рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Действие облучения на биполярные транзисторы

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Действие облучения на биполярные транзисторы

Работа сделанна в 2006 году

Действие облучения на биполярные транзисторы - раздел Связь, - 2006 год - Воздействие радиационного излучения на операционные усилители Действие Облучения На Биполярные Транзисторы. Физические Параметры Биполярног...

Действие облучения на биполярные транзисторы. Физические параметры биполярного транзистора можно разбить на четыре группы: 1)Параметры, характеризующие диффузию и дрейф неосновных носителей, 2)Параметры, характери¬зующие рекомбинацию и генерацию, 3)Параметры, определяющие изменение пространственного заряда в области p-n- переходов и его влияние на характеристики транзисторов (это зарядные емкости коллекторного и эмиттерного переходов, а также емкость изолирующих p-n-переходов) 4)Параметры, характеризующие падение напряжения в объеме полупроводника и включающие объемные сопротивления эмиттера, базы и коллектора, а при высоких уровнях инжекции также диффузионное падение напряжения (ЭДС Дембера). Ионизирующие излучения влияют на все физические параметры транзи¬стора, однако перечень параметров, подлежащих учету, зависит от конкретных условий применения.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Воздействие радиационного излучения на операционные усилители

Классификация радиационных эффектов. Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается… Принято выделять два вида основных эффектов: смещения (обусловленные смещением атомов из своего нормального положения)…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Действие облучения на биполярные транзисторы

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Классификация радиационных эффектов
Классификация радиационных эффектов. Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается выделением энергии частицей ИИ. Дальнейшая релаксация полученной энергии и

Действие облучения на униполярные транзисторы
Действие облучения на униполярные транзисторы. Влияние ионизирующего излу¬чения на параметры униполярных транзисторов как с управляющим p-n-переходом, так и МДП - структур в основном проявля

Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС
Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС. Специфика проявления радиаци¬онных эффектов во многом определяется конструктивно-технологическими особенностями И

Усилительные каскады
Усилительные каскады. В качестве простейших усилитель¬ных каскадов применяют каскады с общим эмиттером (ОЭ) и общим истоком (ОИ). Отклонение тока коллектора ΔIк от своей номинальной

Дифференциальные каскады
Дифференциальные каскады. Принято считать, что стойкость аналоговых интегральных микросхем к спецвоздействиям оп¬ределяется, прежде всего, радиационными эф¬фектами во входных каскадах, в качестве к

Влияние ИИ на шумовые характеристики
Влияние ИИ на шумовые характеристики. дифф-каскада. В каскадах на биполярных транзисторах в области средних и высших частот шумо¬вого спектра, где преобладают дробовой шум токораспределения iш.к и

Воздействие ИИ на параметры ИОУ
Воздействие ИИ на параметры ИОУ. Интегральные операционные усилители (ИОУ) представляют собой высококачественные прецизионные усилители, которые относятся к классу универсальных и многофункциональн

Критериальные параметры
Критериальные параметры. для оценки стойкости ОУ. Как правило, нормативная документация (НД) на ИОУ устанавливает отклонение выходного на¬пряжения от нуля ΔUвх от, приведенного ко входу, в

Проектирование радиационно-стойких ИОУ
Проектирование радиационно-стойких ИОУ. На этапе проектирования проблему повыше¬ния радиационной стойкости аппаратуры наибо¬лее эффективно можно решить соответствую¬щим выбором способа коррекции пе

Уменьшение ВПР электронной аппаратуры
Уменьшение ВПР электронной аппаратуры. Эта проблема возникает при проектировании электронной аппаратуры, предназначенной для работы в условиях кратковременного воздейст¬вия мощного ионизирую