Влияние ИИ на шумовые характеристики

Влияние ИИ на шумовые характеристики. дифф-каскада. В каскадах на биполярных транзисторах в области средних и высших частот шумо¬вого спектра, где преобладают дробовой шум токораспределения iш.к и тепловой шум объемного сопротивления базы eш.б, при облучении уровень шумов возрастает в результате деградации коэффициента пере¬дачи тока базы  и увеличения объемных сопротивлений.

Влияние теплового шума сопро¬тивления коллекторного слоя eшк, а также шумовых сигналов паразитного транзистора iшфи, iшfи не так существенно. В области низ¬ших частот преобаладают шумы со спектром 1/f, а также низкочастотные шумы фототоков. Анализ низкочастотных шу¬мов усложняется тем, что их изменение при облучении определяется не только объемными эффектами, но и поверхностными. Действие ионизирующих излучений приводит не тоолько к повышению уровня низкочастотных шумов, но также к увеличению граничной частоты fш, т.е. к сдвигу их спектральной плотности в область более высоких частот.

В дифференциальных каскадах на униполярных транзисторах в об¬ласти средних и высших частот, где преобладают тепловой шум ка¬нала iшс и дробовой шум тока затвора iш.з шумы при облучении воз¬растают из-за уменьшения крутизны характеристики транзистора S и увеличения тока затвора вследствие роста тока генерации в управ¬ляющем р-n-переходе.

Возрастают также низкочастотные шумы, об¬условленные флуктуациями заряда токов генерации—рекомбинации в обедненном слое изолирующего р-n-перехода. При этот относитель¬ное увеличение шумового сопротивления практически не зависит от частоты. Уровень собственных шумов каскада повышается из-за шумов фото¬токов, особенно при высоких импедансах источника сигнала. Уровень шумов дифференциального каскада зависит также от схе¬мы подачи входного сигнала и съема выходного напряжения.

На практи¬ке нередко подают сигнал только на один из входов каскада По отношению к этому входу интенсивность первичного шумового на¬пряжения возрастает. Сравнение дифференциальных каскадов на биполярных и униполяр¬ных транзисторах по их шумовым показателям в области средних час¬тот показывает, что в первых из них при работе от источников с Rг >> 103 Ом уровень шума выше. Следует иметь в виду, что каскады на униполярных транзисторах менее критичны к выбору оптималь¬ного сопротивления источника входного сигнала, а поэтому изме¬нение условия оптимальности при облучении не приводит к дополни¬тельному увеличению шума.