая структура биполярного n-p-n транзистора со ск...
Основные правила проектирования топологии ИМС. 2. 8. 20. Расстояние между диффузионной базовой областью и контактом коллектора ...
Универсальные в свою очередь делятся на микро и маломощные рассеиваема... Специальные делятся на многоэмиттерный транзистор и p-n-p транзистор. ... Далее определяем максимальный удельный ток для произвольного случая по... 2.3 При ш 1 рабочей или активной является левая часть эмиттера, ближай... Найденные исходные данные le и be.
Определяется по таблицам, графикам и монограммам. Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдель... -для резистора сложной формы , 2.20. 2.13 Если Кф 1, то расчет начинаем с расчета b Если Кф 1, то расчет на... где n - число прямоугольных участков n-1 - число изгибов 0,55 - коэффи...
Разработка библиотеки элементов генератора Принципиальная электрическая схема генератор представленная в приложении. Она состоит из 35 элементов, из них 14 n-p-n транзистора, 8 p-n-p транзисторов, 6 резисторов и 7 планарных транзисторов с инжекционным питанием И2Л логика.
Таким образом, для создания библиотеки элементов цифра аналогового преобразователя необходимо рассчитать геометрические размеры 1 n-p-n транзистора, 1 p-n-p транзисторов и резистора. 3.1
Расчет геометрических размеров n-p-n транзистора производится в соотве... Таким образом, эмиттер транзистора будет иметь квадратную форму со сто... Длина окна контакта к базовой области равна минимальному размеру окна ... Примем bбк 14 мкм. Примем bк 54 мкм.
Горизонтальный транзистор отличатся от вертикального тем, что до колле... bэ lэ 14 мкм, а размер контактного окна к эмиттерной области выберем р... Ширину базы W рассчитаем по соотношению W 2xjб 2Дфш Дсовм 22,5 1 0,5 6... Примем W 8 мкм lк le 2W 4dmin 2Дфш Дсовм 14 28 46 1 0,5 55,5 мкм. Примем bбк 32 мкм.
Расчет геометрических размеров диффузионного резистора. Расчет начинаем с определения коэффициента формы Так как Кф 1, то расч... Второе отличие заключается в изменении функций электронных областей n1... Все остальные геометрические размеры транзистора рассчитываются по сле... Примем lб 80 мкм.
Исходными данными являются принципиальная электрическая схема геометри... Все транзисторы данной ИМС выполнены по стандартной конфигурации рис.1... 3.4. выполнен в виде меандра. к коллекторному источнику питания. При проектировании топологии генера...
Заключение На основе исходных данных приведенных в задании была разработана библиотека элементов и рассчитаны геометрические размеры элементов.
На основе рассчитанных элементов был разработан эскиз топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней.
Высш. пособие для вузов. Березин А.С Мочалкина О.В. В. Высшая школа, 1986 г.