Газотрони - раздел Образование, Електропровідність напівпровідників
Газотрон Являє Собою Двоелектродний Іонний Або Газорозрядний...
Газотрон являє собою двоелектродний іонний або газорозрядний прилад, призначений для випрямлення змінного струму. Скляний (або металевий) балон газотрона після створення в ньому вакууму заповнюється ртутною парою або інертним газом за низького тиску.
Всередині балона розміщені два електроди (мал. 2.35). Анод 2 газотрона виконують із нікелю або графіту і вивід анода 1 розміщують у верхній частині колби; катод 3 вольфрамовий з нанесеним шаром оксиду. У потужних Іазоіронах для зниження теплових втрат катод розміщують всередині циліндричного екрану. Для розігрівання катод вмикають на низьку напругу розжарення: 2,5 В — у разі ртутного наповнення; 5 В — для інертного газу. Вища напруга розжарення не допускається, бо між катодними кінцями можливе виникнення дуги. Газ чи ртутна пара може іонізуватися під дією послідовного ступінчастого збудження атомів, якщо напруга буде значно меншою від потенціалу запалювання Отже, сила струму розжарення значно більша (ампери й десятки амперів) від сили анодного струму. Тривалість розігрівання катода знаходиться в межах від кількох до двадцяти-тридцяти хвилин.
З підвищенням анодної напруги від нуля в газотроні виникає невеликої сили електронний струм, як і в вакуумному діоді, оскільки електрони в слабкому електричному полі переміщуються від катода до анода з малою швидкістю, недостатньою для іонізації газу. Цьому режимові роботи відповідає початкова ділянка вольт-амперної характеристики (мал. 2.36). Якщо анодну напругу підвищити до значення, яке дорівнює потенціалові запалювання Uз, то електрони під дією електричного поля розвинуть швидкість, достатню для збудження й іонізації атомів газу або ртутної пари, тобто у приладі почнеться процес Іонізації газу, внаслідок чого утвориться плазма й виникне дуговий розряд. Під час запалювання газотрона анодна напруга зменшується до робочої напруги,після чого залишається майже незмінною зі зміною сили струму в газотроні. Спад напруги на відкритому
Малюнок 2.36- Газотрон та його позначення
газотроні складається зі спадів поблизу анода, у плазмі та поблизу катода, де він завжди значно більший від перших двох і становить 10...20 В. Не допускається збільшення сили анодного струму вище максимальної, оскільки при цьому збільшується спад напруги поблизу катода і важкі позитивні іони з великою силою ударяють катод, внаслідок чого руйнується активний шар і газотрон виходить з ладу.
Недоліком газотронів е їх висока чутливість до зміни напруги розжарення, яка допускається в межах +10 і —5 % номінальної. Збільшення напруги розжарення вище номінальної призводить до розпорошення катода і зменшення терміну роботи газотрона. Якщо напруга розжарення менша від номінальної, то знижується температура катода й зменшується швидкість електронів, що вилітають із катода. Внаслідок цього збільшується спад напруги поблизу катода й зменшується допустима максимальна сила струму, тобто руйнування катода починається при меншій силі анодного струму. Катод руйнуватиметься також, якщо приєднати навантаження, коли він буде недостатньо нагрітий. Тому перед приєднанням навантаження катод слід прогріти протягом часу, зазначеного в паспорті газотрона. Нові газотрони перед ввімкненням прогрівають з малою силою анодного струму для видалення нальотів і плям, які можуть з’явитися на електродах під час виготовлення газотронів.
Наповнені ртутною парою газотрони працюють довший строк, ніж наповнені інертним газом, але у разі ртутного наповнення газотрони чутливіші до зміни температури навколишнього середовища.
Історія розвитку електроніки
Становлення і розвиток електроніки стало можливим завдяки наполегливим зусиллям багатьох учених-фізиків.
Ще в древній Греції Фалес із Мілета вперше виявив, що янтар, потерт
Електропровідність напівпровідників
Напівпровідниками називаються матеріли, що займають проміжне положення між провідниками й діелектриками. Особливість металевих провідників полягає у наявності вільних електронів,
Електронно дірковий перехід
Область на границі двох напівпровідників з різними типами електропровідності називається електронно - дірковим переходом, або р-п переходом.
Явища, які відбуваються,
Вольт - амперна характеристикар- ппереходу
Вольт-амперна характеристика показує залежність струму струм через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги. Цю залежність виражають формулою
Напівпровідникові резистори
НП резистори мають два вихідних електроди. Вони поділяються на лінійні та нелінійні.
У лінійних резисторів питомий електричний опір не залежить від прикладеної напруги, їх умовне позначен
Напівпровідникові діоди
Напівпровідникові діоди - це НП прилади, виготовлені на основі двошарових НП структур і які використовують властивості р-п переходу.
Широко розповсюджені випрямні д
Будова транзистора
Біполярним транзистором або просто транзистором називається напівпровідниковий прилад з двома р — n - переходами, який призначений для підсилення й генерування електричних коливань
Принцип дії біполярних транзисторів
В умовах роботи транзистора до лівого р — п— переходу прикладається напруга емітер — база Uе–б у прямому напрямку, а до правого р — п – переходу — напруга
Характеристики БТ
Характеристиками транзисторів називаються залежності між силами струмів і напругами у вхідному й вихідному колах. У різних схемах приєднання транзистора вхідні й вихідні кола різні
Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
(h-параметри)
Статичні ВАХ використовуються при розрахунках електронних схем з великими рівнями вхідних сигналів. Якщо рівень вхідного сигналу малий і тран
Основні режими роботи біполярного транзистора
Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному U та колекторному U переходах:
Конструкція біполярних транзисторів
Біполярні транзистори виготовляють з германію та кремнію. Як приклад, розглянемо будову площинного германієвого транзистора р — п —р-типу (мал. 2.17). Базою служить пл
Загальні відомості
До класу уніполярних відносять транзистори, принцип дії яких ґрунтується на використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок). Керування струмом в силовому колі у
Диністори
Диністор має чотиришарову структуру. У нього є три p-n переходи. Два крайніх з них (П1 і П3;) зміщені у прямому напрямку, а середній (П2) - у зворот
Оптоелектронні елементи
Оптоелектронні елементі використовують перетворення електричних сигналів в оптичні і містять джерело світла (ДС) та приймач світла — фотоприймач (ФП), які поєднані між собою
Тиратрони
Тиратрон відрізняється від газотрона наявністю третього електрода — сітки, яка керує моментом запалювання дуги. У скляному балоні тиратрона (мал.2.37) 9, наповненому сумішшю інертн
Фото помножувачі
Фотоелементом називається електровакуумний, напівпровідниковий або іонний прилад, у якому дія променевої енергії оптичного діапазону обумовлює зміну його електричних властивостей.
ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
Задача 2.1. Вибрати тип діода для електротехнічного пристрою, щоб забезпечити струм у навантаженні І = 0,27 А. Напруга, що прикладається до діода у закритому
ЗАДАЧІ ΗА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
2.1с. Для забезпечення безаварійної роботи пристрою необхідно вибрати діод, умови роботи якого: прямий струм Iпр = 10 А; а напруга, що прикладається до діода U
Інтегральні мікросхеми. Класифікація та основні поняття
Мікроелектроніка - це розділ електроніки, який включає дослідження конструювання і виробництво електронних мікросхем і радіоелектронної апаратури на їх основі.
Інтегральна
Малюнок 3. 1- Загальна конструкція ІМС
По застосовуваному матеріалі розрізняють чотири типи корпусів: металосклянні, металокерамічнні, керамічні і пластмасові. При цьому головними елементами конструкції к
Малюнок 3.2-Типи корпусів ІМС
Слід зазначити також, що конструктивні характеристики корпуса (особливо по габаритах і розташуванню висновків) повинні створювати зручності при монтажі ІС на друкованій платі.
Транзисторів
При цьому за основу беруть однорідну підложку з кремнію р-типу.
Шляхом термічного окислювання кремнію на поверхні підкладки формують тонку захисну плівку діоксиду кремнію.
Резистори
Створення інтегральних резисторів, що представляють собою тонкий (порядку 3 мкм) шар напівпровідника, відбувається по планарній технології в процесі дифузії домішки в острівці підкладки або
Гібридні ІМС. Технологія виготовлення гібридних ІМС
У виробництві гібридних ІМС використовується плівкова технологія, що дозволяє виготовляти з досить стабільними параметрами лише пасивні елементи — резистори, конденсатори, індуктивн
Резистори.
При виготовленні плівкових резисторів використовуються резистивні матеріали з різним поверхневим питомим опором. Такі матеріали можна розділити на три основні групи: чисті метали, с
Провідники і контактні площадки
Об'єднання плівкових пасивних елементів і начіпних компонентів у гібридну ІМС здійснюється плівковими провідниками і контактними площадками. Такі елементи повинні мати добру електропровідність,
ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
Задача 3.1 Вказати призначення мікросхеми, на корпусі якої такий напис — КР548ЛП43.
Розв'язок: Відповідно до стандарту маркування
ЗАДАЧІ НА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
3.1с. В електричному пристрої використано мікросхему 136ТР1. Вказати призначення даної мікросхеми і пояснити, за якою ознакою визначається спеціалізація.
(Відповідь: RS-тр
Акустоелектроніка
Акустоелектроніка — це напрямок функціональної мікроелектроніки, оснований на використанні п'єзоелектричного ефекту. Акусто-електроніка займається перетворенням акустичних си
Магнетоелектроніка
Магнетоелектроніка зв'язана е використанням властивостей тонких, магнітних плівок. Застосування магнітних матеріалів як носіїв інформації основане на тім, що вони володіють двома ст
Криоелектроніка
Криогенна: електроніка, чи криоелектроніка,— одна з нових і перспективних галузей науки. Досліджує явища, що відбуваються у твердому тілі при низьких температурах, і практи
Хемотроніка
Хемотроніка як новий науково-технічний напрямок виникло на стику електрохімії й електроніки. Це наука про побудову різноманітних електрохімічних приладів на основі явища, зв'яз
Біоелектроніка
Це напрямок функціональної мікроелектроніки знаходиться в стадії становлення, однак він є одним з найбільш цікавих і перспективних. Біоелектроніка виникла як одна з відгалужень більш загальної наук
ЗАПИТАННЯ ДЛЯ САМОПЕРЕВІРКИ
1. Чим викликана необхідність розвитку функціональної
мікроелектроніки як нової галузі технічної електроніки?
2. Назвіть основні напрямки розвитку функціональної
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов