рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Образование
/
Диністори

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Диністори

Диністори - раздел Образование, Електропровідність напівпровідників Диністор Має Чотиришарову Структуру. У Нього Є Три P-N Перехо...

Диністор має чотиришарову структуру. У нього є три p-n переходи. Два крайніх з них (П₁ і П₃;) зміщені у прямому напрямку, а середній (П₂) - у зворотному

(мал. 2.26, а).

а) б)

Малюнок 2.26 - Структура диністора (а) та його модель у вигляді

двох транзисторів (б)

Таку структуру можна представити у вигляді еквівалентної схем, що складається з двох транзисторів VT1 та VT2 р-п-р та п-р-п типу відповідно (мал. 2.27,6). Цю модель можна отримати, якщо подумки розітнути прилад уздовж площини А-А, а потім обидві частки електричко з'єднати. При цьому виходить, що переходи П₁ і П₃є емітерними переходами цих транзисторів, а перехід П₂ для обох транзисторів є колекторним.

Область бази Б₁ транзистора VT1 одночасно є колекторною областю транзистора VT2, а область бази Б₂ транзистора VT2 - колекторною областю транзистора VT1.

Відповідно, колекторний струм першого транзистора є базовим для другого і_к1=і_б2, а колекторний струм другого транзистора - базовим першого і_к2=і_б1 Таке вмикання забезпечує внутрішній додатний зворотний зв'язок: якщо увімкнеться хоча б один транзистор, то надалі вони будуть підтримувати один одного в увімкненому стані.

ВАХ диністора наведена на мал. 2.27, на якій позначено:

U_вм - напруга вмикання диністора;

І_вм - струм вмикання;

І_ум - струм утримання;

І_гр - гранично допустимий струм приладу;

U_гр - напруга, що відповідає І_гр.

Малюнок. 2.27-ВАХ диністора та його умовне позначення

Ділянка Оа ВАХ відповідає закритому стану диністора, ділянка аб - лавиноподібному перемиканню приладу (ділянка з негативним опором, бо тут R—U/- величина від'ємна, а ділянка бв, подібна відрізку ВАХ діода - увімкненому стану диністора (режим насичення), вона є робочою ділянкою характеристики.

Для вимикання приладу струм у його колі повинен стати меншим за струм утримання.

Основні параметри диністора:

-напруга вмикання диністора U_вм , що становить (201ООО) В;

-максимальне середнє значення прямого струму за заданих умов її

охолодження І_пр_max, що становить (0,12) А;

-струм утримання I _ym - мінімальний прямий струм увімкненого диністора, при подальшому зниженні якого диністор переходить у непровідний стан, що становить (0,010,1) А;

-максимальне допустиме амплітудне значення зворотної напруги Uзв мах сягає до 1000 В;

-час вмикання, тобто час переходу від закритого стану до відкри-
того, знаходиться у межах (11О) мкс.

2.6.2 Триністор (керований діод)

Тиристор - це чотиришаровий перемикаючий прилад, у якого від однієї з базових областей зроблено вивід - керуючий електрод.

Структура та умовне позначення триністора (надалі - тиристор) наведені на мал. 2.28.

Малюнок 2.28 - Структура та умовне позначення тиристора

Подаючи між керуючим електродом та катодом пряму напругу на р-п перехід, що працює у прямому напрямку, можна регулювати величину U_зм .

Якщо подати в керуюче коло імпульс прямої напруги, тиристор вмикається і залишається увімкненим після зняття сигналу керування.

Вимкнути тиристор можна лише зниженням струму у його анодному колі нижче струму утримання І_ум. ВАХ тиристора приведена на малюнку 2.29.

Малюнок 2.29 - ВАХ тиристора

У колах постійного струму (мал.2.30) вимикання тиристора здійснюється тиристору попередньо зарядженого конденсатора з напругою, полярність

якої зворотна щодо тиристора (примусова комутація,).

Малюнок 2.30 – Схема включення тиристора

У колах змінного струму вимикання тиристора здійснюється природно в в момент проходження струму через нуль невимушена комутація) – тому тиристори набули широкого застосування в колах змінного струму.

2.6.3 Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор,

двоопераційний тиристор, оптронний тиристор)

Симістор або симетричний тиристор - прилад, який є керованим як при позитивній, так і при негативній напрузі на ньому. ВАХ симістора та його умовне позначення наведено на мал. 2.31.

Прилад являє собою п'ятишарову структуру. Його параметри подібні до параметрів триністора.

Оптроний тиристор - це поєднання світлодіода та фототиристора в одному корпусі. Якщо через світлодіод пропускати струм (під дією Uk), він генеруватиме світловий потік, який, падаючи на структуру тиристора в зоні керуючого р-п переходу, призведе до генерації в НП вільних носіїв заряду. Ці носії під дією прикладеної до тиристора напруги створюють струм керування і тиристор вмикається. Головна перевага оптронних тиристорів - це відсутність гальванічного зв'язку між колом керування та силовим колом. Умовне позначення оптронного тиристора наведене на мал. 2.32.

Малюнок 2.32–Умовні позначення фототиристора (а), двоопераційного (б) та оптронного (в) тиристорів

Наявність у тиристорів внутрішнього додатнього зворотного зв'язку (зона від'ємного опору на ВАХ) надає їм ряд важливих властивостей.

Головне: для вмикання тиристора достатньо в його коло керування подати короткий імпульс струму невеликої потужності. Далі відкритий стан підтримується за рахунок внутрішнього додатного зв'язку. Тому тиристори мають дуже великий коефіцієнт підсилення за потужністю (десятки тисяч).

Порівняно з транзисторами, тиристори більш стійкі до перевантажень, але мають досить вузький діапазон робочих частот (до сотень герц).

2.6.4 Електростатичні тиристори

Окрім розглянутих вище, в останній час в енергетичній електроніці використовують і деякі новітні види тиристорів, що з'явилися завдяки досягненням напівпровідникової технології. Це, наприклад, електростатичні тиристори (або SITh- тиристори – Static Induction Thyristor). Технологія їх виготовлення настільки складна, що опанована у світі лише декількома фірмами. Відповідно, їх вартість досить висока.

Еквівалентна схема і позначення такого тиристора наведені на мал. 2.33. У нормальному стані він проводить струм. Вимикання здійснюється подачею на керуючий електрод негативної відносно до катода напруги.

Малюнок 2.33 – Еквівалентна схема (а) і позначення (б) електростатичного тиристора

2.6.5 Запірний тиристор з МОН-керуванням

Найбільш перспективним з тиристорів є тиристор, керований напругою - запірний тиристор з МОН-керуванням (MCT – MOS – Controlled Thyristor). Його схема і позначення наведені на мал. 2.34. Він містить в собі МОН-структури з п- та р-каналами і тиристорну чотиришарову структуру р-п-р-п.

Малюнок 2.34 – Еквівалентна схема (а) і позначення (б) запірного тиристора з МОН-керуванням

Вмикають його по затвору n-канального МОН-транзистора. Вимикання здійснюється по затвору p-канального МОН-транзистора, що на короткий час шунтує катодний перехід тиристорної структури. Це забезпечує малу потужність кола керування приладу і сумісність з цифровими пристроями керування.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Електропровідність напівпровідників

Розділ Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів Електропровідність напівпровідників...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Диністори

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Історія розвитку електроніки
Становлення і розвиток електроніки стало можливим завдяки наполегливим зусиллям багатьох учених-фізиків. Ще в древній Греції Фалес із Мілета вперше виявив, що янтар, потерт

Електропровідність напівпровідників
Напівпровідниками називаються матеріли, що займають проміжне положення між провідниками й діелектриками. Особливість металевих провідників полягає у наявності вільних електронів,

Електронно дірковий перехід
Область на границі двох напівпровідників з різними типами електропровідності називається електронно - дірковим переходом, або р-п переходом. Явища, які відбуваються,

Підключенняр-ппереходу до зовнішнього джерела струму
При прямому включенні р-п переходу (мал.1.5) область п-типу приєднують до негативного полюсу джерела струму, а область р-типу - до позитивного. Тобто е

Вольт - амперна характеристикар- ппереходу
Вольт-амперна характеристика показує залежність струму струм через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги. Цю залежність виражають формулою

Напівпровідникові резистори
НП резистори мають два вихідних електроди. Вони поділяються на лінійні та нелінійні. У лінійних резисторів питомий електричний опір не залежить від прикладеної напруги, їх умовне позначен

Напівпровідникові діоди
Напівпровідникові діоди - це НП прилади, виготовлені на основі двошарових НП структур і які використовують властивості р-п переходу. Широко розповсюджені випрямні д

Будова транзистора
Біполярним транзистором або просто транзистором називається напівпровідниковий прилад з двома р — n - переходами, який призначений для підсилення й генерування електричних коливань

Принцип дії біполярних транзисторів
В умовах роботи транзистора до лівого р — п— переходу прикладається напруга емітер — база Uе–б у прямому напрямку, а до правого р — п – переходу — напруга

Характеристики БТ
Характеристиками транзисторів називаються залежності між силами струмів і напругами у вхідному й вихідному колах. У різних схемах приєднання транзистора вхідні й вихідні кола різні

Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
(h-параметри) Статичні ВАХ використовуються при розрахунках електронних схем з великими рівнями вхідних сигналів. Якщо рівень вхідного сигналу малий і тран

Основні режими роботи біполярного транзистора
Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному U та колекторному U переходах:

Конструкція біполярних транзисторів
Біполярні транзистори виготовляють з германію та кремнію. Як приклад, розглянемо будову площинного германієвого транзистора р — п —р-типу (мал. 2.17). Базою служить пл

Загальні відомості
До класу уніполярних відносять транзистори, принцип дії яких ґрунтується на використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок). Керування струмом в силовому колі у

Польові транзистори з керуючимр-ппереходом
Конструкція та принцип дії ПТ з керуючим р-п переходом пояснюється на моделі, наведеній на мал. 2.18.

Оптоелектронні елементи
Оптоелектронні елементі використовують перетворення електричних сигналів в оптичні і містять джерело світла (ДС) та приймач світла — фотоприймач (ФП), які поєднані між собою

Газорозрядні прилади та фотоелементи іонізація газу й електричний розряд
На відміну від електронних (вакуумних) ламп в іонних, або газорозрядних приладах струм створюється не тільки спрямованим переміщенням вільних електронів, але й унаслідок переміщення

Газотрони
Газотрон являє собою двоелектродний іонний або газорозрядний прилад, призначений для випрямлення змінного струму. Скляний (або металевий) балон газотрона після створення в ньому в

Тиратрони
Тиратрон відрізняється від газотрона наявністю третього електрода — сітки, яка керує моментом запалювання дуги. У скляному балоні тиратрона (мал.2.37) 9, наповненому сумішшю інертн

Фото помножувачі
Фотоелементом називається електровакуумний, напівпровідниковий або іонний прилад, у якому дія променевої енергії оптичного діапазону обумовлює зміну його електричних властивостей.

ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
Задача 2.1. Вибрати тип діода для електротехнічного пристрою, щоб забезпечити струм у навантаженні І = 0,27 А. Напруга, що прикладається до діода у закритому

ЗАДАЧІ ΗА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
2.1с. Для забезпечення безаварійної роботи пристрою необхідно вибрати діод, умови роботи якого: прямий струм Iпр = 10 А; а напруга, що прикладається до діода U

Інтегральні мікросхеми. Класифікація та основні поняття
Мікроелектроніка - це розділ електроніки, який включає дослідження конструювання і виробництво електронних мікросхем і радіоелектронної апаратури на їх основі. Інтегральна

Малюнок 3. 1- Загальна конструкція ІМС
По застосовуваному матеріалі розрізняють чотири типи корпусів: металосклянні, металокерамічнні, керамічні і пластмасові. При цьому головними елементами конструкції к

Малюнок 3.2-Типи корпусів ІМС
Слід зазначити також, що конструктивні характеристики корпуса (особливо по габаритах і розташуванню висновків) повинні створювати зручності при монтажі ІС на друкованій платі.

Транзисторів
При цьому за основу беруть однорідну підложку з кремнію р-типу. Шляхом термічного окислювання кремнію на поверхні підкладки формують тонку захисну плівку діоксиду кремнію.

Резистори
Створення інтегральних резисторів, що представляють собою тонкий (порядку 3 мкм) шар напівпровідника, відбувається по планарній технології в процесі дифузії домішки в острівці підкладки або

Гібридні ІМС. Технологія виготовлення гібридних ІМС
У виробництві гібридних ІМС використовується плівкова технологія, що дозволяє виготовляти з досить стабільними параметрами лише пасивні елементи — резистори, конденсатори, індуктивн

Резистори.
При виготовленні плівкових резисторів використовуються резистивні матеріали з різним поверхневим питомим опором. Такі матеріали можна розділити на три основні групи: чисті метали, с

Провідники і контактні площадки
Об'єднання плівкових пасивних елементів і начіпних компонентів у гібридну ІМС здійснюється плівковими провідниками і контактними площадками. Такі елементи повинні мати добру електропровідність,

ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
Задача 3.1 Вказати призначення мікросхеми, на корпусі якої такий напис — КР548ЛП43. Розв'язок: Відповідно до стандарту маркування

ЗАДАЧІ НА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
3.1с. В електричному пристрої використано мікросхему 136ТР1. Вказати призначення даної мікросхеми і пояснити, за якою ознакою визначається спеціалізація. (Відповідь: RS-тр

Акустоелектроніка
Акустоелектроніка — це напрямок функціональної мікроелектроніки, оснований на використанні п'єзоелектричного ефекту. Акусто-електроніка займається перетворенням акустичних си

Магнетоелектроніка
Магнетоелектроніка зв'язана е використанням властивостей тонких, магнітних плівок. Застосування магнітних матеріалів як носіїв інформації основане на тім, що вони володіють двома ст

Криоелектроніка
Криогенна: електроніка, чи криоелектроніка,— одна з нових і перспективних галузей науки. Досліджує явища, що відбуваються у твердому тілі при низьких температурах, і практи

Хемотроніка
Хемотроніка як новий науково-технічний напрямок виникло на стику електрохімії й електроніки. Це наука про побудову різноманітних електрохімічних приладів на основі явища, зв'яз

Біоелектроніка
Це напрямок функціональної мікроелектроніки знаходиться в стадії становлення, однак він є одним з найбільш цікавих і перспективних. Біоелектроніка виникла як одна з відгалужень більш загальної наук

ЗАПИТАННЯ ДЛЯ САМОПЕРЕВІРКИ
1. Чим викликана необхідність розвитку функціональної мікроелектроніки як нової галузі технічної електроніки? 2. Назвіть основні напрямки розвитку функціональної