рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Действие облучения на униполярные транзисторы

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Действие облучения на униполярные транзисторы

Работа сделанна в 2006 году

Действие облучения на униполярные транзисторы - раздел Связь, - 2006 год - Воздействие радиационного излучения на операционные усилители Действие Облучения На Униполярные Транзисторы. Влияние Ионизирующего И...

Действие облучения на униполярные транзисторы.

Влияние ионизирующего излу¬чения на параметры униполярных транзисторов как с управляющим p-n-переходом, так и МДП - структур в основном проявля¬ется в виде изменений тока затвора I3, порогового напряжения Uзи.пор (для МДП - транзисторов с индуцированным каналом) или напряжения отсечки Uзи.отс (для транзисторов с управляющим р-п-переходом и со встроенным каналом) и крутизны характеристики транзистора Sст. Претерпевают изменение также дифференциаль¬ные параметры: сопротивление затвора rз, внутреннее сопротив¬ление транзистора ri. В отличие от биполярных транзисторов в униполярных тран¬зисторах ток в канале образуется потоком основных носителей, поэтому заметные изменения характеристик униполярных тран¬зисторов, обусловленные действием эффектов смещения, наблю¬даются при уровнях облучения, способных существенно повли¬ять на подвижность основных носителей и их концентрацию.

Для кремниевых ИМС при облучении нейтронами это происходит при флюенсах, превышающих 1015-1016 нейтр./см2. Вместе с тем приповерхностный характер происходящих в МДП-транзисторах процессов обусловливает их сильную чувствительность к иони¬зационным эффектам, действие которых, прежде всего, свя¬зано с накоплением положительного пространственного заряда в слое подзатворного диэлектрика, модулирующего проводимость канала МДП-транзистора.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Воздействие радиационного излучения на операционные усилители

Классификация радиационных эффектов. Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается… Принято выделять два вида основных эффектов: смещения (обусловленные смещением атомов из своего нормального положения)…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Действие облучения на униполярные транзисторы

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Классификация радиационных эффектов
Классификация радиационных эффектов. Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается выделением энергии частицей ИИ. Дальнейшая релаксация полученной энергии и

Действие облучения на биполярные транзисторы
Действие облучения на биполярные транзисторы. Физические параметры биполярного транзистора можно разбить на четыре группы: 1)Параметры, характеризующие диффузию и дрейф неосновных носителей, 2)Пара

Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС
Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС. Специфика проявления радиаци¬онных эффектов во многом определяется конструктивно-технологическими особенностями И

Усилительные каскады
Усилительные каскады. В качестве простейших усилитель¬ных каскадов применяют каскады с общим эмиттером (ОЭ) и общим истоком (ОИ). Отклонение тока коллектора ΔIк от своей номинальной

Дифференциальные каскады
Дифференциальные каскады. Принято считать, что стойкость аналоговых интегральных микросхем к спецвоздействиям оп¬ределяется, прежде всего, радиационными эф¬фектами во входных каскадах, в качестве к

Влияние ИИ на шумовые характеристики
Влияние ИИ на шумовые характеристики. дифф-каскада. В каскадах на биполярных транзисторах в области средних и высших частот шумо¬вого спектра, где преобладают дробовой шум токораспределения iш.к и

Воздействие ИИ на параметры ИОУ
Воздействие ИИ на параметры ИОУ. Интегральные операционные усилители (ИОУ) представляют собой высококачественные прецизионные усилители, которые относятся к классу универсальных и многофункциональн

Критериальные параметры
Критериальные параметры. для оценки стойкости ОУ. Как правило, нормативная документация (НД) на ИОУ устанавливает отклонение выходного на¬пряжения от нуля ΔUвх от, приведенного ко входу, в

Проектирование радиационно-стойких ИОУ
Проектирование радиационно-стойких ИОУ. На этапе проектирования проблему повыше¬ния радиационной стойкости аппаратуры наибо¬лее эффективно можно решить соответствую¬щим выбором способа коррекции пе

Уменьшение ВПР электронной аппаратуры
Уменьшение ВПР электронной аппаратуры. Эта проблема возникает при проектировании электронной аппаратуры, предназначенной для работы в условиях кратковременного воздейст¬вия мощного ионизирую