Загальні відомості

Все темы данного раздела:

Історія розвитку електроніки
  Становлення і розвиток електроніки стало можливим завдяки наполегливим зусиллям багатьох учених-фізиків. Ще в древній Греції Фалес із Мілета вперше виявив, що янтар, потерт

Електропровідність напівпровідників
  Напівпровідниками називаються матеріли, що за­ймають проміжне положення між провідниками й діелектриками. Особ­ливість металевих провідників полягає у наявності вільних електро­нів,

Електронно дірковий перехід
  Область на границі двох напівпровідників з різними типами електропровідності називається електронно - дірковим переходом, або р-п переходом. Явища, які відбуваються,

Підключенняр-ппереходу до зовнішнього джерела струму
  При прямому включенні р-п переходу (мал.1.5) область п-типу приєднують до негативного полюсу джерела струму, а область р-типу - до позитивного. Тобто е

Вольт - амперна характеристикар- ппереходу
  Вольт-амперна характеристика показує залежність струму струм через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги. Цю залежність виражають формулою  

Напівпровідникові резистори
НП резистори мають два вихідних електроди. Вони поділяються на лінійні та нелінійні. У лінійних резисторів питомий електричний опір не залежить від при­кладеної напруги, їх умовне позначен

Напівпровідникові діоди
  Напівпровідникові діоди - це НП прилади, виготовлені на основі дво­шарових НП структур і які використовують властивості р-п переходу. Широко розповсюджені випрямні д

Будова транзистора
Біполярним транзистором або просто транзисто­ром називається напівпровідниковий прилад з двома р — n - переходами, який призначений для підсилення й генерування електрич­них коливань

Принцип дії біполярних транзисторів
  В умовах роботи транзистора до лівого р — п— переходу прикла­дається напруга емітер — база Uе–б у прямому напрямку, а до пра­вого р — п – переходу — напруга

Характеристики БТ
  Характеристиками транзисторів називаються залежності між си­лами струмів і напругами у вхідному й вихідному колах. У різних схемах приєднання транзистора вхідні й вихідні кола різні

Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
(h-параметри)   Статичні ВАХ використовуються при розрахунках електронних схем з великими рівнями вхідних сигналів. Якщо рівень вхідного сигналу малий і тран

Основні режими роботи біполярного транзистора
  Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному U та колекторному U переходах:

Конструкція біполярних транзисторів
  Біполярні транзистори виготовляють з германію та кремнію. Як приклад, розглянемо будову площинного германієвого транзистора р — п —р-типу (мал. 2.17). Базою служить пл

Польові транзистори з керуючимр-ппереходом
  Конструкція та принцип дії ПТ з керуючим р-п переходом пояснюєть­ся на моделі, наведеній на мал. 2.18.

Диністори
  Диністор має чотиришарову структуру. У нього є три p-n переходи. Два крайніх з них (П1 і П3;) зміщені у прямому напрямку, а середній (П2) - у зворот

Оптоелектронні елементи
  Оптоелектронні елементі використовують перетворення електричних сигналів в оптичні і містять джерело світла (ДС) та приймач світла — фотоприймач (ФП), які поєднані між собою

Газорозрядні прилади та фотоелементи іонізація газу й електричний розряд
  На відміну від електронних (вакуумних) ламп в іонних, або газорозрядних приладах струм створюється не тільки спрямованим переміщенням вільних електронів, але й унаслідок переміщення

Газотрони
  Газотрон являє собою двоелектродний іонний або газороз­рядний прилад, призначений для випрямлення змінного струму. Скля­ний (або металевий) балон газотрона після створення в ньому в

Тиратрони
  Тиратрон відрізняється від газотрона наявністю третього електрода — сітки, яка керує моментом запалювання дуги. У скля­ному балоні тиратрона (мал.2.37) 9, наповненому сумішшю інертн

Фото помножувачі
  Фотоелементом називається електровакуумний, напів­провідниковий або іонний прилад, у якому дія променевої енергії оптичного діапазону обумовлює зміну його електричних властивостей.

ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
  Задача 2.1. Вибрати тип діода для електротехнічного пристрою, щоб забезпечити струм у навантаженні І = 0,27 А. Напруга, що прикладається до діода у закритому

ЗАДАЧІ ΗА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
  2.1с. Для забезпечення безаварійної роботи пристрою необхідно виб­рати діод, умови роботи якого: прямий струм Iпр = 10 А; а напру­га, що прикладається до діода U

Інтегральні мікросхеми. Класифікація та основні поняття
  Мікроелектроніка - це розділ електроніки, який включає дослідження конструювання і виробництво електронних мікросхем і радіоелектронної апаратури на їх основі. Інтегральна

Малюнок 3. 1- Загальна конструкція ІМС
    По застосовуваному матеріалі розрізняють чотири типи корпусів: металосклянні, металокерамічнні, керамічні і пластмасові. При цьому головними елементами конструкції к

Малюнок 3.2-Типи корпусів ІМС
  Слід зазначити також, що конструктивні характеристики корпуса (особливо по габаритах і розташуванню висновків) повинні створювати зручності при монтажі ІС на друкованій платі.

Транзисторів
  При цьому за основу беруть однорідну підложку з кремнію р-типу. Шляхом термічного окислювання кремнію на поверхні підкладки формують тонку захисну плівку діоксиду кремнію.

Резистори
Створення інтегральних резисторів, що представляють собою тонкий (порядку 3 мкм) шар напівпровідника, відбувається по планарній технології в процесі дифузії домішки в острівці підкладки або

Гібридні ІМС. Технологія виготовлення гібридних ІМС
  У виробництві гібридних ІМС використовується плівкова технологія, що дозволяє виготовляти з досить стабільними параметрами лише пасивні елементи — резистори, конденсатори, індуктивн

Резистори.
  При виготовленні плівкових резисторів використовуються резистивні матеріали з різним поверхневим питомим опором. Такі матеріали можна розділити на три основні групи: чисті метали, с

Провідники і контактні площадки
Об'єднання плівкових пасивних елементів і начіпних компонентів у гібридну ІМС здійснюється плівковими провідниками і контактними площадками. Такі елементи повинні мати добру електропровідність,

ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
  Задача 3.1 Вказати призначення мікросхеми, на корпусі якої та­кий напис — КР548ЛП43. Розв'язок: Відповідно до стандарту маркування

ЗАДАЧІ НА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
  3.1с. В електричному пристрої використано мікросхему 136ТР1. Вказати призначення даної мікросхеми і пояснити, за якою озна­кою визначається спеціалізація. (Відповідь: RS-тр

Акустоелектроніка
  Акустоелектроніка — це напрямок функціональної мікроелектроніки, оснований на використанні п'єзоелектричного ефекту. Акусто-електроніка займається перетворенням акустичних си

Магнетоелектроніка
  Магнетоелектроніка зв'язана е використанням властивостей тонких, магнітних плівок. Застосування магнітних матеріалів як носіїв інформації основане на тім, що вони володіють двома ст

Криоелектроніка
Криогенна: електроніка, чи криоелектроніка,— одна з нових і перспективних галузей науки. Досліджує явища, що відбуваються у твердому тілі при низьких температурах, і практи

Хемотроніка
Хемотроніка як новий науково-технічний напрямок виникло на стику електрохімії й електроніки. Це наука про побудову різноманітних електрохімічних приладів на основі явища, зв'яз

Біоелектроніка
Це напрямок функціональної мікроелектроніки знаходиться в стадії становлення, однак він є одним з найбільш цікавих і перспективних. Біоелектроніка виникла як одна з відгалужень більш загальної наук

ЗАПИТАННЯ ДЛЯ САМОПЕРЕВІРКИ
  1. Чим викликана необхідність розвитку функціональної мікроелектроніки як нової галузі технічної електроніки? 2. Назвіть основні напрямки розвитку функціональної