Тиратрони - раздел Образование, Електропровідність напівпровідників
Тиратрон Відрізняється Від Газотрона Наявністю Третього Елект...
Тиратрон відрізняється від газотрона наявністю третього електрода — сітки, яка керує моментом запалювання дуги. У скляному балоні тиратрона (мал.2.37) 9, наповненому сумішшю інертних газів, розміщують анод 2, катод 5 і сітку 3, На рисунку зображено тиратрон з катодом непрямого розжарення, хоча часто тиратрони роблять і з прямим розжаренням. Катод оточений металевим екраном 6, який виключає можливість виникнення електричного поля між анодом і катодом поза сіткою. У верхній частині екран закритий сіткою, яка має форму диска з отворами. Вивід анода 1 знаходиться у верхній частині балона, виводи 7 катода й сітки — на цоколі, в нижній частині балона.
На відміну від вакуумного тріода в тиратроні зміна потенціалу сітки не впливає на силу анодного струму, а зміщує момент запалювання приладу, тобто момент утворення дуги. Після запалювання тиратрона сітка втрачає керувальну дію і гасить дугу, отже заперти тиратрон, змінюючи потенціал сітки, неможливо.
Малюнок 2.37- Будова та умовне позначення тиратрона
На мал. 2.38, а зображено анодно-сіткову характеристику тиратрона. За досить великої від'ємної напруги на сітці відносно катода електричне поле між сіткою й катодом, спрямоване назустріч основному полю тиратрона, перешкоджатиме рухові електронів до анода і сила анодного струму дорівнюватиме нулеві, тобто тиратрон буде запертий. Зі зменшенням від'ємної напруги на сітці до певного значення в анодному колі з'явиться струм дуже малої сили, який зі зменшенням від'ємної напруги на сітці поступово збільшуватиметься, як і в вакуумному тріоді.
Зі зменшенням сіткової напруги до ІІ3— напруги запалювання швидкість руху електронів стає достатньою для іонізації газу, виникає дуга й утворюється плазма, тобто тиратрон відкривається.
З
А
Запалювання тиратрона супроводжується стрибкоподібним збільшенням сили анодного струму до певного значення, яке залежить від анодної напруги та опору навантаження RH . Після запалювання дуги сіткова напруга не впливає на силу анодного струму. Якщо на сітку подавати додатну напругу +UC , то її потенціал буде компенсований електронами й негативними іонами, які оточують сітку. Від'ємний потенціал сітки —ІУС компенсується позитивними іонами. Отже, сітка, втрачає свою керувальну дію і заперти лампу можна лише зниженням анодної напруги до нуля. Для обмеження сіткових струмів у коло сітки вводять опір 1...100 кОм.
При певній напрузі між сіткою й катодом запалювання тиратрона відбувається за певної анодної напруги, яка дорівнює напрузі запалювання (Uа = Uз). Отже, змінюючи Сіткову напругу, можна регулювати анодну напругу Uа = Uз, за якої виникає дуга. Крім сіткового потенціалу, на напругу запалювання U3впливає тиск всередині балона, температура навколишнього середовища, сила струму розжарення, опір сіткового кола та інші фактори. Тому за певної сіткової напруги запалювання тиратрона може статися при анодній напрузі, що перебуває в межах від Uатіпдо Uamax, і пускова характеристика тиратрона (мал. 2.38б) визначається ділянкою, що знаходиться між кривими Uзтіпдо Uзmax
Вольт-амперна характеристика тиритрона Uа = f (Іа) має такий же вигляд, як і в газотрона.
Тиратрони застосовують у регульованих випрямлячах, перетворювачах постійного струму у змінний (в інверторах), у схемах автоматичного регулювання, керування, захисту тощо.
Тиратрон з холодним катодом являє собою іонний прилад із тліючим розрядом. Це скляний балон, заповнений сумішшю інертних газів (аргон — неон, аргон — гелій та ін.). Всередині балона розміщено три електроди: анод, катод і сітка. З подачею між сіткою Й катодом напруги Uc виникає електричне поле, під дією якого утворюється початкова іонізація і з'являється тихий, або темний розряд. Якщо на сітку буде подано додатний імпульс напруги, то сила струму в сітковому колі збільшиться і тихий розряд між катодом і сіткою перейде в тліючий. Якщо напруга між анодом і катодом Uадостатня для підтримання цього розряду, то він перекидається на анод, після чого тиратрон запалюється і сітка припиняє впливати на силу струму в тиратроні. Для гасіння тиратрона анодну напругу треба знизити так, щоб вона стала меншою від робочої.
Позитивними якостями тиратронів з холодним катодом е малі габарити й маса, висока механічна міцність, значна тривалість функціонування, відсутність розжарення, широкий діапазон робочих температур (від — 60 до +100 °С). Недолік таких тиратронів — нестабільність характеристик.
Історія розвитку електроніки
Становлення і розвиток електроніки стало можливим завдяки наполегливим зусиллям багатьох учених-фізиків.
Ще в древній Греції Фалес із Мілета вперше виявив, що янтар, потерт
Електропровідність напівпровідників
Напівпровідниками називаються матеріли, що займають проміжне положення між провідниками й діелектриками. Особливість металевих провідників полягає у наявності вільних електронів,
Електронно дірковий перехід
Область на границі двох напівпровідників з різними типами електропровідності називається електронно - дірковим переходом, або р-п переходом.
Явища, які відбуваються,
Вольт - амперна характеристикар- ппереходу
Вольт-амперна характеристика показує залежність струму струм через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги. Цю залежність виражають формулою
Напівпровідникові резистори
НП резистори мають два вихідних електроди. Вони поділяються на лінійні та нелінійні.
У лінійних резисторів питомий електричний опір не залежить від прикладеної напруги, їх умовне позначен
Напівпровідникові діоди
Напівпровідникові діоди - це НП прилади, виготовлені на основі двошарових НП структур і які використовують властивості р-п переходу.
Широко розповсюджені випрямні д
Будова транзистора
Біполярним транзистором або просто транзистором називається напівпровідниковий прилад з двома р — n - переходами, який призначений для підсилення й генерування електричних коливань
Принцип дії біполярних транзисторів
В умовах роботи транзистора до лівого р — п— переходу прикладається напруга емітер — база Uе–б у прямому напрямку, а до правого р — п – переходу — напруга
Характеристики БТ
Характеристиками транзисторів називаються залежності між силами струмів і напругами у вхідному й вихідному колах. У різних схемах приєднання транзистора вхідні й вихідні кола різні
Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
(h-параметри)
Статичні ВАХ використовуються при розрахунках електронних схем з великими рівнями вхідних сигналів. Якщо рівень вхідного сигналу малий і тран
Основні режими роботи біполярного транзистора
Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному U та колекторному U переходах:
Конструкція біполярних транзисторів
Біполярні транзистори виготовляють з германію та кремнію. Як приклад, розглянемо будову площинного германієвого транзистора р — п —р-типу (мал. 2.17). Базою служить пл
Загальні відомості
До класу уніполярних відносять транзистори, принцип дії яких ґрунтується на використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок). Керування струмом в силовому колі у
Диністори
Диністор має чотиришарову структуру. У нього є три p-n переходи. Два крайніх з них (П1 і П3;) зміщені у прямому напрямку, а середній (П2) - у зворот
Оптоелектронні елементи
Оптоелектронні елементі використовують перетворення електричних сигналів в оптичні і містять джерело світла (ДС) та приймач світла — фотоприймач (ФП), які поєднані між собою
Газотрони
Газотрон являє собою двоелектродний іонний або газорозрядний прилад, призначений для випрямлення змінного струму. Скляний (або металевий) балон газотрона після створення в ньому в
Фото помножувачі
Фотоелементом називається електровакуумний, напівпровідниковий або іонний прилад, у якому дія променевої енергії оптичного діапазону обумовлює зміну його електричних властивостей.
ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
Задача 2.1. Вибрати тип діода для електротехнічного пристрою, щоб забезпечити струм у навантаженні І = 0,27 А. Напруга, що прикладається до діода у закритому
ЗАДАЧІ ΗА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
2.1с. Для забезпечення безаварійної роботи пристрою необхідно вибрати діод, умови роботи якого: прямий струм Iпр = 10 А; а напруга, що прикладається до діода U
Інтегральні мікросхеми. Класифікація та основні поняття
Мікроелектроніка - це розділ електроніки, який включає дослідження конструювання і виробництво електронних мікросхем і радіоелектронної апаратури на їх основі.
Інтегральна
Малюнок 3. 1- Загальна конструкція ІМС
По застосовуваному матеріалі розрізняють чотири типи корпусів: металосклянні, металокерамічнні, керамічні і пластмасові. При цьому головними елементами конструкції к
Малюнок 3.2-Типи корпусів ІМС
Слід зазначити також, що конструктивні характеристики корпуса (особливо по габаритах і розташуванню висновків) повинні створювати зручності при монтажі ІС на друкованій платі.
Транзисторів
При цьому за основу беруть однорідну підложку з кремнію р-типу.
Шляхом термічного окислювання кремнію на поверхні підкладки формують тонку захисну плівку діоксиду кремнію.
Резистори
Створення інтегральних резисторів, що представляють собою тонкий (порядку 3 мкм) шар напівпровідника, відбувається по планарній технології в процесі дифузії домішки в острівці підкладки або
Гібридні ІМС. Технологія виготовлення гібридних ІМС
У виробництві гібридних ІМС використовується плівкова технологія, що дозволяє виготовляти з досить стабільними параметрами лише пасивні елементи — резистори, конденсатори, індуктивн
Резистори.
При виготовленні плівкових резисторів використовуються резистивні матеріали з різним поверхневим питомим опором. Такі матеріали можна розділити на три основні групи: чисті метали, с
Провідники і контактні площадки
Об'єднання плівкових пасивних елементів і начіпних компонентів у гібридну ІМС здійснюється плівковими провідниками і контактними площадками. Такі елементи повинні мати добру електропровідність,
ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ
Задача 3.1 Вказати призначення мікросхеми, на корпусі якої такий напис — КР548ЛП43.
Розв'язок: Відповідно до стандарту маркування
ЗАДАЧІ НА САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ
3.1с. В електричному пристрої використано мікросхему 136ТР1. Вказати призначення даної мікросхеми і пояснити, за якою ознакою визначається спеціалізація.
(Відповідь: RS-тр
Акустоелектроніка
Акустоелектроніка — це напрямок функціональної мікроелектроніки, оснований на використанні п'єзоелектричного ефекту. Акусто-електроніка займається перетворенням акустичних си
Магнетоелектроніка
Магнетоелектроніка зв'язана е використанням властивостей тонких, магнітних плівок. Застосування магнітних матеріалів як носіїв інформації основане на тім, що вони володіють двома ст
Криоелектроніка
Криогенна: електроніка, чи криоелектроніка,— одна з нових і перспективних галузей науки. Досліджує явища, що відбуваються у твердому тілі при низьких температурах, і практи
Хемотроніка
Хемотроніка як новий науково-технічний напрямок виникло на стику електрохімії й електроніки. Це наука про побудову різноманітних електрохімічних приладів на основі явища, зв'яз
Біоелектроніка
Це напрямок функціональної мікроелектроніки знаходиться в стадії становлення, однак він є одним з найбільш цікавих і перспективних. Біоелектроніка виникла як одна з відгалужень більш загальної наук
ЗАПИТАННЯ ДЛЯ САМОПЕРЕВІРКИ
1. Чим викликана необхідність розвитку функціональної
мікроелектроніки як нової галузі технічної електроніки?
2. Назвіть основні напрямки розвитку функціональної
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
На мал. 2.38, а зображено анодно-сіткову характеристику тиратрона. За досить великої від'ємної напруги на сітці відносно катода електричне поле між сіткою й катодом, спрямоване назустріч основному полю тиратрона, перешкоджатиме рухові електронів до анода і сила анодного струму дорівнюватиме нулеві, тобто тиратрон буде запертий. Зі зменшенням від'ємної напруги на сітці до певного значення в анодному колі з'явиться струм дуже малої сили, який зі зменшенням від'ємної напруги на сітці поступово збільшуватиметься, як і в вакуумному тріоді.
З
Новости и инфо для студентов